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p型ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性研究被引量：7: 2012年; 采用电子束蒸发技术在石英衬底上制备了ZnO薄膜,以N离子注入的方式及后期退火处理实现N掺杂ZnO薄膜.借助拉曼散射光谱、透射光谱和霍尔测试等手段研究了ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性.结果表明:所有样品均呈现ZnO纤锌矿结构,在ZnO:N薄膜拉曼光谱中发现与N相关的振动模式(位于272.5,505.1和643.6cm-1),分析表明N已掺入ZnO薄膜中;霍尔测试表明,通过适当退火处理后,ZnO:N薄膜向p型转变,其空穴浓度为7.73×1017cm-3,迁移率为3.46cm2V-1s-1,电阻率为2.34Ωcm.然而,长期进行霍尔跟踪测试发现ZnO:N薄膜的p型性能随时间并不稳定,结合拉曼散射光谱和第一性原理计算分析认为由于p-ZnO:N薄膜中存在残余压应力,同时薄膜中还出现了易补偿空穴的施主缺陷(N2)O是p型不稳定的根本原因.; 李万俊孔春阳秦国平阮海波杨天勇孟祥丹赵永红梁薇薇方亮; 关键词：拉曼光谱稳定性第一性原理

N离子注入ZnO:Mn薄膜的特性研究: ZnO材料在室温下的带隙约为3.37eV，激子结合能高达60meV，在紫外发光器件、紫外激光器件、太阳能电池、压电器件等领域的应用前景非常广阔，近年来受到人们的广泛关注。同时，具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体(DMSs...; 杨天勇; 关键词：射频磁控溅射室温铁磁性; 文献传递

衬底温度对ZnO∶Mn薄膜结构及光电性质的影响: ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，常温下带宽为3.3eV，激子束缚能高达60meV，具有很好的光电和压电特性，在紫外发光器件、紫外激光器件、压电器件、太阳能电池、透明导电薄膜等诸多方面都具有广泛的应用...; 杨天勇孔春阳阮海波秦国平黄桂娟李万俊梁薇薇孟详丹赵永红方亮; 关键词：半导体薄膜射频磁控溅射法衬底温度光电性能表面形貌; 文献传递

N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展被引量：3: 2011年; 获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位(NO)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表明N基二元共掺(N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜。为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状。; 李万俊孔春阳秦国平阮海波杨天勇梁薇薇孟祥丹赵永红; 关键词：P型ZNO薄膜稳定性

衬底温度对ZnO:Mn薄膜结构及光电性质的影响: 采用射频磁控溅射法在不同衬底温度下制备了ZnO:Mn薄膜,借助X射线衍射、场发射扫描电镜、荧光光谱、霍尔测试等手段分析了衬底温度对薄膜结构及光电性质的影响。研究表明衬底温度的升高不仅可以改善薄膜的结晶质量和表面形貌,提高...; 杨天勇孔春阳阮海波秦国平黄桂娟李万俊梁薇薇孟详丹赵永红方亮; 关键词：衬底温度光电性能光致发光; 文献传递

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杨天勇