周建伟
- 作品数：65 被引量：130H指数：6
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺交通运输工程机械工程更多>>
- 用于大尺寸硅边抛的化学机械抛光液及其制备方法和应用
- 本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于大尺寸硅边抛的化学机械抛光液及其制备方法和应用，所述抛光液包括如下重量份组分：硅溶胶650份；金属螯合剂2‑4份；钾盐速率促进剂5‑20份；碱性速率促进剂60‑90份；表面活性...
- 王辰伟周建伟王胜利雷双双王如井锋刘启旭
- 文献传递
- CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制被引量：3
- 2005年
- 化学机械全局平面化过程中各种颗粒的污染十分严重。随着时间增长,吸附状态由物理吸附转变为化学吸附最终形成键合。文章提出了一种优先吸附模型,是表面活性剂分子优先吸附在硅片表面,降低能量达到稳定不但可以有效控制颗粒在硅片表面的吸附状态,对已经吸附的颗粒可以起到解吸的作用。实验证明用表面活性剂对硅片进行处理,可以有效控制颗粒的吸附状态,对CMP清洗有重要作用。
- 李薇薇刘玉岭周建伟王娟
- 关键词：化学机械全局平面化键合表面活性剂
- H_2O_2基电解液的pH值对铜钌电偶腐蚀的影响被引量：3
- 2016年
- 研究了电解液pH值对Cu和Ru电偶腐蚀的影响,并对其控制机理进行深入的研究。选取H_2O_2作为Cu和Ru电化学电解液中的氧化剂和腐蚀剂,选用HCl和KOH溶液作为pH调节剂,采用动电位扫描这种电化学技术,表征金属铜钌表面的电化学反应。实验结果表明:在pH值低于7时,Ru在电解液中逐渐生成不溶的RuO_2·2H_2O和RuO_3,Cu仅发生腐蚀反应。在Cu和Ru的电偶腐蚀中,Cu作为阳极而加速溶解,影响器件的可靠性。在pH值高于7时,Ru可生成可溶的过钌酸盐,Cu表面含有一层致密的氧化层。在Cu和Ru电偶腐蚀中,Ru作为阳极而加速溶解,Cu得到了保护。在pH值为9时,Cu和Ru的腐蚀电位差最小为5 mV,因此在弱碱性阻挡层抛光液中可减少Cu和Ru之间的腐蚀电位差,有效抑制Cu和Ru之间电偶腐蚀现象的产生。
- 张乐周建伟刘玉岭王辰伟郑环
- 关键词：钌铜电化学电偶腐蚀PH
- 磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理的研究被引量：2
- 2011年
- 抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动,它是CMP工艺的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素。因此分析磨料的各物性参数对CMP过程的影响尤为重要。随着晶圆表面加工尺寸的进一步精密化,磨料黏度作为抛光磨料重要物性参数之一,受到越来越多的重视。根据实验结果从微观角度研究了磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理,并由此得出当抛光液磨料黏度为1.5 mPa.s时,抛光速率可达到458 nm/min且抛光表面粗糙度为0.353 nm的良好表面状态。
- 李伟娟周建伟刘玉岭何彦刚刘效岩甘小伟
- 关键词：黏度去除速率磨料化学机械抛光
- 一种用于提高集成电路多层布线钌CMP速率的方法
- 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于提高集成电路多层布线钌CMP速率的方法，包括：制备含有氨三乙酸三铵的抛光液；再使用该抛光液对14nm以下集成电路钌阻挡层图形片进行抛光。本发明在大规模集成电路的应...
- 罗翀康劲周建伟史万里何梓玮
- 一种用于控制钌阻挡层铜布线蝶形坑和蚀坑的方法
- 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于控制钌阻挡层铜布线蝶形坑和蚀坑的方法，包括：制备含有磷酸酯等活性剂的抛光液；取硅溶胶，加去离子水稀释，得硅溶胶溶液；将螯合剂、氧化剂、磷酸酯、杀菌剂、表面活性剂混...
- 罗翀康劲周建伟史万里孙纪元
- 新型兆声清洗去除集成电路衬底硅片表面污染物的分析研究被引量：2
- 2006年
- 集成电路衬底硅片表面存在污染物会严重影响器件可靠性,非离子表面活性剂能有效控制颗粒在硅单晶片表面的吸附状态,使之保持易清洗的物理吸附。在清洗液中加入特选的非离子表面活性剂,大大提高了兆声清洗去除颗粒的效率和效果。实验表明当活性剂在清洗液的配比为1%,颗粒去除率可达95%以上。
- 李薇薇周建伟刘玉岭王娟
- 关键词：兆声清洗非离子表面活性剂
- CMP专用纳米磨料生长粒径控制技术研究
- 刘玉岭王娟檀柏梅李薇薇张西慧周建伟张建新高金雍王胜利黄妍妍牛新环
- 该课题组粒径可控为微电子CMP多种用途提供了高质无污染、高纯、高浓度SiO_2纳米磨料，建立了硅溶胶生长机理，采用控制粒子数多级分次生长等液面法，制备出所需粒径范围内的产品，实现粒径可控生长；运用阳－阴－阳三步离子树脂交...
- 关键词：
- 关键词：硅溶胶粒径控制
- 用于提高集成电路钌互连线抛光去除速率的抛光液及其制备方法
- 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于提高集成电路钌互连线抛光去除速率的抛光液及其制备方法；抛光液包括下述组分：硅溶胶1‑10％，氧化剂0.1‑5％，活化剂0.1‑10％，抑制剂0.001‑0.5％，去离子水、pH调节剂...
- 王辰伟王超周建伟张雪刘玉岭
- 文献传递
- 半导体硅晶片水基研磨液
- 本发明涉及一种用于超大规模集成电路的单晶硅、多晶硅和其它化合物半导体晶块切削的高效碱性半导体硅晶片水基研磨液，其特征是：主要由聚乙二醇、胺碱、渗透剂、醚醇类活性剂及螯合剂组成，其成分及生产浓度质量分数为：聚乙二醇(分子量...
- 刘玉岭周建伟张伟
- 文献传递
