于莉媛
- 作品数：62 被引量：62H指数：4
- 供职机构：天津工业大学电子与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 一种用于LED路灯的阵列式自由曲面透镜的设计方法
- 本发明涉及一种用于LED路灯的阵列式自由曲面透镜的设计方法，该透镜由自由曲面阵列构成，由LED芯片发光面发出光束，经过一次透镜后，再经过自由曲面阵列出射到路面上。根据能量守恒列出并求解微分方程，设计出单个LED的方形二次...
- 于莉媛牛萍娟邢海英张建新
- 文献传递
- 基于PICED的照明亮度智能控制
- 伴随着LED照明持续不断的升温，智能照明产品及应用也呈现出爆发性增长。智能照明在家庭照明、办公领域、公共场所等领域有较大的需求。本文介绍了当前智能照明的发展情况和C-Bus系统的C-Touch触摸屏及PICED设计软件。...
- 杨广华薛鹤飞马浩姜晓明付贤松于莉媛
- 关键词：智能照明C-BUS
- 基于C-Bus的人体感应及亮度检测照明控制被引量：1
- 2017年
- 作为智能照明总线控制技术代表之一的C-Bus,在动力和能源管理、照明控制以及专业调光控制、智能家居控制等领域提供了丰富的解决方案。该文在自主设计的智能照明空间内,使用编程软件C-Bus ToolKit、相关传感器输入单元E5031PE和E5751L等,完成了人体感应照明灯具以及亮度控制照明灯具的开关控制,实现了智能红外感应开关控制和随周围环境变化的亮度调节等功能。该文详细介绍了C-Bus系统实现智能化控制的过程,将在高端建筑控制中应用的这些技术引入大学专业教学,实现了在单片机、ARM等单芯片照明控制之外的总线控制人才培养。
- 于莉媛杨广华薛鹤飞张健珩魏若愚韩变华
- 关键词：智能照明亮度调节
- 一种自由曲面式新生儿黄疸光疗照明系统
- 本发明涉及一种自由曲面式新生儿黄疸光疗照明系统，包括左侧的LED光源及右侧的自由曲面透镜，由LED光源发出的单色光通过自由曲面透镜后形成照明平面，其中，LED光源包括圆形灯板，在圆形灯板上匀距间隔制有多个灯孔，在每个灯孔...
- 于莉媛牛萍娟朱文睿
- 文献传递
- 浅谈以“卓越工程师”为目标的半导体照明专业人才培养
- 半导体照明产业属于战略性新兴产业，属于国家发展“卓越工程师教育培养计划”的重点领域。天津工业大学光源与照明专业是全国首个专门以培养半导体照明专业高端专业人才为主的本科专业，旨在培养创新能力强、适应经济社会发展需要的高质量...
- 于莉媛牛萍娟
- 关键词：师资队伍
- 一种基于热管散热的模块化大功率LED灯具组件
- 本发明属于半导体照明技术领域，涉及一种基于热管散热的模块化大功率LED灯具组件，每个模块包括光源模块、热管模块和肋片式散热模块，模块间利用镂空的安装板进行连接，可灵活装配出各种面型、环形、线形等出光造型的LED灯具成品。...
- 张建新牛萍娟李晓云付贤松于莉媛杨广华高铁成王巍
- 文献传递
- 一种可拼接电磁耦合共振式无线充电模块
- 本实用新型提出了一种可拼接电磁耦合共振式无线充电模块，单个无线充电模块包括依次放置的电源接口层、线圈层、隔热层和隔磁层。线圈层的线圈包括两种结构，结构A为完整线圈，将完整的线圈从中间分开，分割后外露导点一侧向外，位置对称...
- 牛萍娟李舒舒于莉媛
- 文献传递
- 基于UC3843 Spice模型的车载LED照明驱动电路研究
- 2015年
- 介绍了UC3843芯片的特点,基于其适用于低电压驱动电路优势,设计适用于车载环境下的照明驱动电路。由于Multisim软件没有相关Spice模型,在分析其他公司为其他软件提供的Spice模型基础上,进行修正从而应用于驱动电路仿真。为提高稳定性,降低振荡,在电路中增加了斜坡电路,得到较好的输出特性。最后给出了实际的12V直流电源驱动的3W照明电路。
- 杨广华李玉兰于莉媛马浩任贺宇
- 关键词：SPICELED
- 基于绒面光管理结构的钙钛矿太阳电池及其制备方法
- 本发明涉及一种基于绒面光管理结构的钙钛矿太阳电池及其制备方法，该电池包括基底、在所述基底上形成的绒面金属背反射层、在绒面金属背反射层上形成的电子传输层、在电子传输层上形成的钙钛矿吸收层、在钙钛矿吸收层上形成的空穴传输层、...
- 陈培专牛萍娟于莉媛张炜杜阳阳张建军
- 文献传递
- 非分段GaN HEMT EF2类功率放大器理论研究
- 2024年
- 目前,增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的仿真模型存在仿真时间长、复杂度高且收敛性不好等问题。为了解决GaN HEMT器件在电力电子电路中仿真收敛性和准确性差的问题,提出一种非分段的GaN HEMT SPICE模型。使用非分段连续方程对GaN HEMT器件的静态和动态特性进行建模;再对GaN HEMT的输出特性进行仿真,并与Si MOSFET的仿真结果进行对比。仿真结果表明,所提模型的收敛性较好,收敛速度快,有较高的准确性。另外,将此模型应用于EF2类功率放大器中,研究该模型对传输效率的影响。仿真结果进一步表明:该模型具有良好的收敛性;且当开关频率为10~20 MHz,输入功率为75 W时,输出功率可达73 W,传输效率为95%,这也证明了GaN HEMT器件可以提高EF2类功率放大器的传输效率。
- 于莉媛徐国龙褚泰然
- 关键词：I-V特性电子电路
