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梁康

作品数：39 被引量：7H指数：2
供职机构：武汉大学更多>>
相关领域：文化科学电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇文化科学
  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 10篇金刚石
  • 10篇刚石
  • 6篇输电
  • 6篇输电线
  • 6篇输电线路
  • 6篇机器人
  • 6篇高压输电
  • 6篇高压输电线
  • 6篇高压输电线路
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 6篇弛豫
  • 6篇电线路
  • 5篇振动性
  • 5篇抛光
  • 5篇陀螺
  • 5篇陀螺仪
  • 5篇激光
  • 4篇单晶金刚石
  • 4篇行走机器人

机构

  • 39篇武汉大学

作者

  • 39篇梁康
  • 24篇刘胜
  • 6篇肖华
  • 6篇吴功平
  • 6篇严芝芝
  • 4篇李瑞
  • 3篇张栋梁
  • 2篇甘志银
  • 1篇邵仁杰
  • 1篇杨潇
  • 1篇舒坦
  • 1篇李宏伟

年份

  • 17篇2024
  • 5篇2023
  • 7篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2004
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
β-氧化镓/c-砷化硼异质结构及制备方法
本申请公开了β‑氧化镓/c‑砷化硼异质结构及制备方法。本技术方案中，通过分子束外延的方法(MBE)制备大尺寸、高质量的c‑BAs晶体，通过设计并引入不同结构和功能的缓冲层，实现β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>...
吴改沈威孙展鹏梁康何家梁戚梓俊
一种金属-金刚石肖特基功率器件及其过渡层设计方法
本发明公开了一种金属‑金刚石肖特基功率器件及其过渡层设计方法，该金属‑金刚石肖特基功率器件包括金刚石衬底和金属层，金刚石衬底和金属层之间设有立方氮化硼过渡层，立方氮化硼过渡层含有1～3层硼氮原子层厚度，并与金刚石衬底的(...
刘胜程春敏东芳孙祥陈清朋吴改沈威梁康
基于数字孪生的半球形结构陀螺仪飞秒激光抛光修正装置
本发明提供了一种基于数字孪生的半球形结构陀螺仪飞秒激光抛光修正装置。该装置包括：置物台；转动机构，设置在置物台上，用于固定并控制被抛光物体进行转动；飞秒激光发射单元，用于抛光所述被抛光物体；监测组件，包括粗糙度检测单元、...
刘胜 李照东 陈超宇 汪启军 吴改 沈威 东芳梁康
分子束外延半导体薄膜生长均匀性原位监测方法及系统
本发明公开了一种分子束外延半导体薄膜生长均匀性原位监测方法及系统，方法包括，获取不同分子束外延生长状态下制备的半导体薄膜的光谱信息和反映半导体薄膜生长均匀性的表征数据，并构建数据库；根据数据库训练得到半导体薄膜生长均匀性...
刘胜 宋云飞梁康 孙启盟 杨德坤 沈威 吴改 汪启军 张文泽
一种优化分子束外延薄膜均匀性的方法
本发明属于半导体薄膜生长技术领域，公开了一种优化分子束外延薄膜均匀性的方法，包括基于源炉‑衬底相对位置信息和源炉束流角度分布信息建立外延薄膜均匀性模型；针对外延薄膜均匀性模型，采用多参数优化方法计算得到外延薄膜均匀性最优...
刘胜梁康吴改甘志银
N沟道金刚石MISFET器件及其制备方法
本发明公开了一种N沟道金刚石MISFET器件及其制备方法，首先准备P型掺杂金刚石层；然后在P型掺杂金刚石层上露出源极和漏极的相应位置，采用刻蚀工艺在源极和漏极的相应位置处分别刻蚀凹槽；之后利用MPCVD工艺，采用硼‑氧共...
刘胜吴改沈威孙祥汪启军张栋梁李瑞梁康东芳
基于数字孪生的半球形结构陀螺仪CMP抛光修正装置
本发明提供了一种基于数字孪生的半球形结构陀螺仪CMP抛光修正装置。包括：抛光腔，其内设置有置物台；转动机构，设置在置物台上，用于控制固定在转动机构上的被抛光物体进行转动；抛光机构，包括磨石，磨石用于抛光被抛光物体，抛光机...
刘胜 李照东 陈超宇 汪启军 吴改 沈威 东芳梁康
一种高压输电线路导线修补装置
本发明涉及一种导线修补装置，尤其是涉及一种高压输电线路导线修补装置。一种高压输电线路导线修补装置，其特征在于，包括通过一机械臂（3）连接在行走机器人（1）上的箱体（4）、设置在箱体（4）内夹持机构以及通过一传动机构驱动夹...
吴功平梁康肖华严芝芝
一种激光内部划片分割氧化镓的方法
本发明公开了一种激光内部划片分割氧化镓的方法，所述方法包括，将氧化镓进行固定，在氧化镓的加工面覆盖胶膜后进行多道次的激光隐形切割，所述激光隐形切割根据氧化镓厚度选择不同的加工道次和激光参数；激光隐形切割完成后，所述胶膜扩...
吴改沈威孙展鹏孙祥戚梓俊汪启军梁康
金刚石基复合材料界面热阻的优化方法
本发明提供金刚石基复合材料界面热阻的优化方法，包括：步骤1.初步建立未考虑图形化界面的热源和金刚石散热材料超晶胞基础模型；步骤2.从散热材料和热源材料中择一作为基准材料，另一个作为嵌合材料；步骤3.确定基准材料的图形化几...
吴改戚梓俊梁康沈威李瑞
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