张传军
- 作品数：12 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目上海市“科技创新行动计划”中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>
- 磁控溅射制备Zr膜的应力研究被引量：2
- 2012年
- 为了研究磁控溅射方法制备的Zr膜的应力分布情况,采用探针轮廓仪测量镀膜前后基片在1维方向上的形变,根据镀膜前后基片曲率半径的变化和Stoney公式,用自编应力计算软件计算出薄膜的内应力。结果表明,Zr膜中主要存在的是压应力,且分布不均匀;工作气压对Zr膜内应力影响不大,但膜厚对Zr膜内应力影响较大,且随膜厚的增加,Zr膜中压应力减小。
- 曹鸿张传军王善力褚君浩
- 关键词：自支撑应力磁控溅射
- 沉积参数对射频磁控溅射制备的碲锌镉薄膜的影响(英文)被引量：1
- 2013年
- 采用Cd0.96Zn0.04Te靶,利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜,通过改变基片温度、溅射功率和工作气压,制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲锌镉薄膜放置在高纯空气气氛中,在473 K温度下退火.利用台阶仪、分光光度计、XRD和SEM测试设备表征,结果表明,通过退火和改变沉积参数,可以制备出禁带宽度在1.45～2.02 eV之间调节的碲锌镉薄膜.
- 曹鸿褚君浩王善力邬云骅张传军
- 关键词：碲锌镉射频磁控溅射带隙
- 薄膜太阳电池研究进展和挑战被引量：7
- 2019年
- 近十几年来,由于一系列新材料、新结构和新工艺的引入,传统薄膜太阳电池技术,如非晶硅(a-Si)、碲化镉(Cd Te)、铜铟镓硒(CIGS)都得到显著的提高,一些新兴薄膜太阳电池技术,如金属卤化物钙钛矿(metalhalide perovskite,PSC)、铜锌硒硫(CZTS)、硒化锑(Sb_2Se_3)也得到快速发展。其中CdTe、CIGS、PSC薄膜太阳电池的转换效率都大于22%。CdTe、CIGS薄膜太阳电池的产业化和规模应用也取得了很大的进展。薄膜太阳电池技术经过这十几年的研究,厚积薄发,为今后的进一步发展打下了更加坚实的基础。文中选取a-Si、CdTe、CIGS、PSC薄膜太阳电池的主要技术进展、发展趋势、产业化现状和面临的挑战进行论述。
- 张传军褚君浩
- 关键词：薄膜太阳电池光电转换非晶硅碲化镉铜铟镓硒
- 不同退火条件对磁控溅射CdS薄膜性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用磁控溅射法,在衬底温度300℃制备CdS薄膜,并选取370℃、380℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明,CdS薄膜在干燥空气中退火,晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显,光学带隙随退火温度的升高而增大;在CdCl2源+干燥空气中退火,随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶粒长大,表面粗糙度增大,可见光透过率和光学带隙随退火温度的升高而减小.分析得出:上述性能的改变是由于不同的退火条件对CdS薄膜的再结晶温度和带尾态掺杂浓度改变的结果.
- 张传军邬云骅曹鸿赵守仁王善力褚君浩
- 关键词：CDS薄膜磁控溅射热退火再结晶
- 肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V暗性能的影响
- 2013年
- 采用数学模拟方法分析了不同背接触势垒高度(φb)对于CdS/CdTe薄膜电池的J-V(电流密度-电压)方程的影响,得出了势垒高度与roll-over的变化对应关系.采用相应Cu/Mo背电极的CdS/CdTe薄膜电池在220—300K的变温J-V曲线的数值分析与理论分析相对照,分析了背势垒对于J-V曲线拟合参数的影响.修正了φb与反向饱和电流(Jb0)关系式,理论与实验符合得非常好.
- 赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力褚君浩
- 关键词：CDSCDTE薄膜伏安特性肖特基势垒
- 基于双结模型非理想太阳能电池伏安特性参数数值分析
- 2013年
- 提出了一种对于太阳电池光照条件和暗特性条件下对其伏安特性全段进行拟合提取参数的改进方法.对太阳电池J-V曲线进行分段,提取每段的4个关键参数:串联电阻(R s)、并联电阻(R sh)、品质因子(n)、反向饱和电流密度(J0).这种方法采用了双结电路模型法,并以CdS/CdTe薄膜电池为例进行了光照下和暗特性分析,得到了比单结电流模型更多的参数,并且具有较高的拟合精度(误差<0.7%).
- 赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云骅曹鸿黄志明王善力褚君浩
- 关键词：CDTE薄膜伏安特性ROLLOVER
- 不同衬底和CdCl_2退火对磁控溅射CdS薄膜性能的影响被引量：2
- 2013年
- 在科宁7059玻璃,FTO,ITO,AZO四种衬底上磁控溅射CdS薄膜,并在CdCl2+干燥空气380C退火,分别研究了不同衬底和退火工艺对CdS薄膜形貌、结构和光学性能的影响.扫描电子显微镜形貌表明:不同衬底原位溅射CdS薄膜的形貌不同,退火后相应CdS薄膜的晶粒度和表面粗糙度明显增大.XRD衍射图谱表明:不同衬底原位溅射和退火CdS薄膜均为六角相和立方相的混相结构,退火前后科宁7059玻璃,FTO,AZO衬底上CdS薄膜有H(002)/C(111)最强衍射峰,ITO衬底原位溅射CdS薄膜没有明显的最强衍射峰,退火后出现H(002)/(111)最强衍射峰.紫外-可见分光光度计分析表明:AZO,FTO,ITO,科宁7059玻璃衬底CdS薄膜的可见光平均透过率依次减小,退火后相应衬底CdS薄膜的可见光平均透过率增大,光学吸收系数降低;退火显著增大了不同衬底CdS薄膜的光学带隙.分析得出:上述结果是由于不同衬底类型和退火工艺对CdS多晶薄膜的形貌、结构和带尾态掺杂浓度改变的结果.
- 张传军邬云骅曹鸿高艳卿赵守仁王善力褚君浩
- 关键词：CDS薄膜磁控溅射
- 聚苯乙烯滤光膜均匀性的研究被引量：1
- 2012年
- 为了研究静置时间、液面下降速度对聚苯乙烯(C8H8)滤光膜厚度和均匀性的影响,采用浸渍法制备了C8H8滤光膜,通过改变静置时间、液面下降速度,制备了不同的样品。用Vecco Dektak6.0探针轮廓仪测量样品厚度,利用插值法方法,研究了C8H8滤光膜与静置时间、液面下降速度的关系。结果表明,静置时间和液面下降速度对C8H8薄膜厚度和均匀性有很大影响;静置时间越短,液面下降速度越小,浸渍法制备的C8H8滤光膜的均匀性越好。
- 曹鸿张传军王善力褚君浩
- 关键词：均匀性聚苯乙烯浸渍法
- CdS薄膜的可见和近红外光谱性能研究
- 2013年
- 在康宁7059玻璃衬底上采用磁控溅射、化学水浴和近空间升华法制备CdS薄膜,在FTO、ITO、AZO衬底上采用磁控溅射法制备CdS薄膜。分别对两组CdS薄膜的形貌、结构和光学性能进行了研究,结果表明:采用不同工艺和衬底条件制备的CdS薄膜具有不同的形貌和结构,并表现出不同的光学性能。对于不同的制备技术,化学水浴法制备的CdS薄膜在520～820nm范围的光谱平均透过率最高,光学带隙最大为2.418eV,磁控溅射法制备的CdS薄膜在820～1200nm和520～1200nm范围的光谱平均透过率最高。对于不同的衬底条件,在FTO衬底上磁控溅射制备的CdS薄膜在820～1200nm和520～1200nm范围的光谱平均透过率最高。
- 张传军丛家铭邬云骅曹鸿王善力褚君浩
- 关键词：CDS薄膜
- 偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用被引量：1
- 2014年
- 薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等,还可以得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数.通过实验测量与理论分析,给出了薄膜太阳能电池耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)与偏压量子效率的关系,提出了一种新的拟合耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)的方法,探讨了偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用.
- 黄志鹏赵守仁孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力胡志高杨平雄褚君浩
- 关键词：薄膜太阳能电池少子扩散长度
