王建浩
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- P波段1500W GaN功率管设计被引量：5
- 2018年
- 报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现。功率管内部采用预匹配设计,外部电路采用同轴巴伦线和推挽电路来匹配。测试结果表明,在415~485MHz、工作电压50V、工作脉宽300μs,工作比10%的条件下,全带内实现1 500 W输出,附加效率大于71%,器件抗驻波比大于5∶1。
- 王琪王建浩陈韬杨建李相光周书同
- 关键词：P波段高功率
- 1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制被引量：4
- 2016年
- 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。
- 应贤炜王建浩王佃利刘洪军严德圣顾晓春
- 关键词：L波段微波功率晶体管
- 1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制被引量：3
- 2014年
- 通过进一步优化芯片设计与工艺设计，研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下，脉宽150μs，占空比10％，频率1．2～1．4GHz全带内，输出功率可达370W以上，增益达8．7dB，效率大于55％，具有良好的抗失配性能。
- 刘洪军王建浩丁晓明高群冯忠庸安明严德圣蒋幼泉
- 关键词：L波段
- 一种基于LDMOS器件的小型化P波段功率放大模块被引量：1
- 2013年
- 设计了一种基于LDMOS器件的功率放大模块。该模块采用高增益的SiGe HBT单片、高压LDMOS单片和大功率LDMOS器件的多级级联形式,实现长脉宽(15ms)、高占空比(33%)、高增益(48dB)以及大功率(200W)的设计要求;同时,该模块采用独特的两腔体一体化结构设计,使整个模块的体积和重量缩小为相同性能水平产品的五分之一到十分之一。
- 苑小林林川吴鹏王建浩王云燕
- 关键词：小型化P波段功率放大模块长脉宽高增益
- VHF 600 W GaN功率模块研制被引量：1
- 2021年
- 设计了一种基于GaN HEMT的功率放大模块。该模块采用高增益的GaAs单片、GaN小功率管和GaN大功率管三级级联形式。测试结果表明,模块在约220~270 MHz、工作电压46 V、工作脉宽3 ms、工作比30%的条件下,全带内600 W输出,附加效率大于75%,增益大于52 d B。
- 王建浩刘雪王琪戈硕唐厚鹭
- 关键词：VHF功率放大模块长脉宽高增益
