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李蜀萍: 作品数：19 被引量：133H指数：6; 供职机构：安徽师范大学环境科学与工程学院更多>>; 发文基金：安徽省教委基金国家自然科学基金安徽高等学校省级自然科学研究项目更多>>; 相关领域：理学医药卫生生物学农业科学更多>>

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自动电位滴定法快速测定建筑材料中低浓度氯离子的含量被引量：5: 2014年; 本文提出了利用复合银电极自动电位滴定仪测定水泥中微量氯离子含量的方法。试验采用了简单的前处理步骤,确定了样品溶解（酸）及酸度的选择、共存离子的干扰去除等主要因素,建立了一种准确、快速测定水泥中微量氯离子含量的分析方法。在最佳试验条件下,对8种标准水泥样品进行了测定,所得回收率均在98.6%～99.8%之间,说明此法样品前处理简单高效,测试结果准确可靠,能适用于水泥中微量氯离子的测定,是对国标方法的补充。; 李蜀萍罗文华徐苗青; 关键词：自动电位滴定法氯离子建筑材料

磷钼杂多阴离子薄膜修饰电极及其应用——循环伏安法测定植酸中无机磷被引量：13: 1992年; 本文采用含磷10μg/ml的5×10^(-3)mol/L钼酸铵-0.5mol/L硫酸-20％(V/V)丙酮溶液为电极修饰液,制备了性能优良的以玻碳为基体的PMo_(12)薄膜修饰电极,并应用于植酸中无机磷的测定。检测限为0.04μg/ml磷;相对标准偏差(n=5)为4.32％,加标回收率为98％～108％。本法还可应用于植酸及其它含磷试样的分析。; 陈灵因李蜀萍赵飞明周宏标; 关键词：修饰电极植酸磷

不同营养水体对喜旱莲子草化感抗藻的影响被引量：6: 2012年; 基于植物化感原理,通过水培实验,模拟在蒸馏水、标准培养液(BG11营养液)和巢湖湖水(富营养化水体)3种不同营养状态的水体下,研究外来入侵植物喜旱莲子草不同培养时期的活体植株和不同腐解时期的残体植株对铜绿微囊藻生长的影响,同时还测定了喜旱莲子草活体植株种植水和残体植株腐解液的pH值和氧化还原电位的变化。结果表明,1)在不同水体营养状态下,喜旱莲子草具有抗藻的潜势,活体植株和残体植株在不同时期均显著抑制迟滞期的铜绿微囊藻(P<0.01),且残体植株抑制作用更强;不同营养水体中喜旱莲子草化感抗藻潜力差异显著(P<0.05),其中活体植株对铜绿微囊藻的抑制效应为:蒸馏水>富营养化湖水>标准BG11营养液,残体植株为:富营养化湖水>标准BG11营养液>蒸馏水。2)两类材料均显示相似的化感抗藻动态,抑制作用先逐渐增强,5d内达到对铜绿微囊藻较高抑制率(活体植株最高抑制率为70.7%;残体植株为91.7%),随后抑制率逐渐趋于稳定。3)喜旱莲子草活体种植水与残体植株腐解液理化性质显著不同(P<0.05),pH值和氧化还原电变化与溶液、时间、材料等因素有关。; 叶良涛钱家忠左胜鹏李蜀萍陈雅琼; 关键词：水体营养状态喜旱莲子草铜绿微囊藻化感作用入侵管理

微分脉冲阳极溶出伏安法连续测定葛花中微量锌、铜被引量：4: 2000年; 微分脉冲阳极溶出伏安法测定葛花中微量锌和铜 .在 0 .0 1mol/L的高氯酸溶液中 ,锌、铜均有良好的溶出峰 .测定结果与原子吸收光谱法以及光度法相符 .方法简便、反应灵敏、准确度高 .Zn2 + 在 0～ 0 .8ug/ml、Cu2 + 在 0～ 0 .; 张庭廷周宏标李蜀萍; 关键词：葛花锌铜豆科

血红蛋白在PSS/SWNTs/Au电极上的电化学行为及其与利巴韦林的相互作用研究: 本文研究了固定在PSS/SWNTs膜修饰金电极上的血红蛋白的直接电化学行为.固定的血红蛋白在0.1M磷酸缓冲液(pH=7.0)中出现一对稳定、峰形较好的氧化还原峰,其表观电势(E0')约为0.117V(vs.SCE),E...; 张玉忠程旺兴李蜀萍; 关键词：血红蛋白利巴韦林电化学行为; 文献传递

硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极的研究和应用——线性扫描伏安法测定水中可溶性硅酸盐被引量：5: 1995年; 本文研究了以玻碳电极为基体的1:12硅钼杂多酸根(SiMo_(12)O_(40)^(4-)简称12-MSA)修饰电极的制备及其电化学行为,将12-MSA电极应用于线性扫描伏安法测定天然水中可溶性硅酸盐,结果满意.硅浓度在8.0×10^(-7)～1.7×10^(-3)mol/L,相对标准偏差(n=7)为1.85％,加标回收率为98.2％～103.6％,SiMo_(12)电极具有优良的选择性和稳定性。; 陈灵因李蜀萍; 关键词：硅钼杂多酸修饰电极伏安法水分析

氯乙酰氯的合成与气相色谱分析方法被引量：10: 2000年; 介绍了氯乙酰氯的性质、应用以及合成方法 .开发了以氯乙酸为原料 ,用亚硫酰氯进行氯化反应 ,“一锅法”合成氯乙酰氯 ,并且提高了产品纯度和收率 .将氯乙酰氯用乙醇醇解转化成酯 ,进行气相色谱定量分析 .; 商永嘉顾家山胡继萍王修然李蜀萍; 关键词：氯乙酰氯亚硫酰氯气相色谱

硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极线性扫描伏安法测定黑液中可溶性硅被引量：2: 1995年; 本文报导了以玻碳电极为基体的１：１２硅钼杂多阴离子薄膜化学修铈电极的制备及其电化学特性。并应用于导数伏安法测定。在４．０×１０￣（－３）ｍ０ｌ／Ｌ（ＮＨ＿４）＿６ＭＯ＿７Ｏ＿（２４）－６．８×１０￣（－２）ｍｏｌ／ＬＮａ＿３Ｃｉｔ－０．４８ｍｏｌ／ＬＮＨＯ＿３体系中，硅浓度在８．３×１０￣（－７）～１．７×１０￣（－３）ｍｏｌ／Ｌ范围内与峰电流呈良好线性关系，检测限为８．０×１０￣（－７）ｍｏｌ／Ｌ。对可溶性硅（以ＳｉＯ＿２计）为２４５．０５ｍｇ／Ｌ的黑液，稀释１０倍后，取２．００ｍＬ平行测定９次，ＲＳＤ为０．５８％，加标回收率在９７．３％～１０４．４％间。; 陈灵因赵广超李蜀萍; 关键词：硅钼杂多酸硅黑液伏安法修饰电极

银微盘电极上碘离子的示差脉冲溶出伏安法被引量：20: 1997年; 基于Ｉ－能与Ａｇ＋生成难溶化合物特性，在银微盘电极上研究了Ｉ－的示差脉冲溶出伏安法（ＤＰＳＶ）。该法不需镀汞，不要搅拌，可在较稀的支持电解质溶液中实施。于０．０８ｍｏｌ／ＬＨＡｃ－ＮａＡｃ及０．０１ｍｏｌ／ＬＥＤＴＡ介质中，能检出１．００×１０－８ｍｏｌ／Ｌ的Ｉ，Ｉ－的浓度为５．００ × １０－８～１．２０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ范围与峰电流有良好的线性关系。该法用于自来水中Ｉ－的测定，相对偏差为４．３％；标准加入回收率为９４％，用于加碘食盐中Ｉ－的测定，与标准分析法比较，相对误差为－４．０％。; 方宾李蜀萍方惠群陈洪渊; 关键词：溶出伏安法碘离子