您的位置： 专家智库 > >

姚乾凯

作品数：21 被引量：23H指数：3
供职机构：河南工业大学理学院更多>>
发文基金：河南省自然科学基金河南省高校青年骨干教师资助项目河南省教委自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇中文期刊文章

领域

  • 19篇理学
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇半导体
  • 5篇散射
  • 5篇散射理论
  • 4篇表面态
  • 3篇导体
  • 3篇电子结构
  • 3篇态密度
  • 3篇子结构
  • 3篇表面电子
  • 2篇电子态
  • 2篇动力学
  • 2篇动力学模拟
  • 2篇多孔硅
  • 2篇宇宙
  • 2篇紧束缚
  • 2篇化合物
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇分子

机构

  • 21篇郑州大学
  • 8篇河南教育学院
  • 1篇河南工业大学
  • 1篇河南农业大学
  • 1篇中国石油化工...

作者

  • 21篇姚乾凯
  • 15篇贾瑜
  • 7篇胡行
  • 6篇宋友林
  • 4篇马丙现
  • 4篇李新建
  • 4篇魏英耐
  • 3篇徐小树
  • 2篇李新克
  • 2篇富笑男
  • 2篇杨德林
  • 2篇马健新
  • 2篇杨淑敏
  • 2篇王晓春
  • 2篇全条芬
  • 2篇马光文
  • 2篇王飞
  • 1篇马润香
  • 1篇赵安庆
  • 1篇冯军兰

传媒

  • 5篇河南教育学院...
  • 5篇郑州大学学报...
  • 4篇郑州大学学报...
  • 3篇低温与超导
  • 1篇金属学报
  • 1篇物理
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇四川理工学院...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 5篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
共 21 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
反常弛豫的CuCl(110)表面电子态研究
2000年
采用考虑 d电子相互作用的 spd紧束缚模型描述具有闪矿结构的半导体 Cu Cl的体能带 ,用形势散射理论方法计算了弛豫的 Cu Cl(110 )表面电子结构 ,给出了表面投影能带结构和表面波矢分辨的层态密度 .计算结果表明 :表面弛豫主要是表面层 p- p和 p-
徐小树姚乾凯魏英耐贾瑜胡行
关键词：紧束缚模型散射理论弛豫
YBa_2Cu_3O_7基面电子态特性计算
2003年
用散射理论描述了 YBa2 Cu3O7( 0 0 1)面的电子能带结构。用近似到第三近邻的紧束缚模型得到了 YBCO的体电子态密度 ,Cu O及 Cu O2 的表面态密度和表面投影能带 ,进而分析了 Cu O和 Cu O2 的表面态密度的特点及与体态密度的差别。
宋友林贾瑜赵先林姚乾凯
关键词：散射理论态密度YBA2CU3O7高TC超导体电子能带结构
紧束缚方法计算Ⅲ-V族半导体(311)B表面电子结构被引量：2
2001年
本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态 ,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Г Y S X Г的色散关系 .通过比较给出了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等 (311)
陈旭方樊社民宋友林贾瑜姚乾凯
Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(311)A表面的电子结构特征被引量：1
2001年
在考虑最近邻、次近邻相互作用的SP3 模型基础上 ,采用形式散射理论的格林函数方法计算了Ⅲ -Ⅴ族半导体化合物GaAs、InSb、InAs和GaP的 (311)A表面的电子结构 ,给出了以上半导体材料体能带的表面投影能带结构 ,并给出了GaAs的 (311)A表面的层态密度函数 ,分析了各表面态沿表面布里渊区高对称线的色散特性和 (311)A表面的共同电子结构特征 ,计算结果与实验结果基本一致 .
宋友林王玉仓贾瑜姚乾凯
金属Fe高指数面表面能的分子动力学模拟被引量：5
2004年
利用基于嵌入原子型原子间相互作用势(EAM)的分子动力学理论,计算了金属Fe位于两个晶带上([001]晶带和[-110]晶带)一系列高密勒指数面的表面能.基于表面结构单元模型的经验公式,提出了一个更普遍的经验公式,可以根据几个低密勒指数面的表面能计算出高密勒指数面的表面能和表面结构特征.计算结果表明:最密排面的表面能最低,最密排面(110)面和次密排面的(100)、(112)面的表面能分别是表面能值随晶向角度θ变化曲线上的极小值.分子动力学理论模拟结果、公式计算结果和其他理论结果三者符合得较好.
贾瑜王晓春姚乾凯王飞马健新胡行
关键词：表面能分子动力学原子间相互作用势铁
GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析被引量：1
2002年
基于 Ga As( 1 1 4 ) A表面的几何结构 ,采用散射理论的格林函数方法 ,首次从理论上计算了 Ga As( 1 1 4 ) A表面的电子结构 ,得到了该表面的投影能带结构 ,并从键合结构上分析了各表面态的轨道特征和色散特性 .结果表明 ,在基本带隙中有 4个表面态 ,异极带隙中有 2个表面态 。
宋友林王玉仓姚乾凯贾瑜
关键词：散射理论电子结构表面态半导体砷化镓GAAS
微扰法解Einstein场方程
2007年
首先从已知具有对角型度规的Einstein场方程的精确解出发,近似推导了含有微扰条件下的场方程形式;其次,利用这一微扰形式具体计算了静态球对称引力场的外部微扰解,并进而讨论了球状星系外部的引力特征.结果表明,该微扰解不仅可以与内部解衔接,而且在消除微扰的情况下还可以自动恢复到Schwarzchild解的形式.
李新克全条芬杨淑敏姚乾凯马光文
关键词：EINSTEIN场方程微扰
Ge(313)表面能带结构分析被引量：1
2000年
使用紧束缚最近邻近似下的 sp3s* 模型 ,利用形式散射理论的格林函数方法 ,首次分析了半导体 Ge的(313)高指数表面的表面能带结构 .采用层轨道表象及表面投影技术 ,给出了 (313)表面在二维布里渊区高对称点的波矢分辩的电子态密度和表面投影能带结构 .分析结果表明 :(313)表面在 - 12 e V到 1e V的能区内存在 6个主要的表面态 .在此基础上讨论了各表面态的轨道特性。
魏英耐马润香陈秀芳贾瑜姚乾凯马丙现李新建
关键词：表面态态密度半导体
物理教育在素质教育中的地位被引量：3
2003年
人的素质是把获得的知识、技能内化于身心 ,升华而形成的一种稳定的品质和素养 .文化素质是一种基础性素质 ,占有重要的地位 ,文章通过分析物理学与其他自然科学、数学及人文科学等文化素质的关系 ,以及物理学知识对人形成正确的自然观人生观的重要作用 ,论证了物理学教育在素质教育中具有的特殊地位 .
马丙现贾瑜姚宁姚乾凯谈新敏
关键词：物理教育素质教育文化素质人文科学人生观自然观
临界态模型对高质量密度Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_(10)块材样品低磁场磁化曲线的模拟计算
1999年
用临界态模型对热均衡压方法制作的高质量密度Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０块材样品在低磁场下的磁化曲线进行了模拟计算并与实验结果进行了对比。计算结果表明这种方法制作的样品有较高的粒间临界电流密度。
胡行贾瑜姚乾凯李新建杨德林
关键词：临界态模型磁化曲线高TC超导体
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0