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王国庆

作品数:38 被引量:60H指数:5
供职机构:天津大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程建筑科学更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 13篇专利
  • 8篇学位论文

领域

  • 10篇化学工程
  • 7篇电气工程
  • 7篇一般工业技术
  • 3篇建筑科学
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇生物学
  • 1篇天文地球
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 25篇介电
  • 20篇电性能
  • 20篇陶瓷
  • 20篇介电性
  • 20篇介电性能
  • 6篇陶瓷材料
  • 6篇SN
  • 6篇TIO
  • 6篇ZR
  • 5篇烧结温度
  • 5篇微波介电
  • 5篇微波介电性能
  • 5篇介质陶瓷
  • 4篇电子陶瓷
  • 4篇电子陶瓷材料
  • 4篇中温烧结
  • 4篇介电常数
  • 3篇电子功能材料
  • 3篇氧化铌
  • 3篇预烧

机构

  • 38篇天津大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 38篇王国庆
  • 28篇吴顺华
  • 9篇苏皓
  • 7篇张志萍
  • 7篇赵玉双
  • 5篇李媛
  • 4篇王爽
  • 4篇孙萍
  • 4篇杨浩
  • 4篇石锋
  • 3篇赵康健
  • 3篇王伟
  • 3篇刘丹丹
  • 2篇张亚奇
  • 2篇陈力颖
  • 2篇王伟
  • 2篇王爽
  • 1篇陈晓娟
  • 1篇韩旭
  • 1篇杨正方

传媒

  • 5篇压电与声光
  • 3篇硅酸盐通报
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇天津大学学报...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇材料导报
  • 1篇应用科学学报

年份

  • 2篇2020
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 5篇2006
  • 9篇2005
  • 2篇2004
  • 8篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇1999
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
(Zr,Sn)TiO<,4>系统微波陶瓷研制与统计分析
该论文以(Zr,Sn)TiO<,4>系统为研究对象,讨论了实验因素(添加剂和工艺条件)对系统介电性能的影响,运用方差分析研究了这种影响的显著性,并运用回归分析对这种影响进行了定量描述.(Zr<,0.7>Sn<,0.3>)...
王国庆
关键词:微波陶瓷介电性能中温烧结方差分析
文献传递
添加剂对(Zr,Sn)TiO_4系统高频陶瓷介电性能的影响被引量:6
2003年
用一般的电子陶瓷工艺在中温 (115 0℃ )烧结条件下制备了 (Zr ,Sn)TiO4 系统多层陶瓷电容器 (MLCC)用高频陶瓷材料。通过向系统中加入CuO ,ZnO ,BaCO3 ,SrCO3 和G(玻璃 )等添加剂 ,达到了降低烧成温度并提高介电性能的效果。研究了各添加剂对系统介电性能的影响。制得的陶瓷材料具有优异的介电性能 :在 1MHz下 ,ε≈ 38,Q =1/tanδ≥ 10 4 ,ρV≥ 10 11Ω·m ,αC=(0± 30 )× 10 -6·℃ -1。
王国庆吴顺华赵玉双
关键词:添加剂介电性能中温烧结
(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷预烧和烧结工艺研究被引量:8
2003年
研究了预烧和烧结工艺对(Zr0.8Sn0.2)TiO4系统陶瓷材料介电性能的影响,发现预烧温度对介电常数ε影响不大,但预烧温度过高或过低会使介电损耗tanδ增大;在一定范围内提高烧结温度能使ε增加,但烧结温度过高或过低会使tanδ增大。XRD分析表明,在1100°C预烧,1150°C烧结的该系统主晶相是(Zr0.8Sn0.2)TiO4。该系统具有优良的介电性能(1MHz):ε≈38,tanδ≤10-4,体电阻率ρv≥1013·cm,温度系数αc=0±30×10-6/°C。
王国庆吴顺华颜海洋
关键词:预烧介电性能
添加Sb_2O_5,ZnO和玻璃对(Zr_(0.7)Sn_(0.3))Ti_4陶瓷高频介电性能的影响被引量:4
2003年
用氧化物混合方法制备了主晶相为 (Zr0 .7Sn0 .3)TiO4的高频陶瓷材料。添加Sb2 O5,ZnO和玻璃有效降低了陶瓷的烧成温度和介质损耗。添加 0 .5 %Sb2 O5(摩尔分数 ) ,1.5 %ZnO(质量分数 )和 3.0 %玻璃 (质量分数 )的陶瓷组成在 115 0℃烧结 ,在测试频率 1MHz下的介电性能为 :介电常数ε≈ 38,损耗角正切tanδ=0 .6× 10 - 4 ,介电常数温度系数αε=0± 30× 10 - 6 /℃ ,体电阻率 ρv≥ 10 1 3Ω·cm。用此种陶瓷材料可在中温烧结制成多层陶瓷电容器 (multilayerceramiccapacitor,MLCC)
吴顺华王国庆陈力颖
关键词:介电性能
添加剂对Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Sr(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响被引量:2
2003年
研究了MnCO3,BaZrO3对 0 .35Ba(Zn1 /3Nb2 /3)O3(BZN) -0 .65Sr(Zn1 /3Nb2 /3)O3(SZN)陶瓷介电性能的影响。研究表明 :添加MnCO3,BaZrO3时 ,对陶瓷的烧结均起促进作用 ,增大介电常数。加入 1% (质量分数 )的MnCO3可使陶瓷具有较小的介质损耗 ,同时MnCO3对陶瓷的介电常数温度系数具有正向调整作用。加入BaZrO3后通过生成液相而减少了第二相Ba5Nb4O1 5,BaNb2 O6 的生成。所制备的 ( 0 .35BZN -0 .65SZN) +0 .1%MnCO3陶瓷的εr≈ 43.6,αε≈ -8× 10 - 6 /K ,tanδ =0 .6× 10 - 4 ,且烧结温度低于 130 0℃。
石锋吴顺华韩旭王国庆
B a-,Sr-基A(B'_(1/3)B″_(2/3))O_3型复合钙钛矿化合物的结构(上)有序行为及理论研究被引量:1
2005年
比较全面地介绍了A(B'1/3B″2/3)O3型复合钙钛矿系化合物的有序结构及其对介电性能的影响,阐明了1∶2长程有序、1∶1短程有序形成的机理及其特征。1∶2有序是B'与B″离子以“B'∶B″∶B″…”的比例沿<111>方向交替排列;而1∶1有序是B'和B″离子沿<111>方向呈1∶1层状交替排列,一般认为B位离子形成(B'2/3B″1/3)1/2∶B″1/2为1∶1的混合型有序排列,即沿<111>方向,(B'2/3B″1/3)1/2和B″1/2呈相间层状排列;长程有序和短程有序可同时存在并在一定条件下相互转化。介绍了对A(B'1/3B″2/3)O3型复合钙钛矿系化合物有序结构的理论研究成果:静电模型和第一性原理。
吴顺华王国庆石锋
关键词:离子化合物第一性原理介电性能
(Zr_(0.7)Sn_(0.3))TiO_4陶瓷性能预报的支持向量回归模型被引量:2
2005年
将支持向量回归方法用于(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷的配方性能关系研究中,分别建立了(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷介电常数和损耗角正切的支持向量回归模型,并与逆传播人工神经网络、多元线性回归模型进行了比较.用留一法分别检验了支持向量回归、逆传播人工神经网络和多元线性回归3种不同模型的预报能力,结果表明:上述3种模型对于(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷介电常数的留一法预报的平均相对误差分别为1.083%、1.632%、1.931%,对于损耗角正切的留一法预报的平均相对误差分别为0.999%、1.746%、1.414%.因此,支持向量回归模型的预报能力较好,可望在陶瓷配方设计中的多变量、非线性问题和小样本体系中发挥较好的作用,为新型介电陶瓷的性能预报和配方优化提供一条全新可靠的途径.
翟文华陆文聪刘旭陈念贻王国庆
关键词:介电性能支持向量机支持向量回归
高频陶瓷电容器的陶瓷材料及其制造方法
本发明公开了一种高频陶瓷电容器的陶瓷材料及制造方法。所述的高频陶瓷电容器的陶瓷材料主要成分为(Zr<Sub>0.7</Sub>Sn<Sub>0.3</Sub>)TiO<Sub>4</Sub>化合物,并且含有CuO、ZnO...
吴顺华王国庆王爽王伟苏皓杨正方
文献传递
添加剂Mn和烧结温度对Ba(Zn(1/3)Ta(2/3))O3体系介电性能的影响被引量:4
2005年
用氧化物混合法制备Ba(Zn1 /3Ta2 /3 )O3 (BZT)体系高频陶瓷材料,研究了添加剂Mn的添加量和烧结温度对体系介电性能的影响.Mn起助溶剂的作用,降低了BZT体系的烧结温度,并改善了体系的介电性能.实验表明,添加 1. 000Mn的BZT陶瓷具有最优的介电性能,其主要工艺条件和性能参数是,烧结温度 1 550℃,在 1MHz下ε为 25±5,tanδ不超过 0. 2×10-4,aC为(0±30)×10-6 (℃)-1.
吴顺华王爽王国庆王伟
关键词:介电性能烧结温度
钽镁酸钡纳米粉体的制备和复相微波介质陶瓷及制备方法
本发明属于电子功能材料技术领域。本发明公开了一种钽镁酸钡纳米复相陶瓷,本发明设计出一种成本低廉、高效简便地合成钽镁酸钡纳米粉体的湿化学工艺路线,并以合成的钽镁酸钡纳米粉体作为添加剂(6~12wt%)通过传统电子陶瓷工艺制...
吴顺华王伟孙萍张亚奇王国庆苏皓
文献传递
共4页<1234>
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