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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇溅射
  • 2篇氨化
  • 2篇GAN纳米线
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
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  • 1篇氨化合成
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  • 1篇GA
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机构

  • 3篇山东师范大学

作者

  • 3篇薛成山
  • 3篇王翠梅
  • 3篇杨利
  • 2篇王显明
  • 1篇魏芹芹
  • 1篇庄惠照

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇Journa...
  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2003
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Synthesis of GaN Nanorods with Herringbone Morphology
2003年
Hexagonal GaN nanorods are synthesized on quartz substrates through ammoniating Ga 2O 3 thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering.X ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy (SEM),high resolution transmission electron microscopy (HRTEM),and photoluminescence (PL) are used to analyze the synthesized GaN nanorods.Among the products,one dimensional GaN nanostructures owning protuberances on the surface are detected,which show interesting herringbone morphology.The analysis reveals that the herringbone GaN nanorods are polycrystalline composed of overlapping parallelepiped GaN nanocrystals arranged along the major axis.The large blue shift of yellow PL luminescence of the nanorods is observed at room temperature.
杨利庄惠照王翠梅魏芹芹薛成山
氨化反应自组装GaN纳米线被引量:4
2003年
通过氨化射频溅射工艺生长的纳米Ga2 O3薄膜 ,在石英衬底上反应自组装生成了高质量的GaN纳米线。用X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)和高分辨电镜 (HRTEM)对样品的组分、形貌和结构进行了分析。生成的GaN纳米线平直光滑 ,其直径为 2 0~ 12 0nm ,长可达 5 0 μm;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN ,沿 [110 ]方向生长。用此工艺制备GaN纳米线 ,简单新颖 。
王显明杨利王翠梅薛成山
关键词:GAN纳米线射频磁控溅射氨化
氨化合成一维GaN纳米线被引量:2
2004年
用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析。生成的GaN纳米线平直光滑,其直径为20 nm^90 nm,长可达50 祄;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN,沿[110]方向生长。用此工艺制备GaN纳米线,避免了在制备过程中引入杂质,合成的纳米线纯度较高。
王显明杨利王翠梅薛成山
关键词:氨化GAN纳米线射频磁控溅射
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