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刘红霞

作品数：12 被引量：39H指数：4
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家部委预研基金西安应用材料创新基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 3篇第一性原理
  • 3篇电子结构
  • 3篇输运
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇子结构
  • 3篇非平衡格林函...
  • 2篇单壁
  • 2篇单壁碳纳米管
  • 2篇低功耗
  • 2篇第一性原理研...
  • 2篇电子输运
  • 2篇形面
  • 2篇异质结
  • 2篇三角网
  • 2篇三角网格
  • 2篇三角形面片
  • 2篇输运特性
  • 2篇算法复杂度

机构

  • 12篇西安电子科技...
  • 1篇西北大学
  • 1篇西安石油大学

作者

  • 12篇刘红霞
  • 5篇宋久旭
  • 4篇杨银堂
  • 2篇万波
  • 2篇王泉
  • 2篇罗楠
  • 2篇杨鹏飞
  • 1篇石立春
  • 1篇韩晓亮
  • 1篇张志勇
  • 1篇柴常春
  • 1篇张鹤鸣
  • 1篇郝跃
  • 1篇丁瑞雪
  • 1篇张骥

传媒

  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究被引量：12
2008年
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小.
宋久旭杨银堂柴常春刘红霞丁瑞雪
关键词：掺氮电子结构第一性原理计算
一种低电压低功耗带隙基准电压源的设计被引量：4
2005年
在分析典型带隙基准电压源的基础上,设计了一种低电压、低功耗的带隙基准电压源,采用二次分压技术降低了输出电压;采用亚阈值技术降低了电路的电源电压,进而降低了电路的功耗,通过PSp ice的仿真证明该电压源具有较低的输出电压、较低的功耗和较低的温度系数。
刘红霞
关键词：带隙基准电压源亚阈值PSPICE
一种分层方向自适应快速选取方法
本发明公开了一种分层方向自适应快速选取方法，将三维模型三角网格化得到三角形面片后求出面积加权法向量；然后对面积加权法向量进行主成分分析，构造协方差矩阵并进行奇异值分解，得出三个特征向量作为候选分层方向；其后，在候选分层方...
王泉刘红霞罗楠杨鹏飞万波
文献传递
掺氮碳化硅纳米管电子结构的第一性原理研究被引量：9
2009年
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对本征碳化硅纳米管和掺氮碳化硅纳米管的电子结构进行了计算.计算表明本征(8,0)碳化硅为直接带隙半导体,能带间隙为0.94 eV;掺氮浓度为1.56%和3.12%的碳化硅纳米管的能带间隙减小为0.83 eV和0.74 eV.从差分电荷密度可以看出,能带间隙的减小是氮硅键与碳硅键相比共价成键能力降低的结果.
宋久旭杨银堂刘红霞张志勇
关键词：掺氮第一性原理电子结构
3D打印分层方向优化与分层算法研究
近年来，3D打印技术已经在我们日常生活、科技、经济发展的很多领域得到了广泛应用，如生物器官再造、航天航空、建筑工程、工业制造等。3D打印不仅依赖3D打印机等硬件设备，也需要高效的3D打印分层软件来辅助完成其实体制作过程。...
刘红霞
关键词：优化设计STL模型
文献传递
掺硼锯齿型单壁碳纳米管的电子结构被引量：2
2008年
为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构。采用密度泛函理论下的第一性原理计算,对不同掺杂浓度的最可能存在掺杂结构进行了计算,结果表明随着掺杂浓度的增加碳纳米管的能带间隙呈现增大的趋势。
宋久旭杨银堂刘红霞石立春
关键词：掺硼电子结构单壁碳纳米管第一性原理
纳米管异质结电子输运特性研究
纳米管异质结在纳米电子器件中具有较好的应用前景，而纳米管异质结的电子输运特性是其应用的基础，对其进行研究，不仅具有重要的理论意义，而且具有重要的实用价值，也是当前国内外重视的研究领域。论文采用结合密度泛函理论的非平衡格林...
刘红霞
关键词：氮化硼纳米管异质结电子输运密度泛函理论非平衡格林函数
文献传递
一种分层方向自适应快速选取方法
本发明公开了一种分层方向自适应快速选取方法，将三维模型三角网格化得到三角形面片后求出面积加权法向量；然后对面积加权法向量进行主成分分析，构造协方差矩阵并进行奇异值分解，得出三个特征向量作为候选分层方向；其后，在候选分层方...
王泉刘红霞罗楠杨鹏飞万波
基于动态阈值低功耗CMOS基准电压源设计
低压低功耗设计是集成电路设计的重要研究课题之一，本文对动态阈值低功耗CMOS基准电压源进行了深入的研究。 通过栅体互连实现了动态阈值MOS场效应晶体管(DTMOS)，采用Medici对其漏极输出、载流子迁移率、...
刘红霞
关键词：集成电路设计基准电压源场效应晶体管
文献传递
半导体型单壁碳纳米管的电子输运特性
2008年
采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40～40 mV),碳纳米管伏安特性与孤立碳纳米管的接近为零不同,而是接近为线性,这是耦合导致碳纳米管能级移动的结果。
宋久旭杨银堂刘红霞张骥
关键词：单壁碳纳米管透射谱输运特性
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