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袁建挺

作品数:8 被引量:8H指数:2
供职机构:兰州大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:甘肃省自然科学基金磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇发光
  • 3篇电致发光
  • 3篇有机电致发光
  • 3篇有机发光
  • 3篇载流子
  • 3篇发光器件
  • 2篇有机发光器件
  • 2篇载流子分布
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 1篇电场
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇叠层
  • 1篇叠层结构
  • 1篇性能表征
  • 1篇英文
  • 1篇有机半导体
  • 1篇有机场效应晶...
  • 1篇有机电致发光...
  • 1篇有机发光材料

机构

  • 8篇兰州大学

作者

  • 8篇袁建挺
  • 7篇彭应全
  • 5篇赵明
  • 5篇李训栓
  • 5篇杨青森
  • 4篇马朝柱
  • 3篇邢宏伟
  • 3篇宋长安
  • 2篇汪润生
  • 1篇王宏
  • 1篇孟卫民
  • 1篇谢宏伟
  • 1篇叶早晨
  • 1篇王颖
  • 1篇李荣华
  • 1篇李远飞
  • 1篇郭晗
  • 1篇张光辉

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇真空
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 5篇2009
  • 3篇2008
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
采用真空镀膜制备的叠层结构有机场效应晶体管的研究
2009年
本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层。测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性。对器件温度特性的研究表明,漏极电流随着温度的升高而增大。XRD分析表明,在Si/SiO2和Si/SiO2/Al两种衬底上蒸镀制备的CuPc薄膜呈多晶结构,且两种衬底上的CuPc薄膜晶粒尺度大致相等。
赵明李训栓宋长安马朝柱袁建挺汪润生李远飞张光辉郭晗叶早晨彭应全
关键词:真空镀膜叠层结构
有机半导体的物理掺杂理论被引量:3
2009年
基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型;研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响,并与一些报道的实验结果做了比较.研究发现无论是否掺杂,温度升高时,有机半导体中的载流子浓度都会增大,并且随温度倒数的线性减小而指数增大;对于本征有机半导体,载流子浓度随禁带宽度的增大而指数下降,随高斯分布宽度的平方指数增加;对杂质和主体不同能级关系的掺杂情形下掺杂浓度对载流子浓度的影响做了数值研究.
汪润生孟卫民彭应全马朝柱李荣华谢宏伟王颖赵明袁建挺
关键词:有机半导体掺杂载流子浓度
有机发光材料8-羟基喹啉钕的合成、表征和薄膜制备被引量:1
2009年
介绍了制备高纯度有机发光材料8-羟基喹啉钕(Ndq3)和生长Ndq3薄膜的方法。通过X-射线衍射谱、红外吸收光谱、紫外吸收光谱以及荧光光谱测试分析,对Ndq3粉末和薄膜的结构和特性进行了表征。标定了Ndq3中喹啉环的存在;计算得出Ndq3的禁带宽度为2.8eV;证实了Ndq3分子中的Nd—O键为共价键而非离子键;测得Ndq3的荧光发射光谱位于472nm(蓝光区域);证明了光激发位于喹啉环上而不是金属Nd3+上。与Al和Zn的金属螯合物相比,Ndq3中的Nd3+成键共价键较强,极化力较弱。对不同衬底温度下生长的Ndq3薄膜做了XRD分析,发现Ndq3薄膜呈多晶态,且随温度升高,衍射单峰逐渐增强,显示Ndq3薄膜的结晶性能随衬底温度的升高变好,结晶晶粒尺度也随着衬底温度的升高逐渐变大,薄膜表面形貌更加均匀。
邢宏伟彭应全宋长安杨青森李训栓袁建挺
关键词:有机发光材料性能表征
迁移率对单层有机发光器件中复合率分布的影响(英文)
2009年
以载流子运动的扩散-漂移理论为基础,利用数值方法研究了有机发光层中双极载流子注入时的电势、电场、载流子浓度和复合率分布.结果表明:当两种载流子的迁移率相同实现平衡注入,并且当空穴和电子的复合为Langevin型时,复合率的分布曲线相当理想,参与复合的空穴和电子总量远大于其他情况,由此器件的发光性能也得到更大的优化.
袁建挺彭应全杨青森马朝柱赵明
关键词:有机电致发光迁移率载流子分布
酞菁铜(CuPc)薄膜器件的制备及其电双稳特性被引量:1
2008年
一些无机半导体器件和许多有机薄膜器件都具有电双稳特性。通过对CuPc有机薄膜器件的I-V曲线的分析,说明CuPc薄膜器件具有明显的电双稳特性。研究了膜厚对器件I-V特性的影响,结果表明CuPc膜厚达到750 nm器件才表现出明显的电双稳特性,此时跳变电压为7.51 V。Ag底电极器件的转变电压(9.6 V)与ITO底电极器件的转变电压(7.47 V)不同,简要分析了造成这种区别的原因。并对器件电双稳态特性的形成机理进行了解释。
李训栓彭应全宋长安杨青森赵明袁建挺王宏
迁移率对单层有机发光器件中电场与载流子分布的影响被引量:4
2008年
有机发光器件的宏观特性与有机层中的电场和载流子浓度分布密切相关。建立的有机电致发光器件模型是由两个金属电极中间夹一层有机发光薄膜材料组成的单层器件,金属与有机发光层之间为欧姆接触。模型以载流子运动的扩散-漂移理论为基础,利用数值方法研究了有机发光层中双极载流子注入时的电势、电场、载流子浓度和复合密度分布。分析结果表明:当两种载流子的迁移率相同时,电场强度、载流子浓度、复合密度的分布呈对称形式。而当电子和空穴的迁移率μn和μp相差比较大时,高迁移率的载流子不仅仅分布在注入端附近而且还有一小部分能够传输到另一端,而低迁移率的载流子只分布在其注入端附近;当μn、μp的大小相差不大时,载流子传输情况就介于两者之间。当μn/μp的比值变化时,电场强度的极大值向载流子迁移率小的注入端偏移。
袁建挺彭应全杨青森邢宏伟李训栓
关键词:有机电致发光迁移率载流子分布
Temperature Characteristics of Bilayer Thin-Film Devices Under Organic Interface Limited Current Conduction
2008年
Temperature characteristics are important for the performance of organic thin film devices. On the basis of the hopping theory of Miller-Abrahams,an analytical model of charge transport for bilayer organic devices under the organicorganic interface limited current conduction is developed. The dependence of current, field,and carrier distribution in bilayer organic devices with the structure of "injection electrode/Layer Ⅰ/Layer Ⅱ/collection electrode" on temperature are numerically analyzed. We conclude that, for a given applied voltage, when temperature is raised, the voltage of LayerⅠ will increase,and the field will be higher. Meanwhile, the voltage of Layer Ⅲ will decrease, the field will become weaker accordingly,and the current of the device will increase.
杨青森彭应全邢宏伟李训栓袁建挺马朝柱赵明
有机电致发光器件相关问题的数值研究
近年来,有机固体电子器件的研究已经成为一个热点,并取得长足的进展,逐渐应用在现实生活中,但进一步开发稳定性好、寿命长、功耗低的电子器件是现阶段以及今后研究工作的主要目标。为了提高有机电致发光器件的性能,研究有机材料和器件...
袁建挺
关键词:发光器件电致发光器件物理机制数值模拟
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