您的位置： 专家智库 > >

潘岳

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇存储器
  • 4篇淀积
  • 2篇电压
  • 2篇势垒
  • 2篇微电子
  • 2篇离子注入
  • 2篇空位
  • 2篇变电
  • 2篇变电压
  • 1篇导电
  • 1篇低阻
  • 1篇底电极
  • 1篇电极
  • 1篇氧化层
  • 1篇氧化物
  • 1篇自对准
  • 1篇误读
  • 1篇肖特基
  • 1篇料层
  • 1篇介质层

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇黄如
  • 6篇潘岳
  • 5篇蔡一茂
  • 3篇黄英龙
  • 3篇谭胜虎
  • 3篇唐昱
  • 3篇毛俊
  • 2篇刘业帆
  • 2篇林増明
  • 2篇罗长宝
  • 2篇李强
  • 2篇张丽杰
  • 2篇杨庚雨
  • 1篇杨庚宇

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器包括：顶电极、底电极以及二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层和第二氧化层；第一氧化层为靠近顶电极的完全配比的氧化层；第二氧化层为靠近底电极的...
黄如李强蔡一茂刘业帆潘岳余牧溪
文献传递
一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器包括：顶电极、底电极以及二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层和第二氧化层；第一氧化层为靠近顶电极的完全配比的氧化层；第二氧化层为靠近底电极的...
黄如李强蔡一茂刘业帆潘岳余牧溪
文献传递
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N<Sup>+</Sup>离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N<Sup>+</Sup>的移动实现空位导电通道的形成和断...
黄如谭胜虎毛俊蔡一茂潘岳杨庚雨唐昱黄英龙林増明罗长宝
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N<Sup>+</Sup>离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N<Sup>+</Sup>的移动实现空位导电通道的形成和断...
黄如谭胜虎毛俊蔡一茂潘岳杨庚雨唐昱黄英龙林増明罗长宝
文献传递
一种利用MIM电容结构制备非挥发性存储器的方法
本发明公开了一种利用标准CMOS工艺的MIM电容结构制备非挥发性存储器的方法，属于超大规模集成电路技术领域。本发明首先基于标准CMOS工艺制备MIM电容结构，然后对MIM电容的介质层进行掺杂形成阻变材料层，从而制备得MI...
黄如张丽杰潘岳
文献传递
一种阻变存储器的制备方法
本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：在衬底上制备底电极；然后采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化，形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物，作为阻变材料层；最后在上述阻变材料层上制备顶电极。本发...
黄如谭胜虎张丽杰潘岳黄英龙杨庚宇唐昱毛俊蔡一茂
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0