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张春萍

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电池
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇热蒸发
  • 1篇热蒸发法
  • 1篇阈值电压
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇溅射
  • 1篇光电转换
  • 1篇光电转换效率
  • 1篇XO
  • 1篇ZN
  • 1篇CUO
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇X

机构

  • 2篇杭州电子科技...
  • 1篇浙江大学

作者

  • 2篇张春萍
  • 1篇毛启楠
  • 1篇季振国
  • 1篇冯丹丹
  • 1篇柯伟青

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
CuO薄膜的制备及其光伏特性研究
在石油、煤炭等传统能源消耗量日益增长的今天,具有可再生和清洁无污染等优点的太阳能电池越来越受到人们的重视。目前,太阳能电池的研究热点主要集中在两个方面:一方面,提高转换效率,实现规模化生产,降低电池成本;另一方面,努力探...
张春萍
关键词:禁带宽度磁控溅射太阳能电池热蒸发法光电转换效率
文献传递
利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压被引量:1
2010年
利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加。I-V特性曲线表明,基于Al/Zn1-xMgxO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节。上述现象表明,Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn1-xMgxO薄膜中电子的本征跃迁有关。
季振国张春萍冯丹丹柯伟青毛启楠
关键词:阈值电压
共1页<1>
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