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文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇会议论文

主题

  • 9篇电路
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  • 7篇半导体
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  • 2篇真空阀
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  • 2篇真空机组
  • 2篇石英
  • 2篇退火
  • 2篇退火设备
  • 2篇气路系统
  • 2篇子系统

机构

  • 13篇清华大学

作者

  • 13篇陈必贤
  • 12篇林惠旺
  • 10篇钱佩信
  • 6篇白玉琦
  • 5篇侯东彦
  • 4篇马腾阁
  • 4篇李志坚
  • 4篇梁聚宝
  • 4篇刘荣华
  • 2篇罗广礼
  • 2篇黄文韬
  • 2篇刘志弘
  • 2篇陈长春
  • 2篇金晓军
  • 2篇陈培毅
  • 2篇王舜远
  • 2篇韩勇

传媒

  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1988
  • 2篇1987
  • 1篇1986
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
离子注入半导体瞬时退火设备
本发明为离子注入半导体瞬时退火设备,属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高...
钱佩信侯东彦陈必贤马腾阁林惠旺李志坚
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超高真空化学气相淀积外延系统
本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域,包括外延生长室及其加热装置,预处理装片室,磁传动传送片机构,气路系统,热电偶与光测高温计,加热电源,高真空机组抽气系统,尾气处理装置以及计算机自动控制系统;加热装置由固定在...
钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华韩勇金晓军罗广礼陈培毅陈必贤白玉琦
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离子注入半导体瞬时退火设备
本发明为离子注入半导体瞬时退火设备,属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高...
钱佩信侯东彦陈必贤马腾阁林惠旺李志坚
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单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统
单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域,除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外,其特征在于,它含有:反应腔;...
钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华刘志弘白玉琦陈必贤黄文韬陈长春
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超高真空化学气相淀积外延系统
本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域,包括外延生长室及其加热装置,预处理装片室,磁传动传送片机构,气路系统,热电偶与光测高温计,加热电源,高真空机组抽气系统,尾气处理装置以及计算机自动控制系统;加热装置由固定在...
钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华韩勇金晓军罗广礼陈培毅陈必贤白玉琦
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单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统
单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域,除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外,其特征在于,它含有:反应腔;...
钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华刘志弘白玉琦陈必贤黄文韬陈长春
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红外快速热处理设备的热处理石英腔
本实用新型属于超大规模集成电路和半导体制造技术的工艺设备。本装置为红外快速热处理设备和热处理石英腔,由外部绕有高频线圈的石英腔体及腔内的红外反射板组成,其特点是在红外反射板内固定一矩形石墨腔体,在该腔体上部开一测温通孔。...
钱佩信林惠旺陈必贤
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半导体快速热处理系统的石英腔
半导体快速热处理系统的石英腔属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。其要点是采用了双层石墨板作红外辐射源,并解决了双层石墨板加热半导体片测温问题,双层石墨板外加装了涂有介质膜的红外反射板,使半导体片的升温速率加快,并...
钱佩信侯东彦陈必贤马腾阁林惠旺李志坚
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红外快速热处理设备
红外快速热处理设备,属于超大规模集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本实用新型特征是由微机系统、红外热处理石英腔、悬臂传送片机构、双门过渡腔、自动取放片机构、高频感应加热源、测温与控温装置、气路及其控制等构成,微机自...
钱佩信侯东彦陈必贤林惠旺李志坚
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VLSI快速红外热处理设备
钱佩信侯东彦陈必贤
关键词:超大规模集成电路计算机控制感应加热设备
共2页<12>
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