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金川

作品数:6 被引量:4H指数:1
供职机构:北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”北京市自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇交换耦合
  • 2篇多层膜
  • 2篇交换偏置
  • 2篇交换偏置场
  • 2篇垂直磁各向异...
  • 2篇磁各向异性
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁层
  • 1篇膜性能
  • 1篇界面改性
  • 1篇介质
  • 1篇记录介质
  • 1篇改性
  • 1篇PT
  • 1篇PT/C
  • 1篇FM
  • 1篇MN
  • 1篇磁记录
  • 1篇磁记录介质
  • 1篇磁矩

机构

  • 6篇北京科技大学

作者

  • 6篇金川
  • 5篇于广华
  • 4篇刘洋
  • 1篇李明华
  • 1篇付艳强
  • 1篇刘洋
  • 1篇张睿

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Pt/(Pt/Co)n/FeMn/Pt多层膜中Pt插层对交换偏置场的影响被引量:1
2007年
在具有垂直磁各向异性Pt/(Pt/Co)n/FeMn/Pt多层膜中的Co/FeMn界面插入极薄的Pt层时,其交换偏置场有明显提高。研究结果表明:由于在Co/FeMn界面存在界面反应,破坏了(Pt/Co)n多层膜中靠近FeMn层的Co层的垂直磁各向异性,导致垂直交换偏置场Hex减弱。当在(Pt/Co)n与FeMn界面之间插入Pt层时可以有效地阻止这一反应发生,从而提高了多层膜的垂直交换偏置场Hex。
张睿刘洋金川于广华
关键词:交换偏置场垂直磁各向异性
一种提高铁磁/反铁磁交换偏置双层膜性能的方法
本发明提供了一种提高FM/FeMn双层膜交换偏置性能的方法,属于磁记录介质领域。其特征在于,在交换偏置多层膜中,在铁磁层和铁锰FeMn反铁磁层之间引入一个铂铁锰PtFeMn插层。铂铁锰PtFeMn层通过共溅射铂Pt和铁锰...
于广华刘洋金川
文献传递
Pt插层对FM/FeMn界面影响的研究
金川
关键词:交换耦合
Pt插层对NiFe/FeMn薄膜交换耦合的影响被引量:3
2008年
采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的NiFe/FeMn薄膜。在NiFe/FeMn界面插入Pt,发现交换偏置场(Hex)随着插层Pt厚度(tPt)的增加而减小。一个重要的现象是当Pt插层厚度为0.4nm时,在Hex-tPt衰减曲线并非单纯指数下降,而是出现一个"凸起"。通过对样品磁矩随Pt插层厚度的变化规律进行分析,发现随Pt插层厚度的增加,样品的磁矩先逐渐增大,然后又有所下降,并且稳定在某一值;表明在样品制备过程中,NiFe与FeMn之间的相互作用(如界面反应),使得在NiFe/FeMn界面存在磁死层,Pt的插入抑制了NiFe/FeMn界面磁死层的产生,有利于交换耦合;另一方面,Pt的插入隔离了NiFe和FeMn的直接接触,使得FeMn对NiFe的钉扎作用减弱,不利于交换耦合。两个方面的共同作用,使得当Pt插层为某一合适厚度时,Hex-tPt曲线出现"凸起"。
金川刘洋李明华于广华
关键词:交换耦合
Pt插层对NiFe/FeMn薄膜交换耦合的影响
20世纪50年代,Meiklejion 和 Bean 首先发现由于铁磁和反铁磁间的交换耦合作用引起的交换偏置现象。由于交换偏置在自旋阀巨磁电阻及磁隧道结中的应用,多年来关于铁磁/反铁磁交换耦合的研究一直为人们广泛关注。尽...
金川刘洋于广华
文献传递
Pt插层对Co/FeMn界面的影响
2009年
采用磁控溅射的方法制备了Co/FeMn/Co多层膜,研究了Co(底部)/FeMn和FeMn/Co(顶部)界面插入Pt层后磁矩的变化情况.通过测量磁滞回线可知,Co(底部)/FeMn界面的Pt插层改变了体系的饱和磁化强度Ms,随着Co层厚度(tCo)的增加Ms不断趋近于Co块体结构理论值1440kA/m.这是因为Co(底部)/FeMn界面产生了净磁矩,而界面处的Pt插层可以减少这种净磁矩的产生.但是,FeMn/Co(顶部)界面却表现出了与Co(底部)/FeMn界面不同的性质,其界面的Pt插层对磁矩影响很小.
付艳强刘洋金川于广华
关键词:磁性多层膜垂直磁各向异性交换耦合
共1页<1>
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