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杨晟

作品数：13 被引量：106H指数：6
供职机构：武汉理工大学更多>>
发文基金：长江学者和创新团队发展计划教育部重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 7篇多晶
  • 7篇多晶硅
  • 7篇硅薄膜
  • 6篇多晶硅薄膜
  • 6篇非晶硅
  • 6篇非晶硅薄膜
  • 4篇铝诱导晶化
  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇低温晶化
  • 3篇退火
  • 3篇金属
  • 3篇ITO薄膜
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇溅射法
  • 2篇光电

机构

  • 13篇武汉理工大学
  • 2篇武汉工程大学

作者

  • 13篇杨晟
  • 12篇赵修建
  • 11篇夏冬林
  • 5篇徐慢
  • 3篇王树林
  • 2篇倪佳苗
  • 2篇周学东
  • 1篇王慧芳
  • 1篇沈峰
  • 1篇郝江波
  • 1篇李蔚
  • 1篇潘震
  • 1篇赵青南
  • 1篇韩建军
  • 1篇龚勇宏
  • 1篇肜建娜

传媒

  • 3篇武汉理工大学...
  • 2篇材料导报
  • 1篇感光科学与光...
  • 1篇玻璃与搪瓷
  • 1篇真空
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇纳米科技
  • 1篇2005(第...

年份

  • 1篇2010
  • 9篇2006
  • 3篇2005
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究被引量：6
2006年
采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火,成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法,研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程。实验结果表明,铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1 h晶化为较好的多晶硅薄膜,而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。
杨晟夏冬林徐慢赵修建
关键词：铝诱导晶化低温晶化非晶硅薄膜多晶硅薄膜
直流磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜及性能研究被引量：21
2006年
以10%质量分数SnO2和90%质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜,研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和光电性能的影响。实验结果表明:ITO薄膜的方块电阻随衬底温度的升高而下降,而可见光透过率增大;ITO薄膜可见光透过率和方块电阻随氧分压的增加而增大。
夏冬林杨晟王树林赵修建
关键词：直流磁控溅射ITO薄膜衬底温度透过率
铝诱导晶化P型非晶硅薄膜实验研究被引量：6
2005年
利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积硼掺杂P型非晶硅薄膜，采用铝诱导晶化法（AIC）在氮气气氛保护下进行退火处理制备出P型多晶硅薄膜，研究了不同厚度的金属铝膜和热处理温度对非晶硅薄膜的微观结构、表面形貌的影响。实验结果表明：铝膜相对厚度越厚，对a—Si的晶化诱导效果则越好，在一定温度条件下，相对较厚的铝膜可以缩短a—Si晶化为polv-Si的时间，并且能使a—Si的晶化更加完整，产生尺寸较大的硅晶颗粒。在铝膜厚度相同，退火温度相同的条件下，热处理的时间越长，则晶化发生的程度越深，晶化越为彻底。
夏冬林杨晟赵修建
关键词：非晶硅多晶硅铝诱导晶化退火
铝诱导晶化P型非晶硅薄膜实验研究
本文利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积硼掺杂P型非晶硅薄膜,采用铝诱导晶化法(AIC)在氮气气氛保护下进行退火处理制备出P型多晶硅薄膜。文章研究了不同厚度的金属铝膜和热处理温度对非晶硅薄膜的微观结构、表面形貌的影响。
夏冬林杨晟赵修建
关键词：功能材料多晶硅薄膜铝诱导晶化
文献传递
磁控溅射法制备CeO_2-TiO_2紫外吸收薄膜被引量：5
2006年
采用射频磁控溅射在玻璃基片上沉积具有紫外吸收CeO2-TiO2混和薄膜。通过制备一系列不同物质的量浓度比的，n（CeO2）：n（TiO2）靶材（1．0：0，0．90：0．10，0．80：020，0．70：0．30，0．60：0．40，0．50：0．50，0．40：0．60，0．30：0．70，0．20：0．80，0．10：0．90，0：1．0），研究其紫外吸收性能最佳的物质的量浓度比：TiO2加入CeO2后，改变CeO2的结晶状态并提高UV吸收．采用Raman和XPS表征薄膜的特性，物质的量浓度比值在n（CeO2）：n（TiO2）=0．5：0．5，0．6：0．4时，薄膜为非晶态，并具有高的紫外吸收（98％）和可见光透过率（70％-80％）；XDS分析表明薄膜存在（F^4＋，Ce^3＋和Ti^4＋。
周学东倪佳苗赵修建杨晟龚勇宏肜建娜
关键词：磁控溅射
薄膜太阳能电池被引量：46
2006年
薄膜太阳能电池作为一种新的能源材料正在得到迅速的发展和进步,主要介绍了非晶硅、多晶硅薄膜太阳能电池以及CIGS薄膜太阳能电池,通过比较这几种薄膜太阳能电池各自的特点阐述了各种薄膜太阳能电池的发展状况。
徐慢夏冬林杨晟赵修建
关键词：太阳能电池
金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜被引量：8
2006年
以氢气稀释的硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为poly-Si薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强.
夏冬林杨晟徐慢赵修建
关键词：快速退火
铝诱导非晶硅薄膜快速低温晶化研究被引量：5
2006年
采用金属铝诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜。研究了不同的退火温度对a-S i薄膜晶化的影响,采用XRD,R am an,SEM等测试手段分析了实验结果。实验结果发现非晶硅薄膜在400℃下退火20 m in薄膜仍为非晶结构(a-S i),在450℃下退火20 m in后非晶硅开始晶化且随着温度的升高,且晶化程度加强。
徐慢夏冬林杨晟赵修建
关键词：非晶硅薄膜多晶硅薄膜
ITO薄膜直流反应磁控溅射制备及性能研究被引量：8
2005年
以90wt%In 和10wt%Sn 铟锡合金为靶材.采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备 ITO 透明导电薄膜。用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD 和 SEM 分别测试了 ITO 薄膜的紫外可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌。研究了氧分压对 ITO 薄膜性能的影响。实验结果表明.ITO 薄膜随着氧分压的增加.薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带向短波长方向漂移。随着氧分压的增大.ITO 薄膜的方块电阻增加.结晶程度变好,晶粒尺寸变大。
夏冬林杨晟王树林赵修建
关键词：ITO光电性能导电薄膜半导体材料
金属诱导非晶硅薄膜低温晶化研究
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源，也是清洁、不产生任何环境污染的能源。多晶硅薄膜在长波段具有高光敏性，对可见光能有效吸收，且具有与晶体硅一样的光照稳定性，被公认为高效、低耗的最理想的光伏器件材料。多晶硅薄膜太阳...
杨晟
关键词：非晶硅薄膜多晶硅薄膜金属诱导晶化太阳能电池
文献传递
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