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王莎莎

作品数:11 被引量:2H指数:1
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:天津市科技计划天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇金刚石薄膜
  • 6篇金刚石
  • 6篇刚石
  • 4篇磨料
  • 4篇金刚石表面
  • 3篇等离子体刻蚀
  • 3篇抛光
  • 3篇纳米
  • 3篇刻蚀
  • 3篇机械抛光
  • 2篇导热
  • 2篇导热率
  • 2篇致密
  • 2篇制备金属
  • 2篇平坦化
  • 2篇热化学
  • 2篇纳米金刚石薄...
  • 2篇金刚石磨料
  • 2篇金属
  • 2篇基底

机构

  • 11篇天津理工大学

作者

  • 11篇王莎莎
  • 9篇王芳
  • 9篇张楷亮
  • 6篇孙大智
  • 6篇曲长庆
  • 5篇张涛峰
  • 2篇任君
  • 1篇吴小国
  • 1篇袁育杰
  • 1篇苗银萍
  • 1篇吴晓国
  • 1篇许旺

传媒

  • 1篇光电子.激光

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 6篇2011
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法
一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法,采用多步生长法来沉积纳米金刚石薄膜,具体步骤如下:1)将硅衬底用磨料进行研磨处理;2)在上述研磨处理后的硅衬底上沉积金刚石;3)对上述已沉积的金刚石薄膜表面用磨料进行研磨处理;4)在上...
张楷亮任君王芳张涛峰王莎莎孙大智
文献传递
一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法
一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法,步骤如下:1)采用热化学机械抛光工艺(TCMP)对金刚石薄膜表面大的凹凸部分进行第一次抛光处理,即将金刚石薄膜浸在抛光盘上熔融态的氧化剂中,同时用金刚石磨料对金刚石薄膜进行热化...
张楷亮王莎莎王芳曲长庆孙大智
文献传递
一种基于金刚石薄膜的LED散热基底及其制作方法
一种基于金刚石薄膜的散热基底,包括硅衬底、金刚石薄膜和过渡层,在硅衬底上制备金刚石薄膜具有硅上金刚石(DOS)结构,所述金刚石薄膜表面粗糙度在去除封端顶层和进行表面平坦化处理后为纳米量级并进行表面改性;过渡层为Ti薄膜,...
张楷亮张涛峰王芳曲长庆王莎莎
超高声速材料金刚石纳米膜制备及平坦化技术研究
张楷亮苗银萍王芳袁育杰曲长庆吴晓国王莎莎张涛峰许旺
近年来,随着无线通讯技术的高速发展,使得无线通信频带成为一个有限而宝贵的自然资源。人们对高数据传输速率的要求使得声表面波(SAW)器件的使用频率不断提高。该发展趋势迫使广大研究学者不断探索高质量超高声速材料制备技术和微细...
关键词:
一种基于金刚石薄膜的LED散热基底及其制作方法
一种基于金刚石薄膜的散热基底,包括硅衬底、金刚石薄膜和过渡层,在硅衬底上制备金刚石薄膜具有硅上金刚石(DOS)结构,所述金刚石薄膜表面粗糙度在去除封端顶层和进行表面平坦化处理后为纳米量级并进行表面改性;过渡层为Ti薄膜,...
张楷亮张涛峰王芳曲长庆王莎莎
文献传递
一种利用类金刚石复合膜进行金刚石薄膜平坦化的工艺
一种采用类金刚石复合膜法进行金刚石薄膜平坦化的工艺,步骤如下:1)以单面抛光的硅片为基底,采用常规沉积工艺制备金刚石薄膜;2)在沉积金刚石薄膜的硅片上,采用化学气相沉积法,沉积类金刚石薄膜;3)采用化学机械抛光法,对类金...
张楷亮王莎莎王芳曲长庆孙大智
文献传递
In-MOFs固载单点催化剂@光敏剂用于光催化CO2还原
利用太阳光驱动CO还原为燃料小分子,有望解决能源短缺和环境污染等问题。然而,目前光催化CO还原体系存在诸多问题,如可见光响应较弱、产物选择性较差、含有贵金属等。因此,在开发高效的光催化CO还原催化剂的同时,必须减少甚至避...
王莎莎
关键词:光催化
文献传递
一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法
一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法,步骤如下:1)采用热化学机械抛光工艺(TCMP)对金刚石薄膜表面大的凹凸部分进行第一次抛光处理,即将金刚石薄膜浸在抛光盘上熔融态的氧化剂中,同时用金刚石磨料对金刚石薄膜进行热化...
张楷亮王莎莎王芳曲长庆孙大智
基于电感耦合氧等离子体金刚石膜表面修饰的功率优化被引量:2
2011年
采用电感耦合等离子体(ICP)氧等离子体刻蚀金刚石膜,探寻金刚石膜表面处理的方法。通过分析不同ICP射频源功率和不同偏压源功率下的刻蚀速率,研究了金刚石膜刻蚀的机理作用;通过拉曼光谱进行表征,分析刻蚀前后sp2与sp3的含量。结果表明,在ICP氧等离子体刻蚀的过程中,sp3键部分转化为sp2键;刻蚀后表面粗糙度降低;当刻蚀功率较高时,可同时刻蚀sp2和sp3键,而且刻蚀sp2的速率强于sp3。在刻蚀实验及机理探索基础上优化了刻蚀功率。
张楷亮王莎莎王芳吴小国孙大智
关键词:金刚石薄膜
金刚石薄膜的制备及其平坦化研究
金刚石薄膜具有一系列优异性能,使其在多种领域得到广泛的应用,但是常规CVD金刚石薄膜晶粒度较大,呈柱状生长,表面较粗糙,同时高硬度表面也给后续抛光处理带来很大困难,限制金刚石薄膜的推广应用。因此,改善常规金刚石薄膜的表面...
王莎莎
关键词:金刚石薄膜MPCVD等离子体刻蚀表面粗糙度
共2页<12>
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