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非晶态Ge1 Sb2 Te4原位加热TEM及PDF方法研究: 相变存储被认为是最具潜力的新一代存储技术(三星公司已将其用于该公司部分手机中),引起了人们的广泛关注.相变存储通常是利用材料在晶态与非晶之间的电阻率或折射率的差异,来进行'0','1'的存储.作为相变存储材料一般要求以下...; 张斌谷立新张滔刘显强韩晓东张泽; 关键词：透射电子显微镜电子衍射; 文献传递

非晶Ge2 Sb2 Te5晶化过程的原位透射电镜研究: 相变存储器是利用相变材料(如Ge2Sb2Te5)在晶态与非晶态时差距明显的电阻值实现数据存储,并利用两相之间迅速可逆的相变过程来实现'0''1'转变.尽管人们对于相变过程进行了大量研究,至今为止,对于相变材料的相变机制仍...; 邵瑞文郑坤张斌张滔邓青松姜颖韩晓东张泽; 关键词：晶化过程原位透射电镜; 文献传递

Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响被引量：1: 2013年; 通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征。发现薄膜的晶化温度随着Sb含量的增加先升高后降低;XRD分析表明Sb含量的不同导致薄膜晶体结构的不同,GeTe-9.9%Sb和GeTe-21%Sb为GeTe型立方结构,GeTe-58%Sb,GeTe-72%Sb和GeTe-81.5%Sb呈Sb型菱方结构。在GeTe型和Sb型结构中,薄膜的晶粒尺寸都与晶化温度变化趋势相反。原位加热实验证实了Sb的加入对薄膜结晶机制产生了很大影响,GeTe-9.9%Sb是典型的形核主导,而GeTe-72%Sb则更趋向于生长为主导的结晶机制。; 谷立新周夕淋张斌张滔刘显强韩晓东吴良才宋志棠张泽; 关键词：相变材料晶化温度透射电镜

新型相变存储材料TiSbTe薄膜的原位热处理及其微结构演化: 大数据时代，信息技术的发展对数据存储器件的存储能力提出了更高的要求，近些年来发展了多种新型存储原理与技术，而相变存储器(PCM)则被认为是最具潜力的下一代主流存储器。在外加脉冲作用下，相变存储材料会在非晶态与晶态之间快速...; 陈永金张斌李昂韩晓东张泽; 关键词：原位晶化

Ag掺杂对Ge2 Sb2 Te5结晶行为的影响被引量：3: 2014年; 通过磁控溅射仪制备了Ge2Sb2Te5(GST)和Ag10.6(GST)89.4薄膜,利用X射线衍射(XRD)、电阻-温度(RT)测试、透射电子显微学以及径向分布函数(RDF)等方法对比研究了GST和Ag10.6(GST)89.4的结晶过程和微观结构及其演化的差异。发现掺Ag的薄膜非晶态、晶态电阻均比GST更高,而且结晶过程只有非晶相到面心立方相(fcc)的转变,没有出现GST的非晶到fcc再到六方相(hcp)的过程,XRD分析进一步证实了这一结果。同时,透射电镜原位加热实验证实了在300℃时,Ag10.6(GST)89.4仍然保持着fcc结构,而GST中已经出现了hcp相。通过统计230℃下时效处理的晶态薄膜的晶粒尺寸,发现Ag10.6(GST)89.4的平均晶粒尺寸小于Ge2Sb2Te5薄膜的,这可能是造成其晶态电阻高于GST的主要原因。; 张滔郑坤张斌邵瑞文韩晓东张泽; 关键词：AG掺杂相变材料磁控溅射透射电镜

稀土元素Gd掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜的相变性能和结构研究: 大数据时代，信息技术的发展对数据存储器件的存储能力提出了更高的要求，近些年来发展了多种新型存储原理与技术，而相变存储器(PCM)则被认为是最具潜力的下一代主流存储器。在外加脉冲作用下，相变存储材料会在非晶态与晶态之间快速...; 陈永金张斌李昂韩晓东

物理截断与电子局域函数结合法研究非晶态结构中的原子成键被引量：1: 2016年; 本文将常用的键长物理截断方法与电子局域函数方法相结合,用于分析共价系统的非晶态结构,得到了更合理的原子成键信息,提高了非晶态结构模型分析的可靠性.以相变存储材料GeTe合金为例,通过采用上述方法详细研究了GeTe合金非晶态中原子间成键及结构信息,确定了其合理的成键物理截断长度为3.05?,电子局域函数阈值为0.63.研究结果显示,当电子局域函数的数值由0.58逐渐增大至0.63时,结构中所截断的化学键大部分是强度较弱的非同质键(即Ge—Te键),而强度较强的Ge—Ge键的数量几乎不变.对Ge原子配位数和其键角分布等结构信息的分析表明,Ge原子以3配位和4配位为主,其中3配位的Ge原子主要是以缺陷八面体形式存在,而4配位的Ge原子则主要以四面体的形式存在.此外,在本研究工作中所建立的确定成键物理截断长度及电子局域函数阈值的方法也可以应用于其他具有共价键性质的非晶态材料研究.; 王鑫洋陈念科王雪鹏张斌陈志红李贤斌刘显强; 关键词：配位数

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张斌