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基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器: 基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器属于半导体光电子技术领域，是一种可同时实现高响应度、高截止频率的光敏晶体管(UTC-DHPT)探测器。本发明包括：一InP衬底，利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD...; 霍文娟谢红云江之韵张良浩张万荣; 文献传递

采用有源电感的小面积宽可调范围VCO: 2016年; 为了实现电感-电容压控振荡器(LC VCO)的全集成和小面积,同时使其振荡频率具有较宽的可调范围和较低的相位噪声,采用差分有源电感和Q值增强共源共栅电路结构,对LC VCO进行设计。采用差分有源电感代替螺旋电感,减小了芯片面积,并利用有源电感的可调性,增大了振荡频率的可调范围。采用Q值增强共源共栅电路结构,增加了LC VCO的输出功率和Q值,进而减小了相位噪声。基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,采用Cadence仿真工具对LC VCO进行仿真验证。结果表明,LC VCO振荡频率的可调范围高达129%,在偏离最大振荡频率1MHz处,最低相位噪声为-121.4dBc/Hz,直流功耗为11mW,优值FOMT(考虑到调谐范围)为-193.6dBc/Hz。; 邓蔷薇张万荣金冬月谢红云刘鹏王忠俊陈鹏辉王肖张良浩; 关键词：压控振荡器相位噪声

单载流子传输双异质结光敏晶体管频率特性分析(邀请论文)被引量：1: 2015年; 为了缓解光敏晶体管探测器在响应度和响应速度优化时存在的矛盾并提高响应度和响应速度,分析了单载流子传输(uni—travelling—carrier,UTC)双异质结光敏晶体管(double hetero-junction phototransistor,DHPT)中光生载流子对发射结结电容和集电结结电容的影响,建立了UTC—DHPT的频率特性模型.基于所建模型,研究了UTC—DHPT在电学晶体管工作状态(double hetero-junction transistor,DHBT)、基极光偏置的二端工作模式(two terminal,2T)和基极光电混合偏置的三端工作模式(three terminal,3T)的光电流增益和光学特征频率.结果表明:UTC—DHPT比传统的单异质结光敏晶体管(single hetero-junction phototransistor,SHPT)有更好的频率特性,3T工作模式下的UTC—DHPT可以同时提供高响应度和高响应速度.; 谢红云孙丹张良浩江之韵刘硕张万荣; 关键词：光敏晶体管高频特性

超宽带双重增益控制电路: 超宽带双重增益控制电路实现了超宽带增益可变双重控制技术，该电路包括一个超宽频带内大范围增益可变电路和一个超宽频带内动态信号增益可变电路。该电路可以用于超宽带接收系统中，共同作用实现超宽带可变增益放大器的大范围增益可变和超...; 谢红云孙丹张良浩刘硕张万荣; 文献传递

采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器被引量：4: 2016年; 射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中PIN二极管的正向偏压来实现.基于带有PIN二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试结果表明在频率为1.8GHz时,控制电压从0.6V到3.0V的变化范围内,增益可调范围达到15d B;噪声系数低于5.5d B,最小噪声系数达到2.6d B.整个控制电压变化范围内输入输出匹配均保持良好,线性度也在可接受范围内.; 张良浩谢红云赵彦晓张万荣江之韵刘硕; 关键词：可变增益放大器 PIN二极管小信号等效电路锗硅异质结双极晶体管射频

一种电流舵结构大范围连续可变增益LNA被引量：1: 2017年; 设计了一款应用于4G(TD-LTE)的可变增益低噪声放大器(VGLNA)。输入级采用共栅极跨导增强结构,实现了电路的输入阻抗匹配,并且加入共栅极噪声抵消电路,降低了电路的噪声系数;第2级采用改进型电流舵结构,实现了电路的增益大范围连续可变;输出级采用源跟随器,实现了良好的输出阻抗匹配。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,利用安捷伦射频集成电路设计工具ADS2009进行仿真验证。结果表明:在1.88~2.65GHz频段内,该LNA在2.7~39.3dB增益范围内连续可变,且输入端口反射系数S_(11)小于-10dB,输出端口反射系数S_(22)小于-20dB,最小噪声系数NF为2.6dB,最大3阶交调点IIP3达到2.7dBm。; 刘鹏张万荣金冬月谢红云王忠俊邓蔷薇陈鹏辉张良浩王肖; 关键词：TD-LTE 电流舵可变增益低噪声放大器

兼有高Q值、高电感值、高线性度的新型全差分有源电感被引量：3: 2015年; 联合采用Cascode拓扑、电阻反馈网络和电流前馈技术,提出了一款兼有高Q值、高电感值、高线性度的可调谐的Cascode新型全差分有源电感。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,利用安捷伦公司的射频仿真工具ADS完成了有源电感的设计与仿真验证,应用Cadence Virtuoso工具完成了版图的绘制。结果表明,通过改变差分有源电感外加偏置,可以实现Q和电感值的可调,在1.2 GHz时Q值达到了最大值2 653,并且在此频率下电感值也高达15.563 n H,同时电感的线性度与没加电流前馈时相比提高了11.3 d BV。; 邓蔷薇张万荣金冬月谢红云王忠俊刘鹏陈鹏辉王肖张良浩; 关键词：有源电感

横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参量的影响被引量：1: 2016年; 为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参数的影响,通过Jazz 0.35μm BiCMOS SiGe HBT的Y参量,得出了在不同横向结构参数下SiGe HBT的小信号模型参数.结果表明:增加发射极条宽、条长、条数时,小信号模型中的等效电阻值减小、等效电容增大、跨导也增大.在此基础上,分析了SiGe HBT横向结构参数对合成的有源电感特性的影响.在设计不同性能的有源电感时,所得结果对有源器件横向结构参数的选取有一定的指导意义.; 赵彦晓张万荣谢红云黄鑫张良浩金子超付强; 关键词：SIGE HBT

晶体管合成电感: 本发明提供了一种晶体管合成电感，包括：隔直流电容，第一跨导放大器，第二跨导放大器，反馈晶体管，第一电流镜，第二电流镜。两个跨导放大器分别为一个正跨导放大器与一个负跨导放大器，两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器把第二...; 赵彦晓张万荣张良浩谢红云黄鑫邓蔷薇金冬月; 文献传递

基于双重增益控制技术的超宽带可变增益放大器的设计: 超宽带无线接收系统具有高数据传输率和高抗干扰能力等优点，自动增益控制单元是其重要模块之一。超宽带可变增益放大器是自动增益控制单元的核心部分，可以根据输入信号的功率大小对信号增益幅度进行调整，保证稳定的信号输出。一定带宽内...; 张良浩; 关键词：放大器超宽频带平坦度

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张良浩