邵宇
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家大学生创新性实验计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb^(3+),Li^+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究被引量：3
- 2012年
- 采用高温固相法获得了一种只具有微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb^(3+),Li^+.发光性能研究结果表明:该材料对980/nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应,同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源.光存储性能研究结果表明:该材料的浅陷阱较少,因此其余辉发光很弱,不到500 s;另一方面,该材料中存在大量的深蓄能陷阱.因此,Sr_2SnO_4:Tb^3+,Li^+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料.此外,还讨论了Sr_2SnO_4:Tb^(3+),Li^+的光存储发光机理.
- 秦青松马新龙邵宇杨星瑜盛鸿飞杨靖忠尹瑶张加驰
- 关键词：TB^3+LI^+光激励发光光存储
