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施一生

作品数:4 被引量:8H指数:2
供职机构:盐城师范学院物理科学与电子技术学院更多>>
发文基金:江苏省高校自然科学研究项目更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信理学核科学技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇硅化钨
  • 2篇SI薄膜
  • 2篇X
  • 2篇WSI
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇电子结构
  • 1篇电阻率
  • 1篇亚铁磁性
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇子结构
  • 1篇钯合金
  • 1篇量程
  • 1篇宽量程
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇建材
  • 1篇合金
  • 1篇反铁磁性

机构

  • 2篇盐城师范学院
  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 4篇施一生
  • 2篇赵特秀
  • 2篇王晓平
  • 1篇季航
  • 1篇郭学哲
  • 1篇刘宏图
  • 1篇梁齐
  • 1篇王俊华
  • 1篇翁惠民
  • 1篇张开明
  • 1篇张飞

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇实验室研究与...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2003
  • 2篇1994
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
多层溅射方法制备WSi_x/Si薄膜技术研究被引量:1
1994年
采用多层溅射技术制备了不同成分的WSix/Si薄膜,然后利用真空退火形成硅化钨.对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究.结果表明这种技术具有以下特点:可以通过控制成分得到不同晶格结构的硅化物薄膜,可在硅衬底上形成浅接触,还可以防止金属钨的氧化.
王晓平赵特秀施一生季航梁齐
关键词:XRD硅化钨
多层溅射制备WSi_x/Si薄膜的电阻率特性研究被引量:2
1994年
利用多层溅射技术制备了WSi_x/Si薄膜,然后测量其平面电阻的退火行为,发现平面电阻在600-700℃之间退火后有陡降,这对应于非晶WSi_x薄膜中W_5Si_3四角相的形成。x射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化,它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。
王晓平赵特秀刘宏图施一生翁惠民郭学哲
关键词:硅化钨溅射电阻率
Fe_(1-x)Pd_x合金电子结构和磁性的理论研究被引量:5
2003年
Fe1 -xPdx 合金的磁性强烈地依赖于其结构以及Pd的相对含量 .从第一性原理出发 ,用线性缀加平面波 (LAPW)方法 ,分别计算了x =0 0 0 ,0 2 5 ,0 5 0 ,0 75 ,1 0 0的情况下 ,面心立方 (fcc)和体心立方 (bcc)结构的Fe1 -xPdx 合金的电子结构和基态磁性 .随x的增大 ,fcc结构的Fe1 -xPdx 合金的磁性从铁磁性或者反铁磁性变为亚铁磁性 ,再从亚铁磁性变为铁磁性和顺磁性 ;bcc结构的Fe1 -xPdx 合金从铁磁性减弱到顺磁性 ,预言了fcc结构的Fe1 -xPdx 合金可能存在亚铁磁相 .并较好地解释了有关Fe1 -xPdx
施一生
关键词:电子结构铁磁性反铁磁性亚铁磁性
宽量程放射性剂量检测装置
2012年
设计了一种智能化、功耗低、量程宽、剂量线性好、使用便捷的微型建材放射性检测仪,硬件由89S51单片机、显示控制器、时钟电路、存储器、按键、探测电路及电源等组成。该装置达到高、低档自动转换,满足量程高、低端线性要求。该剂量仪成本低廉、准确度高、抗干扰能力强,而且性能稳定,达到了预期的设计目的,可方便地检测住宅放射性剂量是否安全,也可用于核辐射实验室、核工业等常规监测。
王俊华施一生张开明张飞
关键词:建材放射性单片机
共1页<1>
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