李康
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件
- 本发明提供一种在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及由该方法制得的石墨烯和制备石墨烯器件的方法，该方法包括以下步骤：采用对SiC衬底图形化的制备技术，在SiC衬底表面形成图形阵列；对图形化的SiC衬底进行热分解，在SiC...
- 陈小龙郭丽伟林菁菁李康贾玉萍王文军王刚
- 文献传递
- 在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件
- 本发明提供一种在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及由该方法制得的石墨烯和制备石墨烯器件的方法，该方法包括以下步骤：采用对SiC衬底图形化的制备技术，在SiC衬底表面形成图形阵列；对图形化的SiC衬底进行热分解，在SiC...
- 陈小龙郭丽伟林菁菁李康贾玉萍王文军王刚
- 霍尔条微器件
- 本实用新型公开了一种霍尔条微器件。该霍尔条微器件包括：衬底；凸台，位于衬底上并具有预定的霍尔条形状，并具有平整的上表面；以及薄膜层，由拓扑绝缘体材料在凸台的表面上外延生长而成，且具有与凸台相对应的形状。本实用新型在制备三...
- 李康欧云波何珂马旭村
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- 高长宽比的石墨烯条带的制备
- 石墨烯,零带隙的二维半导体材料,由于其特殊的电子结构,从而使它具有高迁移率(大于15000cmV)、弹道输运以及反常量子霍尔效应等新奇的电学性质,有望成为替代硅的下一代集成电路材料。石墨烯条带,由于量子限域效应以及边缘效...
- 林菁菁贾玉萍李康黄青松郭丽伟陈小龙
- 关键词：石墨烯半导体材料电子结构电子束刻蚀
- 霍尔条微器件
- 本发明公开了一种霍尔条微器件。该霍尔条微器件包括：衬底；凸台，位于衬底上并具有预定的霍尔条形状，并具有平整的上表面；以及薄膜层，由拓扑绝缘体材料在凸台的表面上外延生长而成，且具有与凸台相对应的形状。本发明在制备三维拓扑绝...
- 李康欧云波何珂马旭村
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- 在碳化硅衬底上外延大面积、均匀石墨烯
- 石墨烯,一种完美二维晶体,由于其优异的电学性质,被认为是非常有前途的纳米电子材料,并且有希望代替硅成为下一代大规模集成电路的材料。目前,制备石墨烯的方法主要有:剥离法,化学分离法以及碳化硅外延法等。其中前两种方法制备的石...
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- 一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法
- 本发明公开了一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法，这种垂直站立的石墨烯条带通过生长过程中的压力和温度来控制其密度和长宽比，通过延长生长时间来增加条带高度或长度。这种垂直站立的高长宽比的纳米石墨烯条带做为冷阴...
- 陈小龙黄青松王刚王文军王皖燕郭丽伟林菁菁贾玉萍李康彭同华
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- SiC外延石墨烯的XPS研究
- 石墨烯(graphene)是C原子SP杂化、紧密堆积而成的单层蜂窝状结构的准二维晶体,具有诸如无质量的狄拉克费米子,弹道输运,室温量子霍尔效应,高迁移率等奇特性质。所以当2004年首次采用石墨剥离法制备出石墨烯,并在实验...
- 李康林菁菁贾玉萍黄青松郭丽伟陈小龙
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- 碳化硅外延石墨烯的超导电性研究
- 965年首先在石墨插层化合物(graphite intercalated compound,GIC)C8K中发现超导电性之后[1],人们相继在其他不同结构的碳材料中通过掺杂实现了超导电性,例如零维的C60[2],一维的碳...
- 李康何珂刘国东马旭村
- 关键词：超导插层化合物
- 一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法
- 本发明公开了一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法，这种垂直站立的石墨烯条带通过生长过程中的压力和温度来控制其密度和长宽比，通过延长生长时间来增加条带高度或长度。这种垂直站立的高长宽比的纳米石墨烯条带做为冷阴...
- 陈小龙黄青松王刚王文军王皖燕郭丽伟林菁菁贾玉萍李康彭同华
