翁雪涛
- 作品数：11 被引量：10H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 128×128PtSi高速逐行扫描CCD器件的研制被引量：4
- 2005年
- 采用2μm的设计规则,在硅工艺线上,成功设计和制作了128×128PtSi高速逐行扫描CCD器件。介绍了器件的结构、制作工艺和参数测试结果。
- 翁雪涛易萍唐遵烈李华高陈于伟陈红兵
- 关键词：CCD逐行扫描
- 一种具有开窗功能的行间转移CCD图像传感器被引量：1
- 2021年
- 设计制作了一款具有开窗功能的行间转移CCD,其阵列规模为640×480元,像素尺寸为7.4μm×7.4μm,可在4种窗口分辨率,即640×480元、228×480元、640×164元和228×164元下开窗工作,具备单、双通道输出信号功能,当器件窗口分辨率为228×164元、以双输出通道模式工作时,帧频能够达到500f/s,可以应用于高速目标识别领域。
- 杨洪李金白雪平任思伟袁世顺翁雪涛
- 关键词：高帧频电荷耦合器件图像传感器
- 硅衍射微透镜阵列的制作技术研究
- 2005年
- 介绍了二元光学方法制作多台阶衍射微透镜的设计和工艺过程；分析了台阶侧壁倾斜对衍射效率的影响；提出了一种基于软刻蚀技术的复制和集成新工艺。实际制作了8台阶硅衍射微透镜阵列，利用新工艺复制了硅衍射透镜阵列。
- 赖建军赵悦柯才军周宏易新建翁雪涛熊平
- 关键词：干法刻蚀二元光学
- CCD MPP结构制作工艺技术研究被引量：2
- 2009年
- 在1024×1024可见光电荷耦合器件(CCD)的基础上增加了MPP(Multi-Pinned Phase)结构设计和工艺制作。制得的1024×1024可见光MPP CCD实现了MPP功能,有效抑制了CCD表面暗电流的产生。当MPP注入剂量为(6±2)×1011cm-2时,其暗电流密度下降了2/3,满阱电荷下降了1/2。
- 雷仁方杜文佳李睿智郑渝翁雪涛李金
- 关键词：CCDMPP暗电流密度
- 高帧频CCD相机的抽帧显示技术
- 2008年
- 针对高帧频CCD相机的输出在普通监视器上不能显示的问题,研究了一种抽帧显示技术,以实现高速实时显示。采用现场可编程阵列(FPGA),将高帧频的图像数据进行行场标准制式的转换。转换后的数据经数模转换器转换成模拟信号,该模拟信号再与符合标准PAL电视制式的复合同步信号相混合,直接输出到普通监视器上显示CCD采集的图像。该显示技术不仅成本相对低廉,而且系统整体轻便,便于非办公室的场合应用。
- 温枫戴基智唐遵烈彭秀华翁雪涛
- 关键词：CCD相机高帧频FPGA
- 823×592元内线转移CCD图像传感器
- 2015年
- 采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可达30MHz,峰值响应波长位于550nm,动态范围62.6dB。
- 杨洪雷仁方郑渝吕玉冰翁雪涛
- 关键词：光电特性
- 一种内线转移可见光CCD弥散特性的模拟分析
- 2016年
- 运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析。结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450~550keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200~600keV,剂量控制在4.0×10^(12)~8.0×10^(12) cm^(-2),器件弥散特性最佳。
- 杨洪翁雪涛李立白雪平吕玉冰
- 关键词：弥散特性数值模拟
- 1024×1024全帧CCD器件被引量：1
- 2011年
- 采用2μm设计规则,在2μm工艺线上,成功研制了1 024×1 024全帧CCD器件。该1 024×1 024全帧CCD器件的有效像元数为1 024×1 024,像元尺寸为11μm×11μm,有效光敏面积为11.3mm×11.3mm,光响应波长范围为400～1 100nm。成像区域横向分为2个区,纵向分为2个区,可由1路、2路和4路输出,有9种读出模式。该器件具有2×2的像元合并功能,能作为512×512(像元尺寸为22μm×22μm)和规格的器件使用。该器件数据速率为4×40M,数据速率高。器件采用MPP工作模式,暗电流低;采用薄栅氧化,具有100krad(Si)抗辐照能力;适合在高温、辐照环境和微光环境下成像应用。
- 翁雪涛唐遵烈周建勇龙飞
- 关键词：CCD抗辐射
- 基于CCD工艺提取MOS模型的电路验证
- 2012年
- 对基于CCD工艺提取的BSIM3v3模型,在CCD片上放大器电路上进行了验证,通过在直流、瞬态和交流条件下对比电路的仿真数据和实际测试数据,验证了该模型,即提取的模型能够满足电路模拟的要求。
- 吕玉冰祝晓笑翁雪涛岳志强苏玉棉
- 关键词：CCD模型参数提取
- 基于CCD工艺的模型参数提取测试图形设计被引量：1
- 2011年
- 介绍了一套基于CCD工艺的模型参数提取用测试图形(Testchip)设计方法。该Testchip的设计充分考虑了CCD工艺特征、中测测试条件、CCD放大器特性等各种关键因素,并在对应的工艺线进行流片,得到了完整的测试数据。
- 祝晓笑石念杨洪翁雪涛
- 关键词：CCD模型参数提取
