周丽宏
- 作品数：21 被引量：31H指数：3
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>
- 碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究被引量：8
- 2009年
- 对氦(He)离子高温(600K)注入6H-SiC中的辐照缺陷,在阶梯温度退火后演化行为的拉曼光谱和室温光致发光谱的特征进行了分析.这两种方法的实验结果表明,离子注入所产生晶格损伤的程度与注入剂量有关;高温退火导致损伤的恢复,不同注入剂量造成的晶格损伤需要不同的退火温度才可恢复.在阶梯温度退火下呈现出了点缺陷的复合、氦-空位团的产生、氦泡的形核、长大等特性.研究表明:高温(600K)注入在一定剂量范围内是避免注入层非晶化的一个重要方法,为后续利用氦离子注入空腔掩埋层吸杂或者制备低成本、低缺陷密度的绝缘层上碳化硅(SiCOI)材料提供了可能.
- 张洪华张崇宏李炳生周丽宏杨义涛付云翀
- 关键词：6H-SIC离子注入光致发光谱
- 铅离子辐照注碳4H-SiC的红外光谱特性研究
- 主要研究了铅离子辐照注碳4H-SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化.从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层, 波数在960-1 450 cm-1范围内出现了干涉带, 干...
- 周丽宏张崇宏宋银杨义涛
- 关键词：4H-SIC傅立叶变换红外光谱离子注入
- 文献传递
- 氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究被引量：3
- 2010年
- 4H-SiC晶体经能量为100keV,剂量为3×1016cm-2的氦离子高温(500K)注入后,再在773—1273K温度范围内进行了退火处理,最后使用纳米压痕仪测量了样品注入面的硬度.测试结果表明,在500—1273K温度范围内样品的硬度随退火温度升高呈现先增大后减小再增大的趋势,其中773K退火样品的硬度增大明显.分析认为,退火样品的硬度变化是由退火过程中缺陷复合与氦泡生长导致样品内部的Si—C键密度、键长和键角改变引起的.
- 张勇张崇宏周丽宏李炳生杨义涛
- 关键词：SIC纳米压痕
- 尖晶石中注He引起的损伤随退火温度变化的研究
- 尖品石(MgAlO)具有较强的抗辐照性能,在含有锕类元素核废料的嬗变处理中它是最佳的无铀惰性基质材料之一;另外由于其良好的电绝缘性、较高的熔点利热导率在将来聚变反应堆中作为电绝缘材料也具有应用潜力。在核能领域的使用环境常...
- 杨义涛张崇宏周丽宏李炳生
- 文献传递
- 离子注入/辐照引起Al2 O3单晶的改性研究
- 600 K温度下用110 keV的He+, Ne+, Ar+离子注入及320 K温度下用230 MeV的208Pb27+辐照Al2O3单晶样品, 研究了离子注入和辐照对Al2O3单晶样品结构和光学特性的影响.从测得的光致...
- 宋银张崇宏王志光赵志明姚存峰周丽宏金运范
- 关键词：离子注入重离子辐照AL2O3光致发光谱
- 文献传递
- 退火对离子辐照引起4H-SiC损伤恢复的影响
- 以碳化硅为代表新一代化合物半导体材料由于大的禁带宽度、高的载流子饱和漂移速率、高的击穿电压、良好的化学热稳定性等诸多优点在高速、高温、大功率微电子器件以及高亮度短波长光电子器件的开发中显示了重要的应用,因此受到越来越多的...
- 周丽宏张崇宏杨义涛李炳生宋银
- 文献传递
- 惰性气体离子注入铝镁尖晶石合成金属纳米颗粒的探索
- 2009年
- 实验在表面蒸镀了金属(Cu,Au)薄膜的尖晶石(MgAl2O4)样品中注入惰性气体离子(Ar,He),随后对注入样品进行了退火处理.在紫外可见光谱上观察到了由于金属纳米颗粒存在引起的较强的表面等离子体共振吸收峰,提供了材料中金属纳米颗粒形成的证据.采用这种方法在材料中引入金属纳米颗粒,发现影响金属纳米颗粒形成的因素除了退火温度外,金属薄膜厚度的影响不可忽略.
- 杨义涛张崇宏周丽宏李炳生张丽卿
- 关键词：金属纳米颗粒离子注入紫外可见光谱
- 注氦尖晶石的红外光谱研究被引量：1
- 2008年
- 利用傅立叶变换红外光谱仪对注He尖晶石样品随退火温变化而引起光吸收性能的变化进行了研究。发现尖晶石样品在626.4cm-1附近的吸收峰随注入剂量的增加向小波数方向移动,而在随后退火过程该吸收峰随退火温度的增加而向大波数方向回复。该吸收峰的回复行为依赖于注入剂量和退火温度。认为在626.4cm-1附近吸收峰随注入剂量和退火温度的这种变化与尖晶石中He的俘获以及释放有关。
- 杨义涛张崇宏周丽宏李炳生
- 关键词：离子注入红外光谱氦尖晶石
- 注入Ar^＋的蓝宝石晶体退火前后光致发光谱的分析
- 2008年
- 对注入Ar+后不同晶面取向的蓝宝石晶体在不同退火条件下的光致发光谱进行了分析.分析结果表明:三种晶面取向的蓝宝石样品经Ar+注入后,其光致发光谱中均出现了新的位于506nm处的发光峰;真空和空气气氛下的退火均对样品在506nm处的发光有增强作用,不同晶面取向的样品发光增强程度不同,且发光增强至最大时的退火温度也不同,空气气氛下的退火使样品发光增强程度更为显著.由此可以看出,退火气氛、退火温度和晶面取向均对样品发光峰强度有影响.
- 周丽宏张崇宏李炳生杨义涛宋银
- 关键词：AL2O3离子注入退火光致发光谱
- 利用He离子和O离子联合注入制备SOI薄膜的研究
- ＜正＞SOI（silicon-on-insulate）薄膜的研制对于发展新一代 Si 基高速、抗辐射的超大规模集成电路芯片具有重要意义。本实验尝试用中等剂量的 He、O 离子束联合注入方法制备 SOI 薄膜。在单晶
- 李炳生张崇宏杨义涛孙友梅周丽宏
- 文献传递
