杨高照
- 作品数：59 被引量：52H指数：5
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国防科技技术预先研究基金中国工程物理研究院基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 无机晶体CeF3对脉冲DT中子的相对灵敏度测量
- 在脉冲DT中子源场中，对CeF3闪烁体相对中子灵敏度进行了测量，测量结果表明：按脉冲DT中子引起的探测器输出电荷情况考虑，CeF3探测器的灵敏度比同体积的ST401低一个多量级;按脉冲DT中子引起的探测器脉冲电流输出峰值...
- 胡孟春李忠宝刘建王振通张建华胡青元杨高照周殿忠杨洪琼
- 关键词：无机晶体
- 用于离子能谱测量的Thom son谱仪设计与数据处理技术被引量：4
- 2004年
- 在设计可用于测量质子、α粒子以及其他重带电离子能谱的Thomson谱仪的过程中,研究了带电离子在谱仪电场和磁场作用下的运动轨迹,开发了相应的计算机辅助设计软件。CR39固体径迹探测器作为离子记录介质,离子径迹在记录面呈现抛物线带状分布,研究了由抛物线带状分布回推离子能谱的数据处理方法。
- 杨建伦温树槐徐荣昆唐正元李林波杨洪琼李正宏宋凤军杨高照
- 关键词：固体径迹探测器
- CeF_3闪烁探测器对五种能量中子的甄别能力研究被引量：8
- 2005年
- 用CeF3闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管构成两种闪烁探测器,在1.2MeV、2.5MeV、3.5MeV、5.0MeV和14MeV等能量的稳态中子源场中,测量了这两种闪烁体探测器的电流输出,得到结果表明:上述能量的中子与CeF3闪烁探测器作用形成的电流比同尺寸ST401闪烁体构成探测器的输出电流均低一个量级以上,这些结果与这两种探测器在钴、铯γ源中测量结果比较,可以得出在n、γ混合辐射场中测量γ辐射时,CeF3闪烁探测器能够较好地屏蔽这些能量中子的干扰。
- 胡孟春李忠宝唐章奎彭太平王振通张建华唐正元杨洪琼杨高照
- 关键词：中子源中子灵敏度
- 一种使PIN探测器暗电流降低3个量级的外置电路
- PIN探测器暗电流一般为μA量级，要使用其实现稳态电流只100nA级的弱信号测量，必须采取措施使PIN探测器暗电流降低2个量级以上，才能获得信噪比在一个量级以上的可靠数据。
本工作利用反向电流叠加、抵消的方法，...
- 胡孟春周刚忠宝李如荣杨建伦杨高照唐章奎
- 关键词：PIN探测器电流测量暗电流
- 文献传递
- CeF_3闪烁探测器对DD中子的相对灵敏度被引量：8
- 2003年
- 用国内近年新研制的CeF3闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管,构成两种闪烁体探测器,在强度不随时间变化的DD中子源场中测量了这两种闪烁探测器的相对灵敏度,测量结果表明:CeF3闪烁探测器对DD中子的灵敏度比同尺寸ST401的灵敏度低一个量级以上。
- 胡孟春叶文英周殿忠王振通张建华胡青元杨洪琼杨高照
- 关键词：闪烁探测器无机闪烁体
- 密封容器的电磁屏蔽分析和数值计算
- 在密封金属圆柱体中进行脉冲n、γ粒子测量时,瞬发n、γ粒子与铁等材料作用会产生空间电磁场,这个电磁场对处于其中的探测系统和与之相连接的记录系统都会造成电磁干扰,而且随着脉冲n、γ粒子的增大,电磁干扰将严重影响测试的质量,...
- 郭洪生陈法新何锡钧彭太平杨高照
- 文献传递
- 塑料闪烁探测器的γ灵敏度测定被引量：3
- 2003年
- 利用60Co和137Csγ辐射源测定了塑料闪烁探测器的γ灵敏度,给出了ST401、ST1422和含6Li(4%)塑料闪烁探测器的测定结果,获得了1.25和0.66MeV的γ灵敏度随闪烁体厚度的变化关系,实验结果与理论计算值在测量不确定度内一致。
- 杨洪琼彭太平杨高照李林波胡孟春王振通胡青元张建华黄雁
- 关键词：塑料闪烁探测器Γ灵敏度辐射源中子测量
- 组合P IN脉冲中子探测器的能量响应
- 2005年
- 组合P IN脉冲中子探测器由一对P IN半导体和中子辐射体组成。理论计算了CH2和235U分别作为中子辐射体的组合P IN脉冲中子探测器的灵敏度随中子能量的变化;用脉冲中子源实验测量了由CH2辐射体组成的探测器的14M eV中子灵敏度,实验结果与计算符合很好。
- 杨洪琼朱学彬杨建伦李波均彭太平唐正元杨高照李林波宋献才
- 关键词：硅半导体中子灵敏度
- 大线性电流光电倍增管的调试
- 简单介绍了光电倍增管的调试原理,主要就我们所用的两种型号的光电倍增管的调试过程和增益、线性电流、渡越时间等关心的指标进行了论述,就调试和实验过程中发现的一些问题进行了讨论.
- 张建华王振通胡青元杨高照
- 关键词：光电倍增管渡越时间
- 文献传递
- 中子管非中子产物性质
- 2012年
- 采用两只经过标定的ST401闪烁探测器,测量了脉冲中子管的中子产额,在其中一只探测器前端增加铅板屏蔽,1cm的铅屏蔽使探测器输出减少了18.20%,在加速器中子源上进行的类似实验表明,0.5cm的铅使探测器的输出减少了2.90%。对两个中子源上测量的情况进行了蒙特卡罗模拟,加速器实验与模拟符合较好,脉冲中子管实验差别较大。对实验和模拟的情况进行了分析,结果表明:中子管除产生中子外,还会产生数量较多的轫致辐射X射线,这些X射线对准确测量中子管中子产额将造成不良影响。
- 王栋杨高照
- 关键词：中子管蒙特卡罗模拟
