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梁学磊

作品数：53 被引量：35H指数：4
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇期刊文章
  • 22篇专利
  • 6篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 13篇电子电信
  • 11篇一般工业技术
  • 7篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 33篇纳米
  • 21篇碳纳米管
  • 21篇纳米管
  • 18篇晶体管
  • 13篇电子器件
  • 12篇薄膜晶体
  • 12篇薄膜晶体管
  • 11篇纳米材料
  • 7篇半导体纳米材...
  • 7篇场效应
  • 6篇电路
  • 6篇纳米电子
  • 6篇金属
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇合金
  • 4篇单电子器件
  • 4篇形状记忆
  • 4篇形状记忆合金
  • 4篇纳米电子学
  • 4篇记忆合金

机构

  • 47篇北京大学
  • 8篇中国科学院
  • 8篇京东方科技集...
  • 7篇中国科学院微...
  • 5篇南京大学
  • 1篇北京中医药大...
  • 1篇东南大学
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇山西大学
  • 1篇太原理工大学
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇南京晶奥微光...

作者

  • 53篇梁学磊
  • 24篇彭练矛
  • 20篇陈清
  • 16篇王胜
  • 15篇张志勇
  • 7篇薛增泉
  • 5篇赵兴钰
  • 5篇吴锦雷
  • 5篇张耿民
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  • 5篇车仁超
  • 4篇王晶云
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  • 3篇王盛凯
  • 3篇王业宁
  • 3篇张志方
  • 3篇张琦锋
  • 3篇吴全德
  • 3篇申自勇

传媒

  • 2篇科学通报
  • 2篇Journa...
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  • 2篇物理化学学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇电镀与精饰
  • 1篇物理
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国科学（G...
  • 1篇纳米科技
  • 1篇中国科学：技...
  • 1篇第二届全国纳...
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年份

  • 1篇2025
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  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 8篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
共 53 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法
本发明提供了一种人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法，其中，该人工神经元结构，包括：衬底；背栅金属层，位于所述衬底下方；外延层，位于所述衬底上方；两个互不接触的源漏金属层，位于所述外延层上方；以及有机薄膜层，分...
王盛凯梁学磊黄奇赵杰赵晓亮
文献传递
聚苯胺纳米线阵列的电化学组装研究被引量：1
2013年
利用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝模板,通过控制电位聚合技术在阳极氧化铝模板内组装了聚苯胺纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和能谱仪等检测技术对填孔过程和阵列的形貌、结构进行分析和表征。结果表明,苯胺在纳米孔中的聚合过程经历四个阶段,填孔终止时间控制为第二阶段结束时间。阳极氧化铝模板中苯胺聚合适宜的电位为1.0V,pH为2.5。聚苯胺纳米线的直径均匀,约为70nm,与模板孔径基本一致,为非晶结构。
张璐姚素薇梁学磊张圆圆
关键词：阳极氧化铝模板聚苯胺纳米线阵列
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本发明属于显示技术领域，具体涉及薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成源极、漏极和有源层的步骤，其中，形成所述有源层的步骤包括：根据所述薄膜晶体管预设的阈值电压，设定有源层位于所述源...
孟虎梁学磊夏继业田博元董国栋黄奇
文献传递
纳米电子学
2003年
在比较三代电子器件的基础上，说明纳电子器件是电子器件发展的新一代，它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应，与真空电子器件、微电子器件相比，纳电子器件在信号加工中的主要特性有：(1)单电子，(2)保有相位，(3)量子电阻(h／e^2)，(4)量子字节(qubit)，(5)普适电导涨落．电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管，目前纳电子三极管有两种模式：纳米点三极管和碳纳米管三极管，文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性。
薛增泉张琦锋宋教花郭等柱梁学磊申志勇陈清高崧张耿民赵兴钰刘惟敏彭练矛吴锦雷吴全德
关键词：纳米电子学单电子碳纳米管碳纳米管
人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法
本发明提供了一种人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法，其中，该人工神经元结构，包括：衬底；背栅金属层，位于所述衬底下方；外延层，位于所述衬底上方；两个互不接触的源漏金属层，位于所述外延层上方；以及有机薄膜层，分...
王盛凯梁学磊黄奇赵杰赵晓亮
文献传递
一种基于碳纳米管的光电器件、光电集成电路单元及电路
本发明提出一种基于碳纳米管的光电器件，以碳纳米管作为导电通道，其一端具有高功函数金属电极，另一端具有低功函数金属电极，通过简单的结构即可实现多种功能器件，包括但不限于双极性场效应晶体管、无阻双极性二极管、发光二极管和光探...
彭练矛梁学磊张志勇王胜陈清
文献传递
Cu-Al-Zn-Ni合金中与界面运动有关的内耗
一、引言形状记忆合金发生马氏体相变时将产生界面,而界面的可动性在形状记忆效应中很重要,它将影响记忆效应的寿命和响应速度。本文研究 Cu-Al-Zn-Ni 形状记忆合金中与界面运动有关的内耗行为并测量有关参数。
沈惠敏张志方黄以能李昂梁学磊杨震王业宁
关键词：形状记忆合金
PMMA在石墨烯转移过程中对其表面准周期褶皱的影响
2013年
利用CVD方法在铜基底上制备了大面积石墨烯，将其转移到PMMA表面，利用AFM和STM对转移前后的石墨烯表面进行了研究，结果表明，利用CVD方法制备的石墨烯表面存在由Cu基底表面台阶引起的大面积准周期性条纹状褶皱；当石墨烯转移到PMMA表面后，褶皱数量显著减少，表面杂质颗粒和裂痕减少，表明PMMA与石墨烯间的相互作用能够提高石墨烯的平整度，改善石墨烯的质量。
郭晓雷张凯李伟梁学磊申自勇
关键词：CVD石墨烯PMMA褶皱
一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备
本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子...
彭练矛梁学磊陈清张志勇王胜胡又凡姚昆
文献传递
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本发明属于显示技术领域，具体涉及薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成源极、漏极和有源层的步骤，其中，形成所述有源层的步骤包括：根据所述薄膜晶体管预设的阈值电压，设定有源层位于所述源...
孟虎梁学磊夏继业田博元董国栋黄奇
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