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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇有限元
  • 2篇有限元分析
  • 2篇可靠性
  • 2篇封装
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇球栅阵列
  • 1篇微区分析
  • 1篇无铅
  • 1篇金属
  • 1篇金属间化合物
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇可靠性研究
  • 1篇互补金属氧化...
  • 1篇焊点
  • 1篇封装可靠性
  • 1篇高加
  • 1篇半导体
  • 1篇BGA封装
  • 1篇BGA焊点
  • 1篇CMOS器件

机构

  • 4篇复旦大学

作者

  • 4篇陈兆轶
  • 3篇王家楫
  • 2篇祁波
  • 1篇娄浩焕
  • 1篇瞿欣
  • 1篇方培源
  • 1篇朱笑鶤

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇复旦学报(自...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
BGA焊点在板级跌落实验中的疲劳寿命估计被引量:12
2006年
按照JEDEC标准对板级跌落实验的要求测试了有铅和无铅焊点的球栅阵列封装。用ANSYS软件建立了有限元分析模型,并用ANSYS/LS-DYNA直接求解器计算了典型结点的应力和应变,以及每次跌落时积累在焊点中的平均应变能密度。利用实验和模拟的结果重新计算了Darveaux模型中的常数,将这个模型的应用范围扩展到了跌落环境,并计算了各种条件下焊点的疲劳寿命。
瞿欣娄浩焕陈兆轶祁波Tae kooLee王家楫
关键词:无铅有限元分析焊点
高加速度冲击下BGA封装的板级跌落可靠性研究
随着便携式电子产品的普及,球栅阵列(BGA)封装的跌落可靠性变得越来越重要。跌落试验可以在垂直和水平两个方向上进行。但绝大多数研究都集中在水平方向的跌落试验上,而对垂直方向的跌落试验却很少涉及。因此,本课题的研究工作将主...
陈兆轶
关键词:封装有限元分析球栅阵列
文献传递
CMOS器件及其结构缺陷的显微红外发光现象研究被引量:7
2006年
CMOS器件结构依靠其较低的功耗和高集成度而广泛应用于集成电路中,它在正常工作和发生失效时均存在微弱的显微红外发光现象。对CMOS结构的显微红外发光现象产生机制进行了研究和实际观察,将对深入了解CMOS器件中各种红外发光效应和分析其可靠性具有实际意义。
陈兆轶方培源王家楫
关键词:互补金属氧化物半导体可靠性
无铅BGA封装可靠性的跌落试验及焊接界面微区分析被引量:8
2006年
通过进行BGA封装的可靠性力学试验(高加速度跌落试验),研究了机械冲击和应力对无铅BGA封装焊点的可靠性的影响,并通过对失效BGA封装焊点的微观结构和成分的SEM/EDX分析,寻找影响焊点可靠性的主要因素,研究结果表明,焊点的失效模式较为复杂,而在多数情况下,焊点的疲劳失效与焊接界面处的金属间化合物IMC层断裂有关,并对无铅焊料IMC的性质也作了研究.
祁波朱笑鶤陈兆轶王家楫
共1页<1>
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