黄蕙芬
- 作品数：21 被引量：41H指数：5
- 供职机构：东南大学电子科学与工程学院更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 用于有源矩阵液晶显示的Ta-Ta2O5-TaMIM薄膜二极管被引量：3
- 1999年
- 本文介绍了一种用于有源矩阵液晶显示、具有对称结构的ＭＩＭ薄膜二极管，其中Ｔａ２Ｏ５膜采用溅射／阳极氧化两步法制成。实验结果表明，用此法制备的氧化钽膜作绝缘层的ＭＩＭ二极管，具有良好的开关特性。
- 黄蕙芬庄大明张浩康刘云峰
- 关键词：有源矩阵MIM薄膜二极管
- MIM薄膜二极管Ta_2O_5绝缘膜的AFM分析及其I-V特性研究被引量：5
- 1999年
- 制备了一种用于有源矩阵液晶显示的Ｔａ－Ｔａ２Ｏ５－Ｔａ 结构ＭＩＭ 薄膜二极管。其中，作为介质层的Ｔａ２Ｏ５ 膜由不同成膜技术得到。采用原子力显微镜（ＡＦＭ）对Ｔａ２Ｏ５ 膜进行了表面形貌分析，并对其ＭＩＭ 二极管的伏安特性进行了测试与比较。结果表明，用溅射／阳极氧化二步法制备的Ｔａ２Ｏ５ 膜作绝缘层的ＭＩＭ 二极管，其Ｉ－Ｖ特性的非线性系数β＝ ２５，远高于阳极氧化法及溅射法所得Ｔａ２Ｏ５ 膜的ＭＩＭ 二极管的非线性系数（β＝ ９和５），电流通断比（１０５）分别较阳极氧化法及溅射法工艺制备的ＭＩＭ－ＴＦＤ高１和３ 个数量级。
- 黄蕙芬
- 关键词：薄膜二极管TA2O5绝缘膜I-V特性
- 有源矩阵液晶显示用MIM薄膜二极管的工艺研究
- 本文分析了用于有源矩阵液晶显示的MIM薄膜二极管的国内外研究现状及存在的问题,在此基础上,对MIM薄膜二极管的制备工艺进行了改进。
- 张浩康钟锐黄蕙芬
- 关键词：薄膜二极管有源矩阵液晶显示
- Ga_2O_3∶Mn电致发光薄膜的微结构及光谱特性研究被引量：3
- 2004年
- 采用电子束蒸发法在硅衬底或 Ba Ti O3陶瓷基片上沉积了 Ga2 O3∶Mn电致发光膜 ,并进行了不同温度热处理 ,制备了电致发光器件。用 X射线衍射 ( XRD)分析了 Ga2 O3∶ Mn薄膜晶体结构 ;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱。研究了 Ga2 O3∶ Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系。实验结果表明 ,Ga2 O3∶ Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高 ,且晶体结构和结晶取向也随之改变 ;经 5 0 0℃热处理的 Ga2 O3∶ Mn薄膜电致发光器件发绿光 ,其光谱主峰分布在 495～ 5 3 5 nm之间 ,且随驱动电压增高 。
- 张修太黄蕙芬
- 关键词：电致发光电子束蒸发荧光分光光度计
- 采用补硫技术的ZnS∶Mn蒸发膜的成份与结构的研究
- 1993年
- 本文介绍了电阻蒸发ZnS∶Mn薄膜在硫饱和蒸汽压下进行热处理的工艺。通过AES和XRD分析及带隙宽度的测试,结果表明:此法所制备的薄膜有较好的化学计量比,且具有电致发光薄膜所需要的六方结构。
- 黄蕙芬
- 关键词：电致发光器件
- 电子束蒸发Ta_2O_5薄膜的实验研究被引量：1
- 1991年
- 介绍用AES和XRD分析由电子束蒸发技术制备的氧化钽薄膜的成份、结构及其与ITO膜相互作用的情况。
- 黄蕙芬陈国平
- 关键词：电子束蒸发
- 具有优良绝缘性能的Ta_2O_5介质膜被引量：6
- 1999年
- 介绍了一种具有优良绝缘性能的Ｔａ２Ｏ５ 介质膜，它由溅射／ 阳极氧化二步法工艺制备而成．用原子力显微镜（ＡＦＭ） 对Ｔａ２Ｏ５ 膜进行了表面形貌分析，对它的电特性进行了测试，并与溅射Ｔａ２Ｏ５ 膜和阳极氧化Ｔａ２Ｏ５ 膜进行了比较．结果表明：溅射／阳极氧化Ｔａ２Ｏ５ 膜的漏电流比溅射Ｔａ２Ｏ５ 膜和阳极氧化Ｔａ２Ｏ５ 膜分别减少了３ ～４ 和１～２ 个数量级，击穿场强也远高于后２ 种膜．
- 黄蕙芬
- 关键词：绝缘性能介质膜阳极氧化击穿场强
- 电阻蒸发Ga_2O_3薄膜成分和结构的研究被引量：2
- 2004年
- 采用电阻蒸发镀膜技术制备了Ga_2O_3薄膜,并进行了500℃和800℃的大气热处理。分别用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了它们的成分和晶体结构。实验结果表明:采用电阻蒸发镀膜技术制备的Ga_2O_3薄膜呈现非晶结构,薄膜成分沿深度方向的均匀性较差。经过500℃热处理后,薄膜转化为单斜结构(β相),薄膜成份的均匀性得到改善。经800℃热处理后,可以得到成份均匀的β-Ga_2O_3薄膜。并且,在不同的热处理温度下,薄膜的结晶取向也有所不同。
- 王震黄蕙芬张浩康
- 关键词：蒸发GA2O3
- 薄膜介质材料特性参数的测试技术
- 1994年
- 在分析采用接触式电极测量薄膜介质材料特性参数所存在问题的基础上，介绍了一种非接触式电极的测量原理和方法，并提出水银探针电极的测试技术。
- 黄蕙芬
- 关键词：介质材料介质薄膜
- 羟基磷灰石薄膜对人血浆纤维蛋白原的吸附性能
- 2003年
- 目的:探讨羟基磷灰石(HA)薄膜的制备方法及其对人血浆纤维蛋白原(Fib)的吸附性能。方法:用电子束蒸发和射频磁控溅射两种技术制备了天然HA薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察了HA薄膜的表面形貌,并用光反射干涉仪(RIfS)测试和比较了两种不同技术制备的HA薄膜对Fib的吸附性能。结果:用电子束蒸发和射频磁控溅射制备的HA薄膜,对Fib的吸附厚度分别为7.01 nm和0.75 nm。结论:用电子束蒸发技术制备的HA薄膜对Fib的吸附能力和吸附牢固度均高于采用射频磁控溅射技术制备的HA薄膜。
- 张浩康黄蕙芬吕晓迎黄炎王震
- 关键词：羟基磷灰石电子束蒸发射频磁控溅射
