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彭大青

作品数：30 被引量：36H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省科技支撑计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 9篇MOCVD
  • 7篇异质结
  • 7篇衬底
  • 6篇金属有机物
  • 6篇SIC衬底
  • 6篇GAN薄膜
  • 5篇二维电子
  • 5篇二维电子气
  • 5篇ALGAN/...
  • 5篇GAN
  • 4篇氮化镓
  • 4篇金属有机物化...
  • 4篇晶体
  • 4篇ALN
  • 3篇迁移
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体质量
  • 3篇半绝缘
  • 3篇ALGAN
  • 3篇ALGAN/...

机构

  • 30篇南京电子器件...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇华莹电子有限...
  • 1篇山西烁科晶体...

作者

  • 30篇彭大青
  • 29篇李忠辉
  • 28篇张东国
  • 19篇董逊
  • 18篇李亮
  • 17篇李传皓
  • 16篇罗伟科
  • 12篇杨乾坤
  • 9篇倪金玉
  • 5篇周建军
  • 5篇潘磊
  • 3篇孙永强
  • 2篇孔月婵
  • 2篇许晓军
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇陈韬
  • 1篇陆海燕
  • 1篇姜文海
  • 1篇孔岑
  • 1篇李哲洋

传媒

  • 16篇固体电子学研...
  • 7篇第13届全国...
  • 4篇人工晶体学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 8篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
200 mm高纯半绝缘SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料
2024年
南京电子器件研究所采用国产200 mm高纯半绝缘SiC衬底,提出衬底高温刻蚀、GaN外延模式调控应力等技术,有效解决了高温下衬底边缘突翘和薄膜异质生长应力大等问题,显著降低了大尺寸外延材料的翘曲度,研制出高质量200 mm SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料(图1)。外延材料测试结果表明,二维电子气室温迁移率达到2 231 cm^(2)/(V·s),方块电阻片内不均匀性为2.3%(图2),GaN(0002)和(1012)面XRD摇摆曲线半高宽分别达到143 arcsec和233 arcsec,圆片弯曲度和翘曲度分别达到-18.7μm和27.1μm(图3)。材料显示了优良的结晶质量和电学特性,为GaN微波毫米波功率器件和MMIC应用奠定了良好的技术基础。
张东国张东国魏汝省李忠辉彭大青李传皓杨乾坤王克超
关键词：半绝缘微波毫米波方块电阻摇摆曲线
少层氮化硼的生长机理及技术研究被引量：1
2022年
采用MOCVD技术在50.8 mm(2英寸)蓝宝石衬底上开展氮化硼(BN)材料的外延生长研究。基于Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运工艺,探究了无序岛状、生长自终止及二维层状等三种BN生长模式的外延机理,并实现了5-6层原子厚的二维BN材料的制备。同时,提出了一种Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运及分时输运相结合的外延生长工艺,显著提升了二维BN材料质量,其中1μm×1μm表面粗糙度Ra为0.10 nm,光学带隙宽度为5.77 eV,拉曼E2g模式的半高宽为60.7 cm^(-1)。
李传皓李忠辉李忠辉张东国彭大青张东国沈睿
关键词：氮化硼蓝宝石衬底
MOCVD方法制备p型AlGaN材料
李亮罗伟科李忠辉董逊彭大青张东国李传皓
60V工作P波段2500W GaN HEMT微波功率管被引量：1
2020年
基于高击穿的GaN HEMT工艺,报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现。对功率管进行预匹配,并采用同轴巴伦线和推挽电路完成对功率管的输入输出电路匹配设计,通过4胞高效合成及热沉设计,在工作电压60 V、工作脉宽300μs、工作比10%的条件下,实现410~485 MHz全频带2500 W功率输出、附加效率76%以上的高效高功率功率管,器件在驻波比大于5∶1时仍稳定工作。
周书同唐厚鹭王琪陈韬魏星彭大青陈堂胜
关键词：P波段高功率
MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究被引量：2
2017年
采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的势垒层外延方法,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层材料质量和表面形貌,提升了异质结料的电学特性,室温下电子迁移率达到1 620cm^2/(V·s),方块电阻217.2Ω/。
李忠辉李传皓彭大青张东国罗伟科李亮潘磊杨乾坤董逊
关键词：金属有机物化学气相沉积异质结迁移率
SiC衬底外延GaN薄膜的应力调控研究
李忠辉彭大青李亮倪金玉董逊罗伟科张东国李传皓
采用低温AlN插入层的Si基GaN异质外延应力分析
张东国彭大青李亮董逊倪金玉罗伟科潘磊李传皓李忠辉
生长压力对MOCVD GaN材料晶体质量的影响被引量：2
2011年
使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高GaN薄膜的晶体质量。同时采用XRD、PL谱和湿化学腐蚀方法研究了样品的位错特性,结果表明高压生长的样品能够降低位错密度,起到改善GaN晶体质量的作用。
彭大青李忠辉李亮孙永强李哲洋董逊张东国
关键词：氮化镓位错
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究被引量：2
2011年
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长模式,并且合适的低温生长条件可以明显改善GaN外延层的结晶质量,降低位错密度。
张东国李忠辉孙永强董逊李亮彭大青倪金玉章咏梅
关键词：金属有机物化学气相淀积氮化镓缓冲层
Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响
引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较...
李传皓李忠辉彭大青潘磊张东国
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