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郭燕

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇声表面波
  • 4篇声表面波器件
  • 4篇机电耦合系数
  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇多层膜
  • 3篇压电薄膜
  • 3篇纳米
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇声速
  • 2篇膜厚
  • 2篇纳米AL
  • 2篇金刚石
  • 2篇刚石
  • 2篇薄膜厚度
  • 2篇传播损耗
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝

机构

  • 7篇天津理工大学

作者

  • 7篇郭燕
  • 6篇孙连婕
  • 6篇陈希明
  • 6篇张倩
  • 6篇阴聚乾
  • 4篇薛玉明
  • 4篇朱宇清
  • 4篇李福龙

年份

  • 2篇2013
  • 5篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜及制备方法
一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜，为h-BN/Al/金刚石复合膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和纳米六方氮化硼h-BN膜依次叠加组成，其制备方法是采用MOCVD沉积系统制备，先对金刚石衬底表面进行表面等离子体...
陈希明张倩阴聚乾朱宇清李福龙郭燕孙连婕
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一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件及制备方法
一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件，以a-轴择优取向的AlN薄膜作为CVD金刚石衬底和c-轴择优取向ZnO薄膜之间的中间层，形成IDT/ZnO/a-轴择优取向AlN/金刚石多层膜结构并与叉指换能器IDT依次叠加构成...
陈希明郭燕薛玉明孙连婕阴聚乾张倩
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一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件及其制备方法
一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件，为IDT/c-BN/Al/金刚石多层膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和在纳米铝膜表面形成的一层纳米立方氮化硼c-BN压电薄膜组成；其制备方法是：1）采用直流磁控溅射法在纳米CVD金...
陈希明孙连婕薛玉明郭燕阴聚乾张倩
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一种多层膜结构的声表面波器件及其制备方法
一种多层膜结构的声表面波器件，由CVD金刚石薄膜、a轴择优取向的氮化铝（a-AlN）薄膜、c轴择优取向的氮化硼（c-BN）薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加组成金刚石-复合膜结构，所述CVD金刚石薄膜的厚度为20-25u...
陈希明李福龙薛玉明朱宇清张倩阴聚乾郭燕孙连婕
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一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜及其制备方法
一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜，为在单晶硅基片衬底上制备的氧化锌/铝/类金刚石复合膜结构，其制备方法是：将表面清洗干净的单晶硅基片放入脉冲激光系统的真空生长腔中，以石墨、铝为靶材，沉积类金刚石/铝薄膜；然后以氧化锌...
陈希明张倩阴聚乾朱宇清李福龙郭燕孙连婕
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高频声表面波基片(100)AlN/diamon的制备研究
随着无线电通信频带占用日益紧张，性能优良的声表面波器件正朝着高频化发展，高频声表面波“压电材料/金刚石”多层膜基片体系的研究成为研究热点。但是ZnO、LiNbO3、(002)AlN等常规压电材料的声速均低于5500m/s...
郭燕
关键词：氮化铝薄膜金刚石射频磁控溅射
一种择优取向的AlN压电薄膜及其制备方法
一种择优取向的AlN压电薄膜，由CVD金刚石衬底和a轴择优取向AlN薄膜叠加组成，CVD金刚石衬底厚度为20-25um、表面粗糙度低于5nm，a轴择优取向AlN薄膜厚度为60-80nm；其制备方法是：将清洗后的CVD金刚...
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