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沈健

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
相关领域:自然科学总论理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 2篇扫描隧道显微...
  • 2篇显微镜
  • 1篇电压
  • 1篇多晶
  • 1篇修饰
  • 1篇石墨
  • 1篇输运
  • 1篇微镜观察
  • 1篇物质输运
  • 1篇显微镜观察
  • 1篇脉冲电压
  • 1篇STM
  • 1篇
  • 1篇LANGMU...
  • 1篇LB膜
  • 1篇表面物理
  • 1篇表面修饰

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇北京大学

作者

  • 3篇庞世瑾
  • 3篇沈健
  • 2篇马自力
  • 1篇江龙
  • 1篇薛增泉

传媒

  • 2篇云南大学学报...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1993
  • 2篇1992
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
扫描隧道显微镜在石墨表面的物质输运
1992年
扫描隧道显微镜目前已成为表面纳米级加工的重要工具.为了对目前尚不清楚的表面改性机理进行研究,我们选择了高定向石墨样品,在扫描过程中在针尖与样品间施加针尖为正的脉冲电压,对由此引起的表面改变作了连续记录.改变脉冲参数,我们在实验过程中发现了许多新的现象:当脉冲电压小于5V,连续的脉冲可以产生一连串的洞,从第一个洞到最后一个洞有逐渐变小的趋势;脉冲电压在5~10V之间,当针尖在脉冲前后都能容易的得到原子相时,我们发现了连续的脉冲能产主洞与突起交替出现的现象;脉冲电压大于10 V,针尖与样品表面作用强烈,形成的洞明显增大,而且在第一个脉冲形成洞后,第二个脉冲形成的洞中有小突起.对这些现象加以分析,我们认为脉冲电压使得针尖与样品间发生物质交换,从而形成石墨表面的物质输运.
沈健竺长新马自力庞世瑾
关键词:显微镜脉冲电压石墨
用扫描隧道显微镜观察LB膜的表面结构
1992年
本实验利用扫描隧道显微镜(STM)在纳米级尺度分析了LB(LangmuirBlodgett)薄膜的表面结构和形态.实验中利用Langmuir槽,将花主酸镉(Cd-arachidate)和大豆磷脂(Soybean phospholipid) 单分子层或两分子层膜分别制备到高定向裂解石墨(HOPG)和多晶铂(Pt)基底上.STM观测结果表明,LB膜的成膜稳定性与基底形态和挂膜条件有很大关系.花生酸镉(CdA) 和大豆磷脂(SP)的实验结果都表明处在HOPG基底表面缺陷或台阶附近的膜较位于平坦区域的稳定性更好.从具有分子分辨的花生酸镉(CdA)的STM图象可以看出,在HOPG基底上两层CdA膜按正交晶系排列.尽管多晶铂(Pt) 基底并非是原子级平整,STM仍然在这种基底上在小范围内观察到了CdA的分子按一定规则排列的表面形貌象.STM还得到了具有有序排列和磷脂分子分辨的在HOPG基底上的大豆磷脂LB膜的表面形貌象.另外,实验结果还显示出在STM对有机薄膜研究中其针尖的作用不容忽视,实验中有时针尖会将处在平坦基底上的LB膜从基底表面扫走.
竺长新沈健马自力庞世瑾陈庆修江龙
关键词:显微镜LANGMUIR
用扫描隧道显微镜对材料进行表面修饰的研究被引量:1
1993年
扫描隧道显微镜(STM)是对材料表面进行表面修饰(surface modification)和表面原子操纵(atomcraft)的重要工具。为了了解其机理,选择了场蒸发阈值从大到小有代表性的钨、铂、金、铜做针尖,扫描过程中在针尖与石墨表面之间施加针尖为正的脉冲电压,获得了一些新现象,并对实验结果作了比较,从而在一定程度上确定了脉冲制STM表面修饰实验中针尖与样品之间电场的重要作用。
马自力竺长新沈健庞世瑾薛增泉
关键词:STM表面修饰表面物理
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