钟志萍
- 作品数:23 被引量:14H指数:3
- 供职机构:中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金中国科学技术大学青年基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域:理学机械工程更多>>
- 氢分子电子态b^1П_u及其振动态的微分截面和振子强度
- 1994年
- 在电子入射能量300 eV条件下,测量了氮分子在不同散射角下的12—14 eV能区的能量损失谱,散射角范围为2.75°—10.25°。得到了电子态b^1∏_u振动能级v’=1—4的散射微分截面和广义振子强度,并通过外推k^2至零的方法得到了b^1∏_u及其振动能级v’=1—4的散射微分截面和广义振子强度,并通过外推K^2主零的方法得到了b^1∏_u及其振动能级v’=1—4的光学振子强度。
- 徐克尊钟志萍武淑兰凤任飞S.OhtaniT.TakayanagiA.Kimota
- 关键词:氮分子光学振子强度
- 氦原子光学振子强度的高分辨dipole(e,e)研究被引量:2
- 1996年
- 利用高分辨快电子能量损失谱仪,采用高分辨的dipole(e,e)方法对氦原子的光学振子强度进行了研究.它避免了光学测量中的困难,提高了实验精度.在21~26 eV的能量损失范围内测量得到了氦的I^1S→n^1P中跃迁以及电离过程的光学振子强度谱,并在59~67eV和 69~74eV的能量损失范围内对氦的自电离共振过程的光学振子强度谱进行了研究,所得结果与前人的工作进行了比较.
- 凤任飞杨炳忻武淑兰邢士林张芳钟志萍郭学哲徐克尊
- 关键词:氦原子光学振子强度碰撞
- 氪的贝特面
- 2002年
- 用高分辨快电子能量损失谱方法 ,在入射电子能量 2 .5keV、激发能范围 8—88eV、动量转移范围 0 .0 5 6— 3 .5 6ato.unit的条件下 ,测量了氪的贝特面 。
- 成华东刘小井苑震生朱林繁钟志萍李文斌徐克尊
- 关键词:广义振子强度光学振子强度
- 1500eV入射下氦原子的电子碰撞双重微分散射截面测量
- 本工作使用高分辨快电子能量损失谱仪,在入射电子能量1500eV、能量分辨200meV和散射角度0.5°~4.0°的实验条件下,测量了氦原子在电离连续区24.5~28.5eV的双重微分散射截面.通过与理论及其它入射能量实验...
- 钟志萍
- 关键词:氦原子电子碰撞
- 文献传递网络资源链接
- 等离子体环境中H2+分子势能曲线的计算
- 李心梅赵益清钟志萍屈一至王建国
- 一氧化碳、氢分子和惰性气体原子的振子强度研究
- 该论文是用快电子能量损失谱方法研究原子分子激发态结构和动力学问题.作者主要完成以下工作:在前人的基础上,建立了针对作者实验情况的较严格的实验数据处理系统;在电子入射能量为1500eV,典型能量分辨是60meV的实验条件下...
- 钟志萍
- 关键词:氢分子一氧化碳
- 氮分子价壳层光学振子强度的高分辨偶极(e,e)研究
- 1997年
- 氮气是地球大气层中含量最高的气体,氮分子光学振子强度的研究在大气物理、空间物理和环境科学中有着非常重要的意义. 这些结果在其他领域如等离子体物理、氮激光器的研究中也有其广泛的应用.但目前有关氮分子的绝对光学振子强度的理论计算据我们了解都还停留在电子态的水平,尚未深入到振动态的层次,因而从实验上精确测量氮分子电子振动态的绝对光学振子强度对理论工作的深入开展也具有重要的推动作用.
- 张晓军凤任飞钟志萍暨青朱林繁武淑兰徐克尊
- 关键词:氮分子光学振子强度价壳层
- 氧分子的价壳层光学振子强度研究
- 1997年
- 在入射电子能量为1500eV、平均散射角为0°、能量分辨为60meV条件下,得到了氧分子在57—285eV能量区间的光学振子强度密度谱,获得了氧分子E3-u的ν′=0,1,2和23Πu的ν′=0,1各振动能级的绝对光学振子强度,同时检验了我们的BetheBorn转换因子外推到低能端的可靠性.
- 朱林繁钟志萍暨青张晓军武淑兰凤任飞徐克尊
- 关键词:氧分子价壳层光学振子强度
- 微分散射截面测量中气压效应的修正被引量:3
- 2002年
- 介绍了微分散射截面测量过程中的气压效应 ,通过深入分析得出了二次散射系数E(θ)与零度角的强度A0 成正比 ,随散射角θ的增加而增加以及它的值可正可负 .通过与实验的对比 ,证实了前两条结论 ,并指出可把该结论用于指导实验 .
- 朱林繁刘小井李文斌苑震生成华东钟志萍徐克尊
- 关键词:微分散射截面一氧化碳动力学结构特性
- 1500eV入射下氦原子的电子碰撞双重微分散射截面测量
- 2004年
- 本工作使用高分辨快电子能量损失谱仪 ,在入射电子能量 15 0 0eV、能量分辨 2 0 0meV和散射角度0 .5°~ 4 .0°的实验条件下 ,测量了氦原子在电离连续区 2 4 .5~ 2 8.5eV的双重微分散射截面。通过与理论及其它入射能量实验结果的比较 ,认为在入射电子能量为 15 0 0eV时一阶Born近似成立。
- 范岚岚朱林繁钟志萍刘小井苑震生徐克尊