张万林
- 作品数：27 被引量：158H指数：9
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 掺镁铌酸锂晶体抗光折变微观机理研究被引量：23
- 2003年
- 研究了掺镁掺铁铌酸锂晶体的紫外、可见及红外光谱 ,首次发现当掺镁量超过通常所说的阈值 (第一阀值 )时 ,Fe3+ 离子和部分Fe2 + 离子的晶格占位由锂位变为铌位 ,但仍有部分Fe2 + 离子留在锂位 .晶体缺陷化学分析表明 ,继续增加掺镁量 ,占锂位的Fe2 + 离子数将逐渐减少 ;当掺镁量达到另一个适当的值 (第二阀值 )时 ,全部Fe2 + 都占铌位 ,晶体的抗光折变能力空前提高 ,这种现象称作双阈值效应 .
- 孔勇发李兵陈云琳黄自恒陈绍林张玲刘士国许京军阎文博刘宏德王岩谢翔张万林张光寅
- 关键词：掺镁铌酸锂晶体吸收光谱
- 镁铁双掺杂LiNbO_3晶体的光谱研究
- 1995年
- 测试了镁铁双掺杂ＬｉＮｂＯ＿３晶体的紫外－可见和红外吸收谱，发现掺镁阈值以下的晶体在４８２．５ｎｍ处有一小吸收峰，认为是由晶体场引起的Ｆｅ离子ｄ－ｄ禁戒跃迁所至。在掺镁超过阈值的晶体中此峰趋于消失，说明Ｆｅ￣（３＋）离子在掺镁阈值前后所处的晶体场发生了变化，进而推测铁离子的占位发生了变化．结合ＯＨ￣－谱３５０４ｃｍ￣（－１）吸收带的出现，进一步说明了阈值以上Ｆｅ进入了Ｎｂ位。
- 杨立森张万林张光寅
- 关键词：晶体铌酸锂镁铁掺杂光谱
- 远红外健心片
- 本发明公开了一种远红外健心片，属于理疗和保健用品技术领域。本发明是由远红外体、反射层、红外透明外保护层、支撑与外装饰体紧密结合并且红外透明外保护层、远红外体、反射层、支撑与外装饰体依次排列而成。本发明制作的健心片与目前市...
- 张万林张光寅孔勇发许京军张存洲李美玲
- 文献传递
- 近完美铌酸锂晶体及其光性能的优化研究
- 孔勇发许京军陈云琳张万林黄自恒陈绍林孙军李兵舒永春刘宏德
- 生长了近化学计量比（[Li]/[Nb]=1:1）铌酸锂晶体。与通常的同成分（[Li]/[Nb]=48.5:51.5）晶体相比，其电光系数更大，光折变灵敏度和光致折射率变化提高了一个量级，周期极化反转电压下降了4 5倍，在...
- 关键词：
- 关键词：铌酸锂晶体近化学计量比
- Co对NiO_xH_y薄膜电致变色性能的影响(英文)被引量：2
- 1999年
- 本文利用阴极化电沉积法在抛光镍板及ＩＴＯ玻璃表面制备了含Ｃｏ量为１６．２％的ＮｉＯｘＨｙ薄膜，薄膜厚度分别为４２ｎｍ、２１ｎｍ，采用透射光谱以及线性电位扫描、交流阻抗和阳极稳态极化曲线等测试技术，考察了Ｃｏ对ＮｉＯｘＨｙ薄膜电致变色性能的影响，光谱测试范围为３００～２５００ｎｍ．结果发现：Ｃｏ能降低薄膜着色态在可见光区及部分近红外区的透过率，通过电压调节不仅可以调光而且可望能够控温；同时Ｃｏ还能降低ＮｉＯｘＨｙ薄膜电致变色电位，升高薄膜氧化着色过程中的氧析出过电位，对薄膜的电致变色性能有改进作用，但降低了着色过程中质子的扩散系数．
- 曹晓燕张文虎袁华堂张万林林荫浓周作祥张允什
- 关键词：电致变色钴
- K_2ZnCl_4晶体中OH^-杂质的存在形态及其红外光谱的研究
- 1989年
- 通过红外光谱、差示热分析谱和核磁共振谱研究了K_2ZnCl_4晶体中OH^-的存在形态.在实验中观察到存在两种不同形态的OH^-,并就其对晶体物理性质的影响作了讨论.
- 张存洲俞平张万林张光寅
- 关键词：晶体红外光谱
- Tm:YVO_4晶体的光谱参数计算被引量：11
- 2002年
- 由测量的Tm :YVO4晶体的吸收光谱 ,考虑到单轴晶体在各个方向上的吸收不同和折射率随波长的变化 ,根据Judd Ofelt理论计算了Tm3 +在YVO4中的强度参数、各个能级的振子强度、自发辐射几率、荧光分支比、积分发射截面等参数。强度参数为Ω2 =1 9416× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω4=0 15 6 8× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω6=0 396 3× 10 - 2 0 (cm2 )。计算结果表明 ,1 D2 → 3 F4的跃迁几率远大于1 D2
- 宋峰郭红沧张万林张潮波商美茹张光寅
- 关键词：光谱特性吸收光谱钒酸钇晶体钐发光学光谱参数
- 远红外健心片
- 本发明公开了一种远红外健心片,属于理疗和保健用品技术领域。本发明是由远红外体、反射层、红外透明外保护层、支撑与外装饰体紧密结合并且红外透明外保护层、远红外体、反射层、支撑与外装饰体依次排列而成。本发明制作的健心片与目前市...
- 张万林张光寅孔勇发许京军张存洲李美玲
- 文献传递
- 掺镁、铁铌酸锂晶体缺陷结构的变化模型被引量：5
- 1996年
- 铌酸锂晶体是一种重要的电光材料,可是光致折射率变化（即光损伤）限制了它的应用范围。晶体中的光折变效应主要来源于晶体中的过渡元素如Fe、Cu等杂质的影响。1980年仲跻国等人报道,当在熔体中掺入摩尔分数4.6％或更多的MgO时,生长出的铌酸锂晶体的抗光损伤能力提高两个数量级,Bryan复证了这个结果,并观察到掺镁浓度的阈值效应,即在阈值浓度前后,铌酸锂晶体的若干性质如光电导、OH-吸收峰的位置、以及色心吸收谱等出现突变。实验表明,抗光损伤能力的增强,不是由于光伏特电流的减小,而是光电导率成倍增长的缘故。Gerson发现,高浓度掺镁铌酸锂晶体中起陷阱作用的Fe3+对电子的俘获截面大大低于未掺镁或少量镁的铌酸锂晶体。由此可见,弄清高浓度掺镁引起晶体缺陷结构变化及其与光折变中心的相互作用机制对于提高晶体抗光损伤能力以及进一步控制和利用光折变具有重要意义。
- 刘建军张万林张光寅
- 关键词：铌酸锂晶体镁掺杂光折变效应
- 优良全息光折变存储材料—双掺铌酸锂晶体被引量：13
- 2002年
- 我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体 ,通过光折变存储性能的测试 ,在这些晶体中 ,我们发现了三种双掺晶体 :LN :Fe ,Mg ;LN∶Fe ,In ;LN∶Fe,Zn ,它们具有优良的光折变存储性能 ,即高衍射效率 (高达 6 0～ 80 %)、快光折变响应 (比LN∶Fe晶体缩短了一个数量级 )、和强抗光散射能力 (比LN∶Fe提高近两个数量级 )。我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系 ,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值 ,从而提出了最佳写入光强的概念。另外 ,全息光栅热固定研究还显示 ,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质 :快固定时间、高固定效率、长固定寿命等。
- 孔勇发许京军李冠告黄自恒陈绍林李兵陈云琳张玲刘士国阎文博刘宏德王岩孙骞张心正张国权黄晖张万林张光寅
- 关键词：光折变光存储
