石乔林 作品数:15 被引量:23 H指数:3 供职机构: 中国电子科技集团第五十八研究所 更多>> 发文基金: 国防科技重点实验室基金 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 更多>>
一种4-Mb高速低功耗CMOS SRAM的设计 被引量:3 2005年 高性能的系统芯片对数据存取速度有了更严格的要求,同时低功耗设计已成为VLSI的研究热点和挑战。本文设计了一款4-Mb(512K×8bit)的高速、低功耗静态存储器(SRAM)。它采用0.25μmCMOS标准工艺和传统的六管单元。文章分析了影响存储器速度和功耗的原因,重点讨论了存储器的总体结构、灵敏放大器及位线电路。通过系统优化,达到15ns的存取时间。 石乔林 李天阳 张树丹 薛忠杰关键词:静态存储器 灵敏放大器 存取时间 基于CMOS工艺平台反熔丝FPGA实现 被引量:4 2012年 由于反熔丝FPGA具有低功耗、高密度、可靠性高、抗辐射能力强以及设计上具有灵活性等优势,在军事和卫星领域得到广泛的应用。但由于工艺的限制,目前国内未见相关研究的报道。根据目前现状,利用现有的工艺,开发出一种可以与普通CMOS.Y--艺兼容的反熔丝单元。经过测试,其熔断后的电阻约为330Ω~400Ω,同时给出了基于此种反熔丝单元的阵列设计,体现了低功耗、高密度、易实现等优势。此设计不但满足了目前的工作需要,并为以后反熔丝电路的设计提供了有用的参考,为航天和军事领域的应用提供了有力的支持和保障。 陶伟 石乔林 李天阳关键词:FPGA 数字信号处理器的boot启动方法及其启动装置 本发明涉及一种数字信号处理器的boot启动方法及其启动装置。一种数字信号处理器的boot启动方法,boot程序存储在应用程序存储页内,启动页与存储boot程序的应用程序存储页页共享,通过地址译码器,启动页与存储boot程... 张梅娟 石乔林 俞光耀 张铆 包小钰文献传递 一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计 2006年 为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路.仿真测试表明,使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小. 李天阳 石乔林 田海燕 薛忠杰关键词:亚阈值电流 静态随机存储器 静态功耗 一种基于SVM的多特征参数清浊音判决算法 被引量:3 2016年 为解决低速率声码器合成语音中,由于语音帧清浊判决不够准确而造成的偶发性嘶哑、机器音较重及变调等问题,提出一种基于支持向量机(Support Vector Machine,SVM)并结合多种语音特征参数的清浊音判决优化算法。实验结果显示,该算法能够有效降低清浊音的误判率,进而使合成语音的清晰度和自然度得到改善。将本算法应用到正弦激励线性预测算法中,在与相同码率的其他算法的比较实验中,得到较高的PESQ-MOS分,显示出一定的优势。 李克靖 孙凤梅 石乔林关键词:声码器 支持向量机 特征参数 一种基于SOC的FLASH替换设计 被引量:1 2014年 文中提出了一种片上FLASH替换设计方法,在不改变原FLASH控制逻辑的情况下,通过增加接口转换逻辑,在原FLASH控制接口与新FLASH IP接口之间进行功能与时序的转换,实现片上FLASH的替换。由于固化了已有的成功设计,从而大大降低了替换修改带来的风险。通过测试仿真,输出结果在接口功能和时序上都符合新的FLASH IP的工作要求,并在某SOC的FLASH IP替换中应用。 朱学亮 刘太广 张猛华 石乔林关键词:FLASH SOC 接口 一种基于TI5416的应用程序boot方法 被引量:1 2016年 利用TI5416处理器可自定义boot程序的功能,灵活的实现了对复杂语音程序的上电自举加载.利用TI5416存储结构特点,设计了地址译码,实现了程序页共享,有效节省了存储空间容量需求. 张梅娟 石乔林 俞光耀 李晓磊基于TMS320F28335的多速率声码装置 本发明涉及一种基于TMS320F28335的多速率声码装置,其包括用于完成语音数据模数转换的模数转换器以及用于完成语音编码与控制的声码器,所述声码器采用型号为TMS320F28335的DSP芯片,声码器通过MCBSP接口... 孙凤梅 薛颜 李克靖 石乔林文献传递 一种应用于流水线ADC的采样保持电路设计 被引量:2 2015年 设计了一种应用于8位100 MHz采样频率流水线ADC的采样保持电路。采用电容翻转的主体结构及下级板采样技术,设计了使用共源共栅密勒补偿的两级运放。在不影响性能的前提下提出对传统栅压自举采样开关的改进方案,减小了栅压自举开关的面积。该采样保持电路采用CSMC0.18μm CMOS工艺,1.8 V电源电压进行设计。Spectre仿真并使用Matlab分析输出动态特性表明,电路达到了74.7 d B的无杂散动态范围(SFDR),信纳比(SINAD)为60.8 d B。 朱晓宇 居水荣 石乔林 李华关键词:采样保持 流水线ADC 大容量SRAM中长互连线RC延迟的高速译码电路的研究 被引量:2 2006年 文章分析了CMOS逻辑门驱动长互连导线时产生的延迟情况,并给出了驱动的延迟模型。在此基础上提出一种新的考虑RC延迟时高速CMOS逻辑链的设计方法。并使用上述方法设计出一款4Mb SRAM的高速译码电路。仿真表明在大扇出、大负载、长互连线的情形下,电路延迟时间仅有1.85ns。比传统的使用等效电容的优化方法快出0.12ns,电路面积节约30%,并且功耗明显的降低。 李天阳 黄义定 石乔林 薛忠杰关键词:CMOS 电路优化 SRAM 译码器