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0.9Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5))O_3-0.1PbTiO_3/PbTiO_3多层薄膜制备及铁电性研究: 2015年; 以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3/PbTiO3铁电多层薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量.研究发现,原位生长的薄膜已经具备了较好的铁电性,这为(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-x0.1PbTiO3薄膜的低温制备提供了可能性.经过退火后,薄膜的铁电性略有下降,高温下铅的损失可以很好的解释这一现象.; 李雪冬刘洪吴家刚刘刚肖定全朱建国; 关键词：铁电性电滞回线退火

0.9Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-0.1PbTiO_3/0.65Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.35PbTiO_3多层薄膜的制备及铁电性研究: 2015年; 以LaNiO_2做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO_2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O 3-0.1PbTiO 3/0.65Pb(Mg_(1/2)Nb_(2/3))O_3-0.35PbTiO_3铁电多层薄膜。采用两步法在峰值温度650℃和700℃对薄膜进行退火。通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量。研究发现,650℃退火的薄膜有较好的铁电性,其剩余极化2P_r9.5μc/cm^2,矫顽场2E_c=42.2 kV/cm,100 kV/cm场强下漏电流密度为31μA/cm^2。700℃退火的薄膜铁电性有所下降,2P,=3.1μc/cm^2,但薄膜却具有很低的矫顽场,2E_c=22.6 kV/cm。分析认为,铁电性的退化与高温下薄膜中异质结间的相互作用及挥发性元素Pb和Mg的损失密切相关。; 李雪冬刘洪吴家刚刘刚肖定全朱建国; 关键词：铁电性电滞回线

PSTT10／45多层铁电薄膜的制备与表征: aNiO3(LNO）做缓冲层，在SiO2／Si基底上用射频磁控溅射法制备出具有钙钛矿结构的(PSTT10／45)5多层铁电薄膜(PSTT10，0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3)和(PSTT45，...; 严东旭李雪冬郭红力余萍朱建国; 关键词：射频磁控溅射钙钛矿晶体结构表面形貌

用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备非晶态氮化硅薄膜: 2005年; 探讨如何用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备制备非晶态氮化硅介质膜和光学膜。通过改变工艺条件中的微波功率、硅烷(S iH4)、氮气(N2)、氩气(Ar)流量、样品台温度等,控制和优化氮化硅(S iNx)折射率和生长速率,得到了各工艺条件对氮化硅(S iNx)折射率和生长速率影响曲线;通过测量用本方法制备的高反膜系的反射率,证实了镀光学膜时理论值与实际值符合的很好。; 李雪冬; 关键词：氮化硅生长速率

(PSTT10/45)_4多层薄膜铁电性研究: 2015年; 以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出[0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTi 3/0.55Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.45PbTiO3]4铁电多层薄膜。采用两步法在峰值温度800℃对薄膜进行退火。通过x射线衍射分析了薄膜的物相结构,通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量。研究发现,薄膜展现出高度(100)取向的钙钛矿结构和增强的铁电性,其剩余极化2Pr=26.2μc/cm2,矫顽场2Ec=53.9 k V/cm,100 k V/cm下漏电流密度为1.87×10-4A/cm2。分析了铁电性增强和漏电流增大的可能原因。; 李雪冬刘洪吴家刚刘刚肖定全朱建国; 关键词：铁电性

不同退火方式对0.7BiFeO_3-0.3PbTiO_3薄膜的铁电性能及漏电流的影响: 2011年; 利用溶胶凝胶法在LaNiO3/SiO2/Si衬底上制备了0.7BiFeO3-0.3PbTiO3(BFPT7030)薄膜,研究了快速退火及常规退火两种不同的后续退火处理方式对薄膜铁电性能及漏电流性能的影响.XRD测试表明,经快速退火处理的BFPT7030薄膜结晶完好,呈现出单一的钙钛矿相.SEM测试结果显示,经快速退火处理的BFPT7030薄膜结晶充分,但经常规退火处理的BFPT7030薄膜表面致密性较好,且在升温速率为2℃/min时薄膜的晶粒更细小.经快速退火处理的BFPT7030薄膜的铁电性能较为优异,在升温速率为20℃/s时,其剩余极化Pr为22μC/cm2,矫顽场Ec为70 kV/cm,并具有较小的漏电流.XPS测试结果表明,经常规退火处理的BFPT7030薄膜其铁离子的价态波动较小.; 李海敏郭红力李雪冬刘果肖定全朱建国; 关键词：溶胶凝胶快速退火

0.9Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5))O_3-0.1PbTiO_3铁电薄膜漏电流机制: 2015年; 以 LaNiO3做缓冲层，用射频磁控溅射法在 SiO2/ Si（100）衬底上制备出0.9Pb（Sc0.5 Ta0.5）O3﹣0.1Pb-TiO3铁电薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.分析了薄膜的漏电流机制，研究表明，薄膜漏电流在低场强下（﹤32kV/ cm）符合欧姆（热电子发射）导电机制并受到晶界限制行为的影响，在中场强下（32~85kV/cm）空间电荷限制电流（SCLC）机制占据优势，在高场强下（85~100kV/ cm）富勒﹣诺丁海姆（FN）隧穿机制起主导作用.; 李雪冬刘刚刘洪吴家刚肖定全朱建国; 关键词：铁电薄膜漏电流

两步法快速退火对PMN-PT薄膜结构和性能的影响: 2011年; 采用射频磁控溅射法在LaNiO3(100)/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.65Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3(PMN-PT)铁电薄膜,采用两步法快速退火法对制备的PMN-0.35PT薄膜进行了不同工艺的后处理。实验结果表明,在LaNiO3上溅射的PMN-PT薄膜呈现高度的(100)取向。对PMN-PT薄膜测试表明,在合适的两步法快速退火处理时,可以获得表面平整颗粒饱满,且铁电性能很好的薄膜,其剩余极化强度(2Pr)可以达到24μC/cm2,平均粗糙度为7.4nm,在室温1kHz的测试频率下,εr和tanδ分别为545和0.062。; 郭红力刘果李雪冬肖定全朱建国; 关键词：射频磁控溅射

两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响被引量：2: 2009年; 采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜。研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响。实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完全钙钛矿结构且呈(220)取向。PSTT5薄膜的铁电性能测试结果也表明,采用两步法RTA处理的PSTT5薄膜具有更好的铁电性能,其剩余极化强度(2Pr)可达25.4μC/cm2。; 孙宇澄李雪冬周圆苑朱基亮肖定全朱建国; 关键词：射频磁控溅射

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李雪冬