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于朝辉

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心更多>>
发文基金：中国航空科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电场
  • 2篇电场强度
  • 2篇电离
  • 2篇电离率
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇氧化层
  • 2篇载流子
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型器件
  • 2篇热载流子
  • 2篇硅栅
  • 2篇N型
  • 2篇场强
  • 1篇性能参数
  • 1篇应力
  • 1篇栅压
  • 1篇热载流子退化
  • 1篇晶体管

机构

  • 5篇东南大学

作者

  • 5篇于朝辉
  • 4篇孙伟锋
  • 4篇张春伟
  • 4篇刘斯扬
  • 2篇时龙兴
  • 2篇于冰
  • 2篇陆生礼

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究被引量：1
2016年
本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得p MOS漏极饱和电流(Idsat)、漏极线性电流(Idlin)及阈值电压(Vth)等性能参数退化量逐渐增加,但在Vgs=90%*Vds时,因为没有载流子注入栅氧层,使得退化趋势出现转折.此外,研究还发现,界面态位于耗尽区时对空穴迁移率的影响小于其位于非耗尽区时的影响,致使正向Idsat退化小于反向Idsat退化,然而,正反向Idlin退化却相同,这是因为Idlin状态下器件整个沟道区均处于非耗尽状态.
刘斯扬于朝辉张春伟孙伟锋苏巍张爱军刘玉伟吴世利何骁伟
关键词：热载流子
高压应力下功率SOI-LIGBT器件性能参数退化研究
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT)集合了SOI结构全介质隔离、高耐压和LIGBT器件高驱动能力、低导通电阻的优点，因而被广泛应用于新一代平板显示驱动芯片、电源管理芯片等诸多功率集成领域。然而，功率集成...
于朝辉
关键词：绝缘体上硅性能参数
文献传递
一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺
一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型阱，在N型阱的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳极区，在P型体区中设有N型阴极区和P型体接触区...
刘斯扬于朝辉于冰张春伟孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
高压SOI pLDMOS饱和漏电流热载流子退化研究
2013年
依据退化实验结果,并结合半导体器件工艺模拟软件TCAD仿真,详细研究了高压绝缘体上硅(SOI)p型横向双扩散MOSFET(pLDMOS)饱和电流的热载流子退化机理,以及不同沟道长度和漂移区长度对器件热载流子退化的影响。研究结果表明,在应力初始阶段,热电子注入机制强于界面态机制,饱和电流随着应力时间的增加而增加;应力后期,界面态机制强于电子注入机制,饱和电流逐渐减小。此外,研究还发现,器件沟道越长,饱和电流退化越小;漂移区越长,饱和电流退化也越小。
于朝辉刘斯扬张春伟孙伟锋
关键词：晶体管沟道长度饱和电流
一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺
一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型阱，在N型阱的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳极区，在P型体区中设有N型阴极区和P型体接触区...
刘斯扬于朝辉于冰张春伟孙伟锋陆生礼时龙兴
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