您的位置： 专家智库 > >

周小川

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇调制光谱学
  • 1篇多量子阱
  • 1篇砷化镓
  • 1篇探测率
  • 1篇光反射
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱学
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇GAA
  • 1篇GAAS/A...
  • 1篇GAAS/A...
  • 1篇波长
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇南开大学
  • 1篇航空航天部

作者

  • 2篇周小川
  • 1篇张存洲
  • 1篇蒋健
  • 1篇王森
  • 1篇李承芳
  • 1篇潘士宏
  • 1篇吴荣汉
  • 1篇钟战天
  • 1篇蒋健
  • 1篇黄硕
  • 1篇徐贵昌
  • 1篇王忠和
  • 1篇徐俊英

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1992
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和GaAs-GaAs界面的光反射调制谱
1993年
报道了用光反射调制谱(PR)测量掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和界面电场的结果。分别用He-Ne激光和He-Cd激光作调制光,由于它们的穿透深度不同,可以有效地区分来自表面和界面的PR信号。由PR谱推算出薄膜表面和界面的电场。研究了薄膜干涉效应对调制光谱的影响,对界面电场的成因进行了分析和讨论。
潘士宏王忠和黄硕张存洲周小川徐贵昌蒋健陈忠圭
关键词：砷化镓调制光谱学
高探测率的GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器
1992年
探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为77 K,峰值电压响应率 R_v= 9.7× 10~5V/W,峰值探测率 D~*= 6.2 × 10^(10)cmHz^(1/2)/W.
钟战天周小川杜全钢李承芳周鼎新王森吴荣汉於美云徐俊英蒋健
关键词：波长
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0