黄绍春
- 作品数：9 被引量：24H指数：3
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究被引量：7
- 2014年
- 通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。
- 黄绍春刘新叶嗣荣刘小芹
- 纳米材料在光电探测器中的应用被引量：3
- 2006年
- 以纳米颗粒、纳米管、纳米线材料制作的紫外探测器、红外探测器为例,综述了当前纳米光电探测器的开发现状和发展趋势。
- 江永清黄绍春肖灿
- 关键词：纳米材料光电探测器
- 干氧SiO_2的氢氟酸缓冲腐蚀研究被引量：5
- 2006年
- 根据对掺三氯乙烯（TCE）干氧氧化的SiO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液（BHF）中的腐蚀特性的研究结果表明，在HF wt％保持不变的条件下，腐蚀速率先随着NH4F wt％的增大而上升；NH4F大于15 wt%～20wt％以后，腐蚀速率反而随之降低。值得注意的是，干氧SiO2同湿氧SiO2相比，在1wt％HF条件下，前者的腐蚀速率要比后者高，直到HF酸浓度大于3wt％时，前者的腐蚀速率才低于后者，这一现象可用NH^4＋阻挡模型结合TCE在SiO2中引入浅电子陷阱的方式得到解释。
- 黄绍春江永清叶嗣荣郭林红刘晓芹赵珊
- 关键词：湿法腐蚀三氯乙烯
- 纳米材料光电探测器被引量：1
- 2006年
- 纳米材料光电探测器的开发是纳米材料应用研究的一个重要分支。以几个纳米颗粒制作光电探测器为例，讨论了随着纳米颗粒材料研究的深入，对光电探测器的研发带来的巨大影响。
- 黄绍春江永清肖灿
- 关键词：纳米材料光电探测器
- 日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制被引量：8
- 2007年
- 采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。
- 黄烈云吴琼瑶赵文伯叶嗣荣向勇军刘小芹黄绍春
- 关键词：紫外探测器ALGAN日盲刻蚀欧姆接触
- 基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器模型
- 2017年
- 提出了一种基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器(GNR-PD)结构,讨论了器件的解析模型。基于二维泊松方程,在弱非局域近似条件下建立了GNR-PD的器件模型,推导了其I-V特性和光响应特性。结果表明,GNR-PD具有极高量子效率和光电增益,可以获得高达150A/W以上的光响应度。
- 黄绍春申钧周红叶嗣荣
- 关键词：光电探测器
- GaN基日盲型紫外光电探测器
- 长波截止波长小于280nm的GaN基同盲型光电探测器在生化检测、余焰探测、空间光通讯等军用和民用领域具有巨大的应用潜力，近年来得到了广泛的关注，进行了大量的深入研究。本文介绍了我们在这方面所做的研究工作，着重说明了对实现...
- 黄绍春
- 关键词：氮化镓紫外光电探测器光通讯
- 文献传递
- 纳米材料光电探测器
- 2006年
- 纳米材料光电探测器的开发是纳米材料应用研究的一个重要分支。本文以几种纳米颗粒制作的光电探测器为例,讨论了随着纳米颗粒材料研究的深入,对光电探测器的研发带来的巨大影响。
- 黄绍春江永清肖灿
- 关键词：纳米材料光电探测器
- 玻璃微透镜阵列的制作工艺研究
- 2011年
- 对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果的影响。根据分析结果,选择合适的材料和工艺方法,获得了效果较好的玻璃微透镜阵列,为玻璃微透镜阵列的制作提供了依据和方法。
- 叶嗣荣周家万刘小芹钟强黄绍春赵文伯
- 关键词：微透镜阵列
