于开坤
- 作品数：28 被引量：135H指数：6
- 供职机构：西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”西安交通大学博士学位论文基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 改进α-碳化硅防晕体系防晕性能的研究被引量：2
- 2004年
- 为开发优良的防电晕材料,利用电阻率较小、非线性系数较大的β-碳化硅(β-SiC)加入α-碳化硅(α-SiC)防晕体系,结果表明随加入量的增加,电阻率降低,从不掺杂β-SiC时的7.89×107Ω·m,降低至β-SiC掺入量为7.5%时的1.34×107Ω·m,而非线性系数增加,从不掺杂β-SiC时的1.527提高至β-SiC掺入量为7.5%时的1.695,该防晕体系用于大电机定子线棒时,起晕电压提高了353%,达到了实际应用的要求。
- 于开坤宁叔帆赵丽华刘斌陈寿田
- 关键词：防电晕材料起晕电压
- 真空中可加工陶瓷材料冲击电压下沿面闪络特性与机理的研究
- 于开坤
- 关键词：真空沿面闪络表面电荷二次电子发射
- 真空中固体绝缘沿面闪络现象的研究进展被引量：58
- 2007年
- 针对长期以来高电场下复合绝缘系统的耐电性能受绝缘材料的沿面闪络现象所限制,严重制约了很多电气电子系统的整体性能的现状,迫切需要深入研究真空中绝缘子沿面闪络现象,为此,综述了国内外相关研究现状和进展,认为此现象是一种发生在高电场下的复杂界面(电极与材料的交界面)和表面(材料的表面)的物理现象。闪络过程在本质上反映出高电场下的电荷行为,由体内(材料的表层内)和体外(材料的表面及表面以上)2过程支配。需综合考虑绝缘材料的介电常数、电阻率、二次电子发射特性、表面陷阱分布等影响因素,进而提出表征和改善真空中沿面闪络特性的综合评价体系,最终达到认识新的物理现象并将之有效调控的目的。
- 张冠军赵文彬郑楠于开坤马新沛严璋
- 关键词：固体绝缘材料沿面闪络电极接触电荷注入电输运
- 表面粗糙处理对可加工陶瓷冲击闪络特性研究被引量：4
- 2009年
- 长期以来,复合绝缘系统的耐电性能受制于其绝缘材料表面的沿面闪络,尤以真空闪络最为严重,大大限制了电真空器件的整体性能。以一种具有良好耐电性能的低熔点可加工陶瓷引入真空绝缘,通过不同砂纸打磨研究不同表面粗糙度对其闪络性能的影响。结果发现,在冲击电压作用下,随着材料表面粗糙程度的增加其闪络电压有上升的趋势,打磨方向垂直于电极连线方向的效果要优于打磨方向平行于电极连线方向。
- 田杰于开坤郑楠张冠军
- 关键词：沿面闪络真空可加工陶瓷
- 分散剂对钛酸钡介电性能的影响被引量：1
- 2005年
- 通过水煮损耗测试、温度特性、电导率和化学分析、瓷片表面显微结构等测试手段,研究了在固相反应制备钛酸钡的工艺中,向BaCO3粉体和TiO2粉体的混合球磨的浆料中加入聚乙烯醇作为分散剂对合成的钛酸钡粉体均匀性的影响。研究结果表明,碱性聚乙烯醇改善合成BaTiO3粉体均匀性的效果最好,介电常数峰值提高了2313、游离BaO含量降低了93.33%。
- 赵丽华于开坤郭相国宁叔帆
- 关键词：钛酸钡固相反应分散剂均匀性介电性能
- 不同掺杂对可加工陶瓷二次电子发射及沿面闪络特性的影响被引量：6
- 2011年
- 固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性,长期以来这一现象极大地制约着真空绝缘系统的整体性能,限制了高压电真空设备的发展进程。本文针对一种具有良好加工性能及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘的背景,在不明显降低可加工性能的前提下,通过在可加工陶瓷原材料内掺杂不同的低二次电子发射系数金属氧化物Cu2O以及Cr2O3,研究掺杂之后材料的二次电子发射系数的变化,对不同掺杂工艺下试品的沿面闪络电压进行研究。结果发现:掺杂低二次电子发射系数金属氧化物能够相应降低可加工陶瓷材料的二次电子发射系数,通过研究不同加工工艺条件下材料的闪络电压,发现试样的闪络电压随其二次电子发射系数的降低而提高。
- 于开坤张冠军田杰郑楠黄学增马新沛李光新山纳康小林信一
- 关键词：沿面闪络可加工陶瓷真空
- 浆料酸值对钛酸钡电容器介电性能的影响
- 2004年
- 通过水煮溶液 pH值及其电导率、电气强度、介电性能 -温度特性、化学组成、陶瓷片表面显微结构等的测试分析 ,研究了固相反应合成钛酸钡 (BaTiO3)粉体中 ,用氨水调高浆料的 pH值对BaTiO3 基电子陶瓷电容器的介电性能的影响。结果表明 :pH值提高明显改善BaTiO3 粉体的性能。在 pH=10.3时 ,合成的BaTiO3 中BaO含量降低了92.86 % ,电气强度提高了29.50 % ,介电常数峰值提高了15.41 %
- 赵丽华郭相国浦永平于开坤
- 关键词：钛酸钡介电性能PH值电容器
- 绝缘材料在真空中冲击电压下的沿面闪络特性
- 绝缘材料的沿面闪络往往导致系统绝缘失败，导致严重事故的发生。本文采用光电同步测量的方法，针对真空条件下PTFE和氧化铝陶瓷在冲击电压下的沿面闪络现象进行了观测和研究。探讨了闪络现象表现出的一般特性，并发现在绝缘材料表面溅...
- 郑楠于开坤赵文彬张冠军
- 关键词：冲击电压沿面闪络二次电子发射绝缘材料
- β-SiC非线性导电特性影响因素及机理的研究被引量：5
- 2005年
- 研究了-βSiC非线性导电特性的影响因素及其机理,提出了利用-βSiC作为电机线棒防电晕材料的新方法.在-βSiC微粉合成的过程中,向其中掺杂V、Al等非4价金属,与-βSiC形成固溶体,可有效地改变β-SiC的非线性导电特性;-βSiC微粉表面吸附的Fe、Al、Mg、Ca、Ti、V等金属杂质,随其含量的提高,-βSiC电阻率下降;随表面胶态SiO2含量提高,-βSiC微粉电阻率提高,非线性系数增大;随晶体中x(C)/x(Si)的增大,-βSiC微粉电阻率降低,非线性系数减小.随着-βSiC微粉表面SiO2含量的增加,其防电晕涂层表面电阻率Sρ和起晕电压随之提高,最高可达55 kV,-βSiC完全可单独用作电机线棒的防电晕材料.
- 宁叔帆于开坤徐明陈维刘斌陈寿田
- 关键词：Β-SIC电阻率防电晕材料
- 真空冲击电压下氧化铝陶瓷沿面闪络现象的发展过程被引量：2
- 2009年
- 真空沿面闪络的发生与发展的过程是电气与电子领域众多学者长期以来所关注的问题,这一复杂的放电现象至今还不能完全从机理上给予说明。本文采用电气、光学联合检测的方法,利用增强型电荷耦合器件(ICCD)对真空冲击电压下氧化铝陶瓷沿面闪络现象的动态发展过程进行了研究,考察了在试样表面溅射金属薄膜电极对闪络发光现象的影响。从闪络的电压、电流和发光波形看出,闪络发生时的电流和发光峰值出现时间一致,并滞后于电压截断点。从ICCD图像可以发现,在试样表面发生完全闪络之前其表面已经出现预闪络发光通道,而沿面闪络发光的最强阶段出现在闪络发生之后的几十纳秒,此时电流出现最大值,能够发现在电极的边缘位置发光最为强烈;溅射电极之后试样的沿面闪络电压有所降低,闪络发生时的发光强度提高,在闪络发生时电极之间的材料内部可能出现体内的复合过程。
- 于开坤张冠军郑楠田杰刘国清
- 关键词：真空氧化铝陶瓷沿面闪络ICCD
