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金属表面结构的变角XPS特征被引量：1: 1997年; 采用仅改变阳极高压以获得不同激发光子流强的变角Ｘ光激发电子能谱（ＸＰＳ），研究Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａ及Ｗ中光电子峰的表面结构效应。实验结果表明，在面心立方的Ａｌ及体心立方的Ｔａ和Ｗ中均显示表面结构产生的衍射效应，而在Ｆｅ和Ｃｕ中未出现表面结构效应；所出现表面结构效应的差异与阳极高压及光子流的能量有紧密的关系。同时，在实验高压范围内存在一个产生表面结构效应的阳极电压阈值。文中就观察到的表面结构效应之差异的可能机制进行了初步探讨。; 刘昶时武光明刘芬陈萦赵汝权; 关键词：单晶 XPS 金属

碳纤维表面等离子体改性的研究: 结果表明碳纤维（ＣＦ）表面接枝聚丙烯酸对松弛界面内应力，提高界面粘接强度起积极的贡献，而接枝度并不随所有的丙烯酸溶液浓度增加而增加，固定为１３℅左右，所以起等离子聚合接枝的很可能就是在ＣＦ表面发生化学吸附的单分子层丙烯酸...; 笪有仙王殿勋刘芬; 关键词：碳纤维增强复合材料碳纤维表面性质等离子体改性接枝共聚

X光激发氮氧化铝膜层电子特征能量探测与分析: 1999年; 本文报告了用Ｘ光电子能谱法（ＸＰＳ）对氮氧化铝／铁膜内层电子特征能量的探测与分析，获得了膜层中不同深度的元素成分及化学结构．结果表明：ＸＰＳ方法是研究氮氧化铝选择性吸收膜的有效方法．; 刘漪陈萦刘芬; 关键词：X光电子能谱氮氧化铝

射频溅射MoS_2、WS固体润滑膜在脂润滑下的摩擦学特性: 1995年; 用球－盘试验机研究了射频溅射ＭｏＳ２，ＷＳ２固体润滑膜在脂润滑下的摩擦学特性，并用ＸＰＳ，ＳＥＭ和ＥＤＸ等方法进行了分析．结果指出，在锂基脂润滑下，表面溅射ＭＯＳ２薄膜后摩擦系数降低，擦伤载荷成几倍或几十倍增长，尤其在高滑动速度下效果更加明显，可在一定载荷范围内代替２＃主轴油进行润滑，摩擦中ＭＯＳ２膜表层组织很容易剥落，摩擦中与基体结合较牢的主要是表面下的有效膜厚。因而在本试验条件下两种厚度ＭＯＳ２膜的摩擦学性能基本无差别，溅射ＷＳ２膜中含氧量很高，且在整个膜层中均以ＷＯ３存在，因此减摩效果不理想。; 罗虹刘家浚朱宝亮刘芬; 关键词：射频溅射润滑脂

脂润滑下二硫化钼溅射膜的摩擦特性被引量：4: 1994年; ＭｏＳ＿２溅射膜通常是用于干摩擦的场合，因而对它在脂润滑下的摩擦学行为，特别是对其在边界润滑状态下的作用都还很少有人进行研究。以解决空心圆柱滚子轴承早期磨损失效为主要目的，利用球－盘摩擦磨损试验机考察了在脂润滑下ＭｏＳ＿２溅射膜的摩擦特性。结果表明，脂加ＭｏＳ＿２溅射膜可以在比较宽的速度和载荷范围内表现出良好的减摩性能，此外，还利用Ｘ射线光电子能谱方法测定了射频溅射ＭｏＳ＿２固体润滑膜的元素化学状态、成分深度分布和膜层厚度等，分析了成膜条件对ＭｏＳ＿２溅射膜的影响，为获得理想的ＭｏＳ＿２薄膜提供了科学依据。; 罗虹刘家浚刘芬陈萦胡兴中; 关键词：脂润滑光电子能谱

红花成分抗血小板激活因子作用机理的研究被引量：7: 2002年; 红花(Carthamus tinctorius L.)为最常用的活血化瘀中药之一,性温味辛,入心、肝经,该药活血通经,化瘀止痛,主要用于治疗冠心病、脉管炎、脑血栓等多种血液循环障碍性疾病.经过数十年的研究,已从红花中分离出200多种化学成分.药理研究结果表明,红花提取物具抗血栓,抗心肌缺血,改善微循环等多方面的心血管药理作用.1994年8月我们首次发现红花水提液可抑制血小板激活因子(Platelet Activating Factor,PAF)诱发的家兔血小板聚集,在国家自然科学基金等方面的资助下我们对其作用机理进行了较系统的研究.我们首先对红花总黄色素的制备方法进行了研究,先后试验了多种制备红花总黄色素的方法,结果表明在实验室条件下,制备红花总黄色素以硅胶吸附法较好,其方法简单,成本低,产率高,溶解度好,筛选实验结果表明它为红花抗血小板激活因子有效部位.; 金鸣李家实陈文梅吴伟臧宝霞朴永哲王玉芹郭洪祝刘芬李文杨树东李金荣王秀坤陈萦司南张彦李蔚然; 关键词：红花化瘀止痛药理学

Si-SiO_2及其在电离辐照下的等离激元被引量：1: 1997年; 用ＸＰＳ分析技术对抗辐射加固与非加固的Ｓｉ－ＳｉＯ２进行了电离辐照前后Ｓｉ的一级等离激元（定位于Ｂ．Ｅ．１１６．９５ｅＶ）及ＳｉＯ２一级等离激元（定位于Ｂ．Ｅ．１２２．０ｅＶ）的研究。实验结果表明：存在一个由这两种等离激元组成的界面，在电离辐射的作用下，此界面区向ＳｉＯ２表面方向展宽，界面中心向ＳｉＯ２表面方向移动；两种Ｓｉ－ＳｉＯ２界面区中的ＳｉＯ２一级等离激元的浓度在正电场中辐照均随辐照剂量的增加而增加，而非加固样品中一级等离激元浓度在正电场中随辐照剂量的变化所产生的变动快于加固样品；在同一辐照剂量下加正电样品中等离激元浓度的变化远明显于不加电样品。; 刘昶时武光明陈萦陈萦赵汝权; 关键词：等离激元辐照剂量集成电路

掺硼和掺磷硅衬底生长SiO_2膜及其电离辐照效应的XPS研究: 1995年; 用ＸＰＳ对在掺硼和掺磷硅衬底上生成的Ｓｉ－ＳｉＯ２进行了６０Ｃｏ辐照前后的界面成分分析．结果表明，同一氧化工艺在两种硅衬底上生成的Ｓｉ－ＳｉＯ２，在γ辐照前后其硅的二氧化硅芯态能级谱、Ｓｉ过渡态芯态能级谱及剩余氧态谱均有较大差异；其中，杂质硼比磷对体系在辐照前后的ＸＰＳ谱的影响更大。四种Ｓｉ－ＳｉＯ２的ＸＰＳ分析显示出衬底杂质与氧化工艺在ＳｉＯ２形成过程中具有等同的质量控制作用．根据硼、磷的原子基态时的电子组态及扩散性质的差异对实验结果进行了机制分析．; 刘昶时赵元富陈萦刘芬王忠燕赵汝权; 关键词：硅衬底二氧化硅膜

利用XPS对突出煤表面成分定量研究: 1996年; 利用ＸＰＳ表面分析方法，对突出煤和非突出煤分组进行了研究，结果表明：突出煤表面主要元素的原子数除Ｈ外，Ｏ、Ｓｉ、Ａｌ的相对含量高于非突出煤，而Ｃ的含量相对较低，突出煤表面存在矿物膜。作者认为构造地质作用是形成突出煤表面矿物膜的主要原因。; 郭德勇韩德馨陈莹刘芬; 关键词：突出煤 XPS 煤突出瓦斯突出

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刘芬