您的位置： 专家智库 > >

王一

作品数：62 被引量：17H指数：2
供职机构：贵州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金贵州省科学技术基金贵州省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 21篇期刊文章
  • 4篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 16篇理学
  • 15篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 8篇扫描隧道显微...
  • 7篇分子束
  • 7篇分子束外延
  • 6篇探针
  • 6篇控制器
  • 6篇STM
  • 6篇GAAS(0...
  • 5篇支撑脚
  • 5篇水产
  • 5篇水产饲料
  • 5篇饲料
  • 5篇金属
  • 5篇表面形貌
  • 4篇垫板
  • 4篇电化学
  • 4篇液滴
  • 4篇搅拌
  • 4篇半导体
  • 4篇GA
  • 4篇INAS

机构

  • 62篇贵州大学
  • 13篇贵州财经大学
  • 7篇教育部
  • 3篇贵州师范大学
  • 3篇贵州省微纳电...
  • 1篇黔南民族医学...

作者

  • 62篇王一
  • 39篇丁召
  • 38篇郭祥
  • 29篇罗子江
  • 19篇杨晨
  • 17篇王继红
  • 10篇赵振
  • 9篇李荣隆
  • 7篇黄梦雅
  • 7篇王继红
  • 5篇陶猛
  • 4篇周勋
  • 4篇张正丽
  • 4篇王阳
  • 2篇杨晨
  • 2篇刘健
  • 2篇刘珂
  • 2篇魏节敏
  • 2篇周清
  • 2篇胡明哲

传媒

  • 5篇原子与分子物...
  • 3篇物理学报
  • 3篇材料导报
  • 3篇真空科学与技...
  • 2篇功能材料
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇化学试剂
  • 1篇大学物理
  • 1篇贵州科学
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 14篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 16篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
共 62 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种可夹持薄片的原子力显微镜样品台
本实用新型公开了一种可夹持薄片的原子力显微镜样品台，包括：底座，所述底座上表面固定连接两导板，两导板相互平行，两导板端部相互对齐，两导板相对的面上设有滑槽，滑槽与底座上表面平行；定位块，所述定位块包括2块，定位块两侧固定...
王一王阳宋家勇郭祥王继红李军丽杨晨丁召
文献传递
表面形貌对GaAs生长速率测量的影响
2023年
本文利用Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED)强度振荡测量GaAs同质外延生长,发现其生长速率随生长厚度按一定指数函数关系衰减.这种衰减与GaAs表面形貌的变化密切相关,表面台阶数量的增加使层状生长模式由2D成核模式逐渐转变为台阶流模式.由于RHEED强度振荡所测的生长速率与表面的粗糙程度密切相关,表面情况改变对生长速率会有一定的影响,导致测量的生长速率逐渐的衰减.根据生长速率随生长厚度的增加而衰减的拟合曲线,可以获得一个准确的生长速率.
江玉琪张丹懿王一王一郭祥
关键词：RHEEDGAAS表面形貌生长速率STM
一种水产饲料生产用成品填充装置
本发明公开了一种水产饲料生产用成品填充装置，包括固定杆、入料盖、输料管、固定装置、控制面板和垫板，所述固定杆的内侧装设有竖向导轨，且竖向导轨的右侧设置有滚轮，所述滚轮的外侧安装有活动块，且活动块的右侧固接有连接杆，所述储...
李荣隆魏思瑶王一龙飞帆
文献传递
一种STM探针针尖制备装置
本实用新型公开了一种STM探针针尖制备装置，包括：直流电源；底座；金属圈，金属圈位于探针夹持孔正前方，金属圈与直流电源的正极电连接；轻触开关，所述轻触开关串联在金属圈与直流电源之间；探针夹持座，所述探针夹持座上设有与探针...
王一郭祥王继红李军丽杨晨罗子江丁召
文献传递
电化学液膜法腐蚀制备STM探针及其扫描应用被引量：1
2016年
高质量的扫描探针是保证扫描隧道显微镜的超高分辨率的关键。为了制备出原子级分辨能力的探针,本文设计了新型制备扫描隧道显微镜探针装置。该装置在成功避免了传统制备方法的缺点同时,在制备可控性上有了很大的提高。基于此装置,采用电化学腐蚀的方法制备出扫描隧道显微镜探针,扫描电镜表征探针针尖显示尖端异常尖锐。应用于实际Ga As(001)表面扫描可以获得原子级分辨的扫描图,从而进一步证明了利用该新装置可以制备高质量STM探针针尖。
丁万周勋王一
关键词：液膜法电化学法
一种高稳定性的土木工程学习用测绘仪安装座
本实用新型公开了一种高稳定性的土木工程学习用测绘仪安装座，包括有底座，底座的底端设有固定桩，底座的上端连接有支撑座，支撑座的顶部设有锁紧块，支撑座的两侧活动连接有连杆，连杆的一端经转轴活动连接有支撑脚，连杆与支撑座之间设...
王一吴垒张永雄陈丹
文献传递
一种金属异形工件加工用新结构固定夹具
本发明提供一种金属异形工件加工用新结构固定夹具，包括调节滑槽，夹紧装置，转盘，高度调节槽，第一螺柱，调节螺套，第二螺柱和夹紧块；所述工作台的两侧开设有两处调节滑槽；所述夹紧装置安装于调节滑槽上；所述调节螺杆插设于环槽中并...
陶猛王一魏思瑶
文献传递
基于液滴外延技术变Al、Ga组分对GaAs表面液滴生长形貌的影响
2022年
液滴外延技术不仅适用于晶格失配,也适用于晶格匹配材料系统,且易于制备低维半导体结构,如低密度量子点、环等.本文研究了液滴外延法在GaAs表面进行不同Al、Ga组分的量子点生长.在实验中用反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction, RHEED)对样品进行原位监控.通过控制Al、Ga液滴的沉积速率来控制液滴同时沉积在衬底上形成的组分.研究发现,随着Al组分的增加,量子点逐渐变得密集,润湿角变低.在Al组分增高超过0.5之后,出现了大小不一的量子点,且量子点密度出现指数型增长.对此进行研究分析,给出了一个经验公式,并就现象进行了解释.
李家伟丁召丁召李耳士宋娟蒋冲王一罗子江王一
关键词：成核
Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析被引量：2
2018年
在As_4束流等效压强为1.2×10^(-3)Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545℃(±1℃);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比θ正比于退火温度,即θ∝Τ.退火温度540℃条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20<θ<0.25;退火温度为545℃时,推测退火时间约为55-60 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.
王一杨晨杨晨杨晨郭祥魏节敏王继红罗子江丁召
关键词：ALGAAS退火
GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程被引量：2
2014年
采用STM以及RHEED技术对于GaAs(001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过GaAs(001)在不同As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是GaAs(001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态;多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式;当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。
罗子江周勋王继红郭祥王一魏文喆丁召
关键词：STM
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0