路朋献
- 作品数：37 被引量：78H指数：5
- 供职机构：河南工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：北京市教育委员会科技发展计划河南省科技攻关计划博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电气工程理学更多>>
- n型热电材料的研究现状被引量：1
- 2005年
- 介绍了热电发电和热电制冷的工作原理及效率,对近两年来n型热电材料研究现状进行了概述, 论及了提高热电性能的途径,指出随着能源环境危机的加剧,作为绿色环保的热电材料必将得到优先 研发并将展示出更大的应用前景。
- 马秋花路朋献
- 关键词：掺杂
- 一种高性能金刚石烧结制品的制备方法
- 本发明属于金刚石制品制备领域，涉及一种高新能金刚石烧结制品的制备方法。所述的制备方法包括以下步骤：a、按质量百分比取70～90％的预合金粉、10～30％的金刚石颗粒，混合均匀，加入临时粘接剂，密封放置12～24h；b、将...
- 赵志伟晋凯郑红娟霍少华陈利霞路朋献
- 文献传递
- 一种方钴矿纳米材料的制备方法
- 一种方钴矿纳米材料的制备方法，该制备方法以化学纯原料为前驱物，在水热、溶剂热条件下制备出无核化的La0.30Ce0.37Fe3CoSb12粉体；然后取部分首次合成的La0.30Ce0.37Fe3CoSb12粉体为成核剂，...
- 路朋献屈凌波程巧换
- 文献传递
- 铁掺杂四方、三方两相共存PZN-PZT陶瓷的Raman散射分析被引量：6
- 2007年
- Raman散射常用于研究温度变化时铁电体的各种相变,如铁电-顺电相变等,但是,利用Raman散射研究掺杂诱导的相变并不常见。本文采用Raman散射研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(PZN-PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象。通过分析四方相E(3TO)和A1(3TO)模式与三方相Rl模式,确定了铁掺杂对PZN-PZT陶瓷中三方-四方共存结构的影响。这一结果,得到了XRD相分析的验证。因此,通过对Raman散射中三方-四方振动模式的分析,可以表征掺杂诱导的PZT基陶瓷中三方-四方相结构变化趋势。
- 路朋献邹文俊许德合马秋花朱满康侯永改栗政新王春华
- 关键词：铁掺杂XRD分析
- 一种多元WC基复合材料的合成及应用
- 一种多元WC基复合材料的合成及应用，其特征包括以下步骤：a、按质量百分比取纳米氧化钨、纳米氧化钴、纳米氧化钒、纳米氧化铬、纳米还原剂碳黑与多壁碳纳米管，经混合、干燥后，置于微波烧结炉中进行碳热还原，制得多元WC基复合材料...
- 赵志伟千雁菊郑红娟左宏森路朋献王顺
- 文献传递
- Na量变化对Na_xCoO_2(x=0.5,0.6)陶瓷电子结构的影响
- 2011年
- 采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对NaxCoO2(x=0.5,0.6)进行了研究。结果表明Na0.5CoO2为直接能隙的P型半导体,带宽为1.52ev;而Na0.6CoO2为间接带隙的P型半导体,带宽为1.23ev。Co3d电子晶场的分裂,使体系呈现铁磁性,得到Na0.5CoO2和Na0.6CoO2的净磁矩分别是6μB和4μB。此外,费米面附近Na0.5CoO2的态密度较Na0.6CoO2的大且体系存在较宽的赝隙,这使得Na0.5CoO2较Na0.6CoO2有更大的Seebeck系数和电导率。
- 马秋花张景丽王改民路朋献侯永改
- 关键词：电子结构热电性能
- 水热合成碳纳米管的电化学储氢性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用水热法制备了多壁碳纳米管（MCNTs）。以X射线衍射、透射电子显微镜等手段对所制碳纳米管进行了表征：管直径在50 nm左右,长度多为520μm,管壁厚度一般不超过10nm。电化学测试表明碳纳米管的放电容量约为398mAh·g^-1,相当于1.5%的储氢量。
- 张猛闫国进路朋献
- 关键词：碳纳米管水热电化学储氢
- PZT基压电陶瓷的掺杂改性和低温烧结研究
- PZT基压电陶瓷材料具有性能稳定、机电性能优异、容易制造、价格低廉等优点，已被广泛应用于电子元器件中。而0.2PZN-0.8PZT体系和0.02PNW-0.07PMN-0.91PZT体系具有优异的压电性能和良好的烧结特性...
- 路朋献
- 关键词：压电陶瓷掺杂改性
- 文献传递
- β-FeSi_2基热电材料的研究进展被引量：12
- 2006年
- 介绍了β-FeSi2合金的基本特性和制备方法。评述了目前通过不同的元素掺杂可制得N型或P型β-FeSi2基半导体材料以及在热电性能方面取得的重要大进展。其中掺杂Co,B元素可得到N型β-FeSi2基半导体材料,且掺杂Co,在850K最大ZT值为0.4;而掺杂B,高于800K时Z值是未掺杂3￣6倍,在667K最大Z值为1.18×10-4K-1。掺杂Mn,Cu,Al可获得P型β-FeSi2基半导体材料,掺杂Mn在873K时最大Z值达2×10-4K-1;掺杂Cu可缩短β相的生成时间;掺杂Al,在743K获得的最大Z值为1.55×10-4K-1。指出通过结构优化、组分调整,进一步提高β-FeSi2基合金的热电性能。
- 马秋花路朋献
- 关键词：Β-FESI2基合金热电材料掺杂
- Nb_2O_5掺杂对PZN-PZT压电陶瓷微观结构和电性能的影响被引量：12
- 2007年
- 研究了施主掺杂离子Nb^5＋对Pb（Zn1/3Nb2/3）0.2Ti0.4Zr0.4O3 （PZN-PZT） 压电陶瓷微观结构和电性能的影响. Nb2O5加入量为0.0%～1.0%, 样品制备采用钶铁矿前驱体方法. 通过扫描电镜（SEM）和X射线衍射（XRD）分析, 确定了Nb2O5在钙钛矿主晶格中的固溶限度为0.5%左右. 少量Nb2O5能够抑制晶粒生长, 并导致四方相向三方相转变和晶体四方度的降低;而过量Nb2O5对晶粒尺寸、相转变和晶格畸变没有显著影响. 材料的电性能随Nb2O5加入量的增加而呈现极值型变化, 最优电性能在固溶限度处.
- 路朋献马秋花邹文俊侯永改王改民王春华
- 关键词：PZN-PZT微观结构电学性能
