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代刚

作品数：38 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 25篇半导体
  • 22篇功率器件
  • 15篇恒流
  • 13篇击穿电压
  • 13篇二极管
  • 12篇结终端
  • 12篇击穿
  • 11篇半导体技术
  • 10篇曲率
  • 10篇恒流二极管
  • 10篇半导体功率器...
  • 7篇金属阳极
  • 6篇芯片
  • 6篇金属阴极
  • 6篇高压功率器件
  • 4篇元胞
  • 4篇驱动电路
  • 4篇驱动芯片
  • 4篇耐压
  • 4篇内壁

机构

  • 38篇电子科技大学

作者

  • 38篇代刚
  • 37篇乔明
  • 36篇张波
  • 20篇何逸涛
  • 18篇王裕如
  • 17篇张晓菲
  • 12篇于亮亮
  • 10篇张康
  • 9篇周锌
  • 8篇方冬
  • 6篇陈钢
  • 4篇李阳
  • 2篇吴文杰
  • 2篇方东
  • 1篇李燕妃
  • 1篇文帅

年份

  • 1篇2019
  • 6篇2018
  • 8篇2017
  • 3篇2016
  • 18篇2015
  • 2篇2014
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明代刚张晓菲王裕如方冬张波
一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及仿真方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及其仿真方法。本发明的一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路，包括PMOS管，其特征在于，所述PMOS管的漏极与可变电压源Vnh连接、衬底与固...
乔明何逸涛张康代刚吴文杰张波
文献传递
一种硅基薄外延单RESURF电平位移结构
一种硅基薄外延单RESURF电平位移结构，属于半导体功率器件技术领域。包括基于浮动地的高端电路、终端、LDMOS、第一弯道区、第二弯道区；对于第一弯道区，增加漏极曲率半径以达到耐压需求；对于第二弯道区，增大第二弯道区漂移...
乔明张晓菲王裕如代刚张波
文献传递
一种桥式LED恒流驱动芯片
一种桥式LED恒流驱动芯片，属于半导体技术领域。包括4个高反向耐压恒流器件，第一高反向耐压恒流器件阳极与第四高反向耐压恒流器件阴极连接形成第一节点，第一高反向耐压恒流器件阴极与第二高反向耐压恒流器件阴极连接形成第二节点，...
乔明于亮亮何逸涛代刚张康张波
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米；同时P型埋层还超出N型掺杂层3微米。在实际工艺中...
乔明王裕如代刚张晓菲周锌何逸涛张波
文献传递
一种横向恒流二极管及其制造方法
本发明提出了一种横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底、扩散N型阱区、P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、...
乔明于亮亮何逸涛代刚张波
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米。在实际工艺中，N型漂移区2通过离子注入形成，在退...
乔明王裕如张晓菲代刚周锌何逸涛张波
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一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法
本发明提供了一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述基于SOI的横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底，N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、...
乔明于亮亮代刚陈钢张波
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一种具有多电极结构的横向高压器件
本发明提供了一种具有多电极结构的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏...
乔明周锌李阳代刚陈钢张波
文献传递
一种垂直型恒流二极管及其制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种垂直型恒流二极管及其制造方法。本发明的直型恒流二极管，包括依次层叠设置的氧化层、高掺杂N型外延层、轻掺杂N型外延层、重掺杂N+衬底和金属阳极，其特征在于，添加了电阻作为负反馈结构。...
乔明张康代刚于亮亮何逸涛张波
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