杜云辰
- 作品数：21 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国载人航天工程基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术轻工技术与工程更多>>
- 金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究被引量：5
- 2014年
- 采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了短波器件,器件性能较好黑体DλP*可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。
- 王仍焦翠灵徐国庆陆液张可峰杜云辰李向阳张莉萍邵秀华林杏潮
- 关键词：气相外延拉曼光谱
- 一种用于碲镉汞气相外延的多功能石墨舟
- 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延的多功能石墨舟，该石墨舟由石墨底座、石墨盖板、石墨掩片、石墨垫片四本部分组成，石墨掩片和石墨垫片可分别放入石墨底座内，石墨盖板置于石墨掩片和石墨垫片上部，对石墨底座进行密封。该石墨舟可以...
- 王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
- 文献传递
- 高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管
- 本专利公开了一种高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管，该石英套管由99.99999％的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭，一端开口的圆柱体结构，开口端与封闭门相连。石英限位管为圆...
- 王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
- 文献传递
- 一种碲化锌晶体空间生长用石英安瓿
- 本发明公开了一种碲化锌晶体空间生长用石英安瓿。它是一种石英双层结构安瓿。内部是样品石英坩锅，依次装入材料、石英塞子，将其在真空下熔融封装，石英坩锅两头要求平坦。然后将石英坩锅及减振材料按顺序安装，填入石英安瓿外管内，抽真...
- 陆液林杏潮张莉萍陆荣邵秀华王仍焦翠灵张可锋杜云辰
- 文献传递
- 一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法
- 本发明公开了一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法，在常规前道工艺中，晶体锭条经内圆切割以后形成一定厚度的晶片，然后经过热蜡贴片工艺进行研磨和精抛。但蜡的引入很难去除干净，在后继的外延工艺中会引入污染。即使经过热三氯乙烯沸腾热...
- 王仍李向阳焦翠灵张可峰杜云辰张莉萍林杏潮陆液邵秀华
- 文献传递
- Hg_(1-x)Cd_xTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究被引量：1
- 2015年
- 利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料纵向组分分布与通过能谱测量的样品截面组分变化趋势一致.用光伏器件的制作工艺,选取气相外延生长的Au掺杂中波材料,制备了10元线列器件,测试结果表明器件性能较好,95K黑体D*λP可达4.20×1011(cm·Hz1/2·W-1).
- 焦翠灵王仍张莉萍林杏潮邵秀华杜云辰陆液
- 关键词：碲镉汞雪崩光电二极管红外透射光谱
- 离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究被引量：1
- 2015年
- 本文利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体,发现180μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.通过分析不同温度下的迁移率谱,表明表面电子层的迁移率不随温度而变化,而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高2—3个数量级.
- 徐国庆刘向阳张可锋杜云辰李向阳
- 关键词：离子束刻蚀
- 一种高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管
- 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的石英套管，该石英套管由99.99999％的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭，一端开口的圆柱体结构，开口端与封闭门相连。石英限位管为圆...
- 王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
- 文献传递
- 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法
- 本发明公开了一种高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法。利用水平区熔技术、低真空条件、载料舟以及带有通气孔和回流接收槽的载料舟盖，将真空蒸馏、真空脱气和区熔熔炼多种提纯方法融合在一起，从而实现通过一套设备和工艺实现高纯半导...
- 张可锋林杏潮张莉萍邵秀华王仍焦翠灵陆液杜云辰宋坤骏李向阳
- ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响
- 2017年
- 研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退,表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电阻率增加。分析认为增大的压强使得材料内部产生了更多的填隙Hg离子,增强了载流子受到的电离杂质散射作用;同时材料内部也产生了更多的缺陷,极化声子散射作用也因此加强。由此解释了在流片过程中出现的某一批次碲镉汞光导器件性能的恶化是该批次器件ICP刻蚀工艺中的气压参数增加所致。
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- 关键词：电学特性
