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何承发: 作品数：121 被引量：170H指数：6; 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金国家重大科学仪器设备开发专项更多>>; 相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>

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量热计数据采集和处理系统的设计被引量：1: 1994年; 本文建立了以ＰＣ２８６微机为核心的量热计数采集和处理系统，给出了修正量热计热损失的计算公式，改变了传统的量热计测量方法。; 何承发巴维真吾勤之魏锡智; 关键词：量热计数据采集数据处理

载人航天器舱内辐射环境及剂量分析被引量：3: 2016年; 构建载人航天器模型,利用Geant4软件计算了银河宇宙射线中的质子穿过载人航天器后在水模体中的总吸收剂量以及次级粒子吸收剂量,并且统计了不同种类的次级粒子在水模体中的总数量分布。计算结果表明,次级粒子引起的辐射剂量所占比例为50%,且二次电子总数量达到了10~7量级。; 吴正新孙慧斌何承发童永彭马玉刚陆景彬荀明珠呼延奇蔡震波朱志鹏; 关键词：载人航天器屏蔽材料蒙特卡罗方法

质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性被引量：2: 2015年; 对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。; 姜柯陆妩马武英郭旗何承发王信曾俊哲刘默涵

用于元器件电离辐照的X射线辐照方法: 本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且...; 李豫东于刚于新何承发文林郭旗; 文献传递

不同偏置下10位双极模数转换器高低剂量率的辐射效应: 2012年; 研究了10位双极模数转换器(ADC)在60Coγ射线不同剂量率、不同偏置条件辐照下的电离辐射效应及退火特性。研究结果发现,此类模数混合信号电路在不同偏置和不同剂量率辐照下的电离辐照响应有较大差异。同一电参数既表现出低剂量率损伤增强效应(ELDRS)又表现出时间相关效应(TDE)。研究结果进一步表明,低剂量率辐照0 V偏置是最劣偏置;与之相反,高剂量率辐照5 V偏置是最劣偏置,而加电阻偏置对辐照损伤有一定的抑制作用。最后,结合空间电荷模型和边缘电场效应对其辐照损伤差异及退火机理进行了初步探讨。; 胥佳灵陆妩吴雪何承发胡天乐卢健张乐情于新; 关键词：偏置条件 ELDRS

双极线性稳压器(LM317)的电离总剂量效应及剂量率的影响被引量：2: 2013年; 对一款双极集成、三端线性稳压器LM317进行了不同偏置、不同剂量率条件下的电离辐射效应及室温退火特性研究。研究结果表明:器件输出电压、输入输出压差等敏感参数在电离辐射环境下发生了不同程度的变化,且在零偏偏置辐照下的变化比工作偏置辐照下的变化大;在零偏偏置条件,总剂量相同时低剂量率辐照下的损伤明显大于高剂量率辐照,表现出低剂量率损伤增强效应;在工作偏置条件,高剂量率辐照下的损伤大于低剂量率辐照下的损伤,但随后的退火实验中恢复到低剂量率辐照损伤水平,表现出时间相关效应。对稳压器辐射敏感参数的影响因素和不同偏置下的剂量率影响进行了分析和讨论。; 邓伟陆妩吴雪郭旗何承发王信张晋新张孝富吴正新马武英

电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性被引量：3: 2015年; 本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理,并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理.结果表明,1.8 Me V和1 Me V电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤,相同束流下1.8 Me V电子造成的损伤比1 Me V电子更大,相同能量下0.32Gy(Si)/s束流电子产生的损伤大于1.53 Gy(Si)/s束流电子.对于相同能量和束流的电子辐照,器件零偏时的损伤大于正偏时的损伤.器件辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.; 姜柯陆妩胡天乐王信郭旗何承发刘默涵李小龙; 关键词：电子辐射退火

新型硅吸收剂量量热计的应用被引量：1: 2000年; :叙述了一种新型硅吸收剂量量热计的结构、电加热校准情况及其测量原理,给出了用该量热计标定中国科学院新疆物理研究所60Coγ辐照室中吸收剂量率及升降源过程吸收剂量对距离分布情况,说明升降源过程吸收剂量尤其在短时间、近距离。; 安金霞巴维真吾勤之何承发陈朝阳; 关键词：硅量热计 Γ射线辐射剂量计

半导体材料电子非电离能损的分析法计算被引量：1: 2012年; 非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息。考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响。; 于新何承发郭旗张兴尧吴雪张乐情卢建胥佳灵胡天乐

热中子注量率测量方法研究被引量：2: 2004年; 研究了金箔激活法和热释光法测量热中子注量率的方法，并对中国原子能研究院 101 重水反应堆某热中子通道热中子注量率的大小进行了测量，结果表明两种方法测量结果一致性很好，偏差仅为 8.8%。; 陈朝阳巴维真何承发; 关键词：热中子热释光