谢晓锋
- 作品数：16 被引量：680H指数：4
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 针对带约束非线性规划问题的遗传算法被引量：2
- 2002年
- 研究了针对带约束非线性规划问题的遗传算法（CNP－GA），设计了相应的适应度函数及处理约束的方法，结合了排挤和排序以保证群体的多样性，通过邻域搜索和变异和变异算子进行联合演变，并利用多个群体的竞争得到全局解，对非线性限制规划例子的测试证明本算法是有效而可行的。
- 谢晓锋张文俊等
- 关键词：非线性规划问题遗传算法孤岛模式
- 半导体器件建模与优化系统被引量：2
- 2003年
- 随着器件尺寸的缩小 ,器件特性空间变得越来越复杂 .如果仍采用手工参数调整的方法 ,不仅需要有较好的器件物理知识 ,而且也不一定能得到合适的结果 .为节约设计时间 ,对半导体器件建模与优化系统 (MOSSED)进行了研究与实现 .该系统可以对半导体器件进行有效地建模、优化和综合 ,以得到所需要的器件 .通过一些实例对部分功能进行了说明 ,并和一些已有的系统进行了比较 .
- 谢晓锋鲁勇李钊阮骏姚依张文俊杨之廉
- 关键词：半导体器件遗传算法微粒群优化
- 在全局优化中利用参数和目标的关系
- 2003年
- 在很多全局优化问题中 ,尽管目标函数和限制条件通常为非线性的 ,但仍会遇到某些参数和某些目标之间存在一些已知的单调关系 .本文研究了在全局优化中利用参数和目标的关系以得到搜索点的不可行方向 ,由此可有效的引导优化算法在有希望的空间中开发 ,并加速演化进程 .
- 谢晓锋张文俊杨之廉
- 关键词：全局优化
- 并行演化算法在半导体器件综合中的应用
- 2006年
- 文章将并行演化算法应用于半导体器件综合,根据半导体工艺与器件综合的特点选用了主从式孤岛模型,并分析了参数对性能和加速比的影响。
- 张文俊谢晓锋马君
- 短沟道MOS阈值电压物理模型被引量：2
- 2003年
- 通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道 MOS的阈值电压模型 ,得到的 DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能很好地与数值模拟器
- 谢晓锋张文俊杨之廉
- 关键词：短沟道阀值电压MOS
- 并行演化算法在半导体器件综合中的应用
- 文章将并行演化算法应用于半导体器件综合,根据半导体工艺与器件综合的特点选用了主从式孤岛模型,并分析了参数对性能和加速比的影响。
- 张文俊谢晓锋马君
- 文献传递
- 微粒群算法综述被引量：571
- 2003年
- 讨论微粒群算法的开发与应用。首先回顾从 1995年以来的开发过程 ,然后根据一些已有的测试结果对其参数设置进行系统地分析 ,并讨论一些非标准的改进手段 ,如簇分解、选择方法、邻域算子、无希望 /重新希望方法等。介绍了一些常用的测试函数 ,以及与其他演化算法的比较。最后讨论了一些已经开发和在将来有希望的领域中的应用。
- 谢晓锋张文俊杨之廉
- 关键词：微粒群算法人工生命
- 差异演化的实验研究被引量：87
- 2004年
- 首先基于一些实例研究了差异演化(DE)的参数选择问题;然后在分析DE特点的基础上,将缩放因子F由固定数值设为随机函数,实现了一个简化的DE版本(SDE).该方法不仅减少了需调整的参数,而且对CR的参数选择更为宽松.与已有文献中遗传算法的带约束型数值优化问题的实验结果对比,表明SDE能在较少的计算次数内获得较好的结果.
- 谢晓锋张文俊张国瑞杨之廉
- 关键词：计算机算法
- 半导体器件综合方法学的研究与实现
- 研究了半导体器件综合,即自上而下的由用户所期望的器件特性出发,通过基于TCAD模拟的建模与优化方法得到可行设计参数的方法学,以便节省开发新技术或扩展现有技术的费用与时间.另外,研究了如何嵌入已知的器件参数和目标的关系,以...
- 谢晓锋
- 关键词：TCAD半导体器件演化算法
- 应用遗传算法实现的MOS器件综合系统
- 2001年
- 为实现器件综合 ,即从期望的器件性能出发得到优化的器件设计参数 ,最关键的是要选用有效的优化搜索算法。文章将遗传算法应用于实现一个器件综合的原型系统 ,并通过对 FIBMOS器件的综合设计 ,验证了遗传算法和该器件综合原型系统的有效性。
- 李钊谢晓锋张文俊杨之廉
- 关键词：集成电路遗传算法
