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胡建正

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 3篇大盘
  • 2篇电极
  • 2篇电流
  • 2篇电流分布
  • 2篇叶片式
  • 2篇叶片式气动马...
  • 2篇气动
  • 2篇气动马达
  • 2篇气动系统
  • 2篇气马达
  • 2篇尾气
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇复合材料
  • 2篇复合材料层
  • 2篇复合电极
  • 2篇半导体
  • 2篇GAN基半导...
  • 2篇MOCVD
  • 2篇复合材

机构

  • 5篇上海大学

作者

  • 5篇杨连乔
  • 5篇张建华
  • 5篇胡建正
  • 2篇冯伟
  • 1篇李刚

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
MOCVD尾气驱动旋转系统
本发明公开了一种MOCVD尾气驱动旋转系统，叶片式气动马达驱动石墨大盘同轴转动，马达的气室的进气口和出气口与气动系统管路连通；气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管组成，气动系统管路主要由尾气主管、尾气分...
杨连乔胡建正张建华
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具有石墨烯电极的GaN基半导体器件及其制备方法
本发明公开了一种具有石墨烯电极的GaN基半导体器件，由衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、石墨烯薄膜层和金属电极结合形成，P型半导体层为含GaN的复合材料层，石墨烯薄膜层设有贯穿的孔道，使金属电极穿过石墨烯...
杨连乔冯伟胡建正张建华
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具有石墨烯电极的GaN基半导体器件及其制备方法
本发明公开了一种具有石墨烯电极的GaN基半导体器件，由衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、石墨烯薄膜层和金属电极结合形成，P型半导体层为含GaN的复合材料层，石墨烯薄膜层设有贯穿的孔道，使金属电极穿过石墨烯...
杨连乔冯伟胡建正张建华
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MOCVD尾气驱动旋转系统
本发明公开了一种MOCVD尾气驱动旋转系统，叶片式气动马达驱动石墨大盘同轴转动，马达的气室的进气口和出气口与气动系统管路连通；气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管组成，气动系统管路主要由尾气主管、尾气分...
杨连乔胡建正张建华
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一种垂直喷淋式MOCVD反应器的出口系统
本实用新型公开了一种垂直喷淋式MOCVD反应器出口系统。该反应器进口采用垂直喷淋式来保证进气的均匀性，出口系统由石墨大盘上晶片间隙处有规则排列的许多小出口组成，反应尾气经由小出口到达石墨盘下方后经由石墨盘下表面到达反应器...
杨连乔张建华胡建正李刚
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