邓双
- 作品数：11 被引量：16H指数：2
- 供职机构：云南师范大学能源与环境科学学院可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金南省应用基础研究计划重点项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学动力工程及工程热物理化学工程更多>>
- 非晶硅薄膜的制备及晶化研究被引量：2
- 2013年
- 采用磁控溅射技术首先在玻璃基片、单晶硅片上溅射非晶硅薄膜再在其表面溅射铝膜,并用快速退火炉在不同温度下进行退火。利用台阶仪、拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征。结果表明:在功率120W,气压1.5～2.5pa,时间为3.5～4.5h的条件下可制备得非晶硅薄膜,Al诱导能降低晶化温度,并在500～600℃间存在一最佳晶化温度。
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- 关键词：非晶硅薄膜磁控溅射铝诱导晶化多晶硅
- 低温铝诱导非晶硅晶化的热力学机理研究
- 结合快速光热退火的铝诱导非晶硅晶化（AIC）因其能实现低温晶化,且结晶性能良好、晶化率可控,已成为非晶硅晶化的重要方法。其动力学过程已较为清晰,即在温度的作用下原非晶硅中的Si-Si键断裂,并通过扩散的方式进入Al膜,形...
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- 文献传递
- 一种新型耐候性平板集热器的选择性吸收涂层
- 本实用新型涉及一种新型耐候性平板集热器的选择性吸收涂层，结构为：铜衬底/缓冲层/镍-铬-氧复合金属薄膜（1）/镍-铬-氧复合金属薄膜（2）/非晶硅氧氮减反膜的耐候性平板集热器选择性吸收涂层，通过加入缓冲层能有效提高薄膜的...
- 杨雯段良飞邓双杨培志
- 文献传递
- 衬底及其温度对铝诱导非晶硅薄膜晶化的影响
- 2015年
- 利用磁控溅射镀膜技术,采用不同温度在玻璃、单晶硅衬底上溅射α-Si/Al膜,并在N_2气氛中进行快速光热退火;利用X射线衍射(XRD)仪和拉曼散射光谱仪对薄膜样品进行表征分析。结果表明:单晶硅衬底有利于α-Si/Al膜的晶化;衬底温度从室温到200℃之间逐渐升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率增加;随着温度进一步升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率又降低。单晶硅衬底上200℃时α-Si/Al膜可直接晶化。通过计算,得出衬底参数对薄膜的晶相比、晶粒尺寸、带隙及界面体积分数的调制关系。
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- 关键词：衬底非晶硅退火晶化
- 溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响被引量：4
- 2013年
- 采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1～3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响。结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光率高于80%,近红外波段的透过率及薄膜的电阻率与溅射气压成正比;折射率n随溅射气压降低呈下降趋势,其值介于1.92～2.09之间;在较低的溅射气压下(PAr=0.1 Pa)获得的薄膜电阻率最小(3.7×10-3Ω.cm),且对应着小的光学带隙(Eg=3.463 eV)。
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- 关键词：溅射气压透过率
- 溅射功率对脉冲磁控溅射沉积Cu2O薄膜结构和光学性能的影响被引量：2
- 2014年
- 利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气（O2）和氩气（Ar）的混合气氛下,在石英玻璃衬底上制备了Cu2O薄膜。研究了溅射功率对脉冲反应磁控溅射沉积法在室温下对生长Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,在O2、Ar流量比（O2/Ar）为30∶80的气氛条件下,在60~90 W的溅射功率范围内可获得〈111〉取向的Cu2O薄膜;薄膜的表面粗糙度的均方根值随溅射功率的增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300~670 nm,不同溅射功率下制备的薄膜均在430 nm附近出现明显的带边吸收,其光学带隙（Eg）在2.15~2.53 eV之间变化。
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- 关键词：溅射功率表面粗糙度光学带隙
- B掺杂ZnO纳米薄膜的结构和光学特性研究被引量：5
- 2013年
- 采用脉冲磁控溅射法制备了B掺杂ZnO(ZnO:B)纳米薄膜,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计分别研究了薄膜的结构和光学特性。结果表明:ZnO:B为多晶纳米薄膜,具有六方钎锌矿结构,且薄膜沿着c轴取向择优生长;在可见光和近红外光谱区的透光性能良好,其中在可见光区的平均透光率大于84%,而在近红外区的透光率随着波长增加而逐渐降低至45%。运用逐点无约束最优化法分析计算了薄膜的光学常数,在可见光区,ZnO:B纳米薄膜的光学常数随波长的变化很小且数值基本恒定,折射率约为2.0,而在紫外区,光学常数随波长的变化显著。
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- 关键词：光学常数透射光谱
- 铝诱导非晶硅薄膜晶化动力学研究被引量：2
- 2015年
- 为探讨其晶化过程及动力学机理,本文采用磁控溅射技术制备Al/Si薄膜,并利用快速光热退火制备微晶硅。通过采用不同的衬底温度及对铝膜进行退火处理,探究其晶化动力学过程。利用拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征。结果表明:退火及衬底加热均能在界面形成非共融的硅铝化合物;延长退火时间能使Al/Si界面充分扩散,达到成核条件。较大的铝晶粒及其择优取向,能有效改善铝诱导晶化效果。
- 张力元段良飞杨雯杨培志邓双涂晔陈小波
- 关键词：非晶硅薄膜磁控溅射动力学
- 一种太阳电池光吸收层Cu<Sub>2</Sub>O纳米薄膜的化学制备工艺
- 本发明提供了一种太阳电池光吸收层Cu<Sub>2</Sub>O纳米薄膜的化学制备工艺，属于光伏电池技术领域，通过电化学沉积制备工艺制备出纳米级Cu<Sub>2</Sub>O，使其光生载流子的平均扩散时间就会减小到1/10...
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- 文献传递
- 溅射压强对ITO/Cu_2O复合膜结构和光学性能的影响被引量：1
- 2014年
- 利用脉冲磁控溅射制备技术,以氧化铟锡（ITO）导电玻璃为基底,采用单质金属Cu靶作为溅射靶,在O2和Ar的混合气氛下沉积了Cu2O薄膜。通过调控溅射压强,研究了脉冲磁控溅射沉积法在不同溅射压强下对Cu2O薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,在O2、Ar流量比（O2/Ar）为20∶90的气氛条件下,在2-3Pa的溅射压强范围内,可获得纯相的Cu2O薄膜;薄膜表面形貌依赖于溅射压强,薄膜表面粗糙度的均方根（RMS）值随溅射压强的增大而减小;在ITO上沉积Cu2O薄膜后,薄膜的光学吸收边红移至780nm,ITO/Cu2O复合膜的光谱吸收范围拓展至300-780nm,复合膜的吸收强度随溅射压强的增大而减小,光学带隙Eg随溅射压强的增大而增大,Eg值为2.28-2.39eV。
- 自兴发杨雯杨培志邓双彭柳军
- 关键词：溅射压强表面形貌光学特性
