陈红升
- 作品数：4 被引量：27H指数：1
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种锡掺杂氧化锌纳米线的制备方法
- 一种锡掺杂氧化锌纳米线的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺为：将硅(100)基片用清洗剂冲洗干净，作为沉积基片；将ZnO粉、SnO粉和C粉按一定的摩尔比充分混合均匀，混粉工艺可利用球磨的方法，并将混合粉末作为反应源...
- 张跃陈红升齐俊杰黄运华张晓梅廖庆亮
- 文献传递
- Sn掺杂ZnO半导体纳米带的制备、结构和性能被引量：26
- 2007年
- 在无催化剂的条件下,利用碳热还原反应气相沉积法制备出了高产率单晶Sn掺杂ZnO纳米带.XRD和TEM研究表明纳米带为结晶完好的纤锌矿结构,生长方向沿[0001],EDS分析表明纳米带中Sn元素含量约为1.9%.室温光致发光谱(PL)显示掺锡氧化锌纳米带存在强的绿光发射峰和较弱的紫外发射峰,谱峰峰位中心分别位于494.8nm和398.4nm处,并对发光机制进行了分析.这种掺杂纳米带有望作为理想的结构单元应用于纳米尺度光电器件领域.
- 陈红升齐俊杰黄运华廖庆亮张跃
- 关键词：纳米带ZNO光致发光
- 多形态ZnO纳米结构材料的制备及光电性能
- 陈红升
- 关键词：氧化锌场发射光致发光
- 四针状纳米ZnO场发射性能及H_2热处理效应被引量：1
- 2007年
- 通过热蒸发反应沉积的方法制备了大面积的四针状ZnO纳米结构材料.四针状纳米结构具有细小的尖端尺寸,为六方纤锌矿晶体结构.在不同极间距下测试了样品的场发射性能,其开启电场约为3.7V/μm,并利用Fowler-Nordheim方程对场发射特征进行了分析.进一步采用在H2气氛中退火的方法优化了四针状纳米ZnO材料的场发射性能,降低了开启电压.研究结果表明,四针状纳米ZnO体现出较低的开启电压和高的发射电流密度,是具有广泛应用前景的冷阴极场发射材料.
- 陈红升齐俊杰张跃廖庆亮张晓梅黄运华
- 关键词：场发射ZNO纳米材料
